Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1488 節(jié)能環(huán)保成為全球關(guān)注的熱門話題，具有節(jié)能環(huán)保等特性的第四代光源LED成為業(yè)界新寵，相關(guān)研究更是層出不窮。香港浸會大學黃維揚教授，近日憑其研發(fā)的新型金屬有機磷光材料，制作單層白光有機發(fā)光二極管（OLED）等相關(guān)研究，一舉奪得國家自然科學二等獎。
2014-02-28 09:07:433313 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 體二極管是MOS管中的一個重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此出現(xiàn)了SD之間的體二極管。今天我們簡單來講下關(guān)于體二極管在MOS管中的作用，以及它能承受多大電流。
2024-01-23 09:39:318058 
Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，針對車載充電應用專門推出七款新型二極管和MOSFET功率模塊。含有各種電路配置的集成解決方案采用PressFit引腳壓合專利技術(shù)，將高效快速體
2022-11-29 14:20:511155 
海飛樂技術(shù)有限公司是一家以快速恢復二極管（FRD）、快恢復模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導體芯片及器件的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為主營業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15
第四代CSR8670開發(fā)板開發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國衛(wèi)星導航年會（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。
這是一款擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
第四代移動通信技術(shù)是什么？有什么主要特點？第四代移動通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-26 07:07:28
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放電二極管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放電二極管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標準，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲器高速（NVMe）固態(tài)硬盤?！ ∵@些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點
2020-11-23 06:10:45
MIMO-OFDM系統(tǒng)為什么能成為第四代移動通信領(lǐng)域研究的熱點和重點？
2021-05-27 06:39:06
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復二極管嗎？那將是什么缺點。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
在工業(yè)風機、家電壓縮機或通用電機驅(qū)動等高壓應用中，一個簡潔可靠的半橋驅(qū)動電路是系統(tǒng)穩(wěn)定運行的基礎(chǔ)。SiLM2206CJ半橋門極驅(qū)動器，集成了關(guān)鍵的自舉二極管，支持高達600V的母線電壓，在幫助簡化高
2025-12-31 08:22:18
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動設(shè)計，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設(shè)計，具備優(yōu)異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
和第五代似乎別無二致，我想知道是不是第四代capsense技術(shù)只是不能同時支持這三種模式，但是可以不同時支持？
2024-05-23 06:24:34
二極管。這些器件具有低開關(guān)損耗和低正向壓降以及正溫度系數(shù)。介紹為了增加雪崩擊穿電壓，改善開關(guān)功率損耗，例如在風車、感應加熱、電機驅(qū)動或逆變器應用中，在開發(fā)稱為第一代、第二代、第三代和第四代FRD的優(yōu)化
2023-02-27 09:32:57
555~570nm?！ 〕Ｓ玫膰a(chǎn)通俗單色發(fā)光二極管有BT（廠標型號）系列、FG（部標型號）系列和2EF系列。常用的進口通俗單色發(fā)光二極管有SLR系列和SLC系列等?！ 「吡炼劝l(fā)光二極管 高亮度單色
2018-04-03 11:33:11
555~570nm?！ 〕Ｓ玫膰a(chǎn)通俗單色發(fā)光二極管有BT（廠標型號）系列、FG（部標型號）系列和2EF系列。常用的進口通俗單色發(fā)光二極管有SLR系列和SLC系列等。 高亮度發(fā)光二極管 高亮度單色
2018-09-07 11:29:24
快恢復二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復時間短（20ns），開關(guān)速度快，降低器件的開關(guān)損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調(diào)節(jié)系統(tǒng)
2020-09-24 16:10:01
快恢復二極管FMD4206S，電壓600V，電流20A，快恢復時間50ns，TO-3PF封裝。開關(guān)速度快，低損耗。低漏電流。適用于高頻整流的低損耗電源用二極管。常應用于CCM方式PFC；白色家電
2020-09-24 16:11:08
整流，轉(zhuǎn)換開關(guān)，開關(guān)電源、高頻焊接電源轉(zhuǎn)換器等?！ ?0A/600V二極管主要參數(shù) 80A/600V二極管特性曲線 80A/600V二極管封裝結(jié)構(gòu)與尺寸圖
2020-09-24 16:04:45
的一致性和精確度測量高數(shù)據(jù)速率信令方案。為滿足這一需求，泰克已經(jīng)在DPO70000SX系列上實現(xiàn)對第四代標準的串行總線測試支持，包括USB3.1、采用USBType-C接口的Thunderbolt
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了，這里就不重復敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對本田第四代混合動力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設(shè)計思想和工作原理，對于國內(nèi)輕度混聯(lián)混合動力汽車的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
功率是600W，工作電壓范圍是5.0-440.0V，工作電流范圍是62.5-0.84A。P6KE系列瞬態(tài)抑制二極管DO-204AC(DO-15)封裝，產(chǎn)品的額定工作功率是600W，工作電壓范圍
2014-06-30 16:35:36
在通信電源、變頻器等中比較常見，常用的封裝形式有：TO-220AB、ITO-220AB、TO-247，貼片肖特基二極管型號命名以SS開頭的比較多。肖特基二極管：根據(jù)所承受電流的的限度，封裝形式大致分為
2021-07-09 11:45:01
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管
2020-11-26 17:31:19
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管
2021-11-16 17:02:37
）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
請問貼片電阻，貼片電容，貼片
二極管，穩(wěn)壓
二極管，MOS
管，
MOSFET和
封裝形式有那些呢？請一一說明，謝謝各們大師哦?。。?/div>
2020-11-13 14:54:46
系列）開關(guān)二極管（DO-34、DO-35封裝）、快速恢復二極管（FR）高效率二極管（HER、UF）超快速二極管（SF）肖特基二極管（SKY）雙向觸發(fā)管二極管（DB3）整流橋二極管（BRIDGE）高反壓
2013-08-02 16:17:14
，所以使用可高速開關(guān)的快速恢復二極管。需要探討的是耐壓和損耗。施加于輸出二極管的反向電壓考慮到余量為：??Vdr = VIN (max)÷0.7 = 372V÷0.7 = 531V → 600V二極管
2018-11-27 16:51:14
階段，可見未來5年工地對第四代強制式干混砂漿罐的需求會越來越大。 那么一款專業(yè)的工人專用空氣凈化施工產(chǎn)品應當是怎樣的標準呢？ 第四代強制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹： 攪拌機開機后，罐內(nèi)的砂漿通過手動蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個方面全面介紹了第四代移動通信系統(tǒng)，并簡單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動通信中的應用。
2009-11-28 11:46:59
42
第四代TOPSwitch?GX系列單片開關(guān)電源
摘要：TOPSwitch?GX是美國PowerIntegratio
2009-07-08 11:12:031478
TOPSwitch?GX系列第四代單片開關(guān)電源的原理
TOPSwitch?GX系列是美國PowerIntegrations公司繼TOPSwitch?FX之后，于2000年底新推出的第
2009-07-10 10:16:052170 
快速二極管
快速二極管的工作原理與普通二極管是相同的，但由于普通二極管工作在開關(guān)狀態(tài)下的反向恢復時間較長，約4～5ms，不能
2009-09-16 09:24:353447 什么是快速二極管
快速二極管的工作原理與普通二極管是相同的，但由于普通二極管工作在開關(guān)狀態(tài)下的反向恢復時間較長，約4～5ms
2009-09-16 09:24:522969 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28917 超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 Vishay推出超小型雙向?qū)ΨQ單線ESD保護二極管
日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向?qū)ΨQ(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極
2010-01-09 09:42:28955 第四代iPhone細節(jié)曝光
北京時間2月9日早間消息，美國數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細節(jié)及圖片，第四代iPhone要比當前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937 第四代iPhone細節(jié)曝光
2010-02-22 10:25:18522 隧道二極管/體效應二極管是什么意思
什么是隧道二極管?隧道二極管是一種在極低正向電壓下具有負電阻的半導體二極管。
2010-02-27 11:23:212522 二極管的封裝,二極管的封裝是什么意思
1）單體
在一個封裝中裝一個器件
2010-03-01 10:09:465522 日前，東芝開發(fā)了提高內(nèi)置二極管恢復特性的構(gòu)造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會上展示。據(jù)悉，該產(chǎn)品耐壓為600V，縮短了內(nèi)置二極管反向恢復時間。
2013-05-20 11:40:331122 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 6 月2 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出28顆新的600V和650V
2015-06-02 15:10:531320 第四代移動通信技術(shù)研究，很好的網(wǎng)絡(luò)資料，快來下載學習吧。
2016-04-19 11:30:480 ---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2016-05-12 14:01:14924 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:112189 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:542337 AN65--第四代LCD背光技術(shù)
2021-04-19 11:43:336 Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過 AEC-Q101 認證 與傳統(tǒng) SOD/T 封裝二極管相比節(jié)省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤濕
2021-10-19 16:57:522958 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142761 2020年 750V第四代SiC FET 誕生時，它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚，以 6毫歐 器件為例，品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復能量，動態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉
2022-05-23 17:31:291802 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應用中。
2022-06-06 09:33:575970 
Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關(guān)損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:112026 Vishay 推出兩款新型陶瓷/石英基材 UVC(短波紫外線)發(fā)光二極管，用于醫(yī)療、工業(yè)和消費電子應用殺菌。
2022-09-16 10:50:15753 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復整流器。
2022-10-14 16:11:242241 超快速增壓二極管STTH1506DPI手冊免費下載。渦輪開關(guān)“H”為超高由兩個300V二極管組成的性能二極管系列透平開關(guān)“H”系列大幅削減相關(guān)MOSFET在以下條件下運行時的損耗dIF/dt高。
2022-10-18 15:49:130 Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊 靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù) 在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置 Vishay? 針對車載充電應用專門推出七款新型二極管
2022-11-25 15:20:051895 上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:202300 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應用中使用時，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:404750 
編輯：LL RHRP1560-ASEMI大功率快恢復二極管15A 600V 品牌：ASEMI 型號：RHRP1560 封裝：TO-220 特性：大功率、高耐壓 電性參數(shù)：15A 600V 產(chǎn)品
2023-02-27 15:46:040 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
高性能低功耗物聯(lián)網(wǎng)無線連接領(lǐng)導廠商Nordic 半導體公司宣布推出第四代多協(xié)議系統(tǒng)級芯片（SoC）系列中的首款產(chǎn)品nRF54H20。
2023-06-06 12:46:151802 TVS二極管工作電壓范圍3.3V~600V，甚至更高，業(yè)內(nèi)把工作電壓大于等于200V的TVS歸類為高壓TVS二極管。目前，很多客戶很想知道工作電壓300V的瞬態(tài)抑制TVS二極管有哪些型號？根據(jù)東沃電子DOWOSEMI瞬態(tài)抑制TVS二極管產(chǎn)品手冊可知，根據(jù)單雙向分，300V的TVS管型號有：
2021-11-12 15:03:231992 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 
探究快速開關(guān)應用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:033281 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Vishay創(chuàng)新型二極管在汽車電子中的應用.rar》資料免費下載
2023-11-10 10:00:170 1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:461464 
帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:561465 
MOSFET為什么有“體二極管”
2023-12-14 11:26:483272 
MOS管體二極管（也稱為寄生二極管、內(nèi)置二極管或反并二極管）是指在金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）中存在的一種寄生元件。這種二極管并不是有意設(shè)計的，而是由MOSFET的結(jié)構(gòu)自然形成
2024-01-31 16:28:228929 
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422283 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領(lǐng)域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結(jié)構(gòu)設(shè)計，額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?1200 V?碳化硅
2024-07-05 09:36:122318 
Vishay 推出一款采用透明無色引線型塑料封裝的新型 890 nm 高速紅外 ( IR ) 發(fā)光二極管，擴充其光電子產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors ?TSHF5211 ?基于表面發(fā)射器芯片技術(shù)，優(yōu)異的 VF 溫度系數(shù)達 -1.0 mV/K，輻照強度和升降時間優(yōu)于前代器件。
2024-07-19 09:22:511351 意法半導體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，標志著公司在高效能半導體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術(shù)，在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹立了新的市場標桿，將為汽車和工業(yè)市場帶來革命性的改變。
2024-10-10 18:27:331621 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195 超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
2024-11-28 10:33:16884 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN65-第四代LCD背光技術(shù).pdf》資料免費下載
2025-01-09 14:12:250 40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
近日，派恩杰半導體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領(lǐng)先水平。相比上一代
2025-08-05 15:19:011210 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環(huán)境設(shè)計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計用于高效電源開關(guān)應用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18348 ——DPF120C600HB，看看它有哪些獨特的特性和應用場景。 文件下載： Littelfuse DPF120C600HB快速恢復二極管.pdf 一、產(chǎn)品概述 DPF120C600HB是一款耐壓600V、電流2
2025-12-15 17:20:02352 
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