小功率MOS場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)
2009-08-22 16:02:38
4456 場效應(yīng)管放大電路
場效應(yīng)管(FET)與雙極型晶體三極管(BJT)一樣能實現(xiàn)對信號的控制。由場效應(yīng)管組成的基本放大電
2009-09-16 09:59:2044201 場效應(yīng)管與晶體三極管的比較
場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允
2009-11-09 14:32:138485 場效應(yīng)管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場效應(yīng)管的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)管通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-02-27 17:49:445549 
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一個分支，叫場效應(yīng)管（ Field Effect
2023-06-28 08:39:286957 
`功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率場效應(yīng)管(MOSFET)的特點功率場效應(yīng)管(MOSFET)與雙極型功率相比具有如下特點：1．場效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動大電流時無需推動級，電路較
2011-12-19 16:52:35
功率場效應(yīng)管MOSFET,功率場控晶體管
2019-04-10 10:02:53
1、驅(qū)動電路功率場效應(yīng)管為單極型器件，輸入阻抗高。因而開關(guān)速度快，驅(qū)動功率小，電路簡單。但其極間電容較大，因此工作速度和驅(qū)動源的內(nèi)阻抗有關(guān)，柵極驅(qū)動電路的形式各種各樣，按驅(qū)動電路與柵極的連接方式
2018-01-31 10:01:49
功率場效應(yīng)管（VMOS）是單極型電壓控制器件。具有驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等顯著特點，還具有電流負(fù)溫度系數(shù)、良好的電流自動調(diào)節(jié)能力、良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力等優(yōu)點。其
2018-01-29 11:04:58
二次擊穿現(xiàn)象，安全工作區(qū)域?qū)挼忍攸c，主要分為兩種：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET)和絕緣棧型場效應(yīng)管（MOSFET)。對N溝道結(jié)型場效應(yīng)管2N3370的輸出特性進(jìn)行分析。對N溝道增強(qiáng)型MOSFET2N7000的輸出特性進(jìn)行仿真
2012-08-03 21:44:34
，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。一、場效應(yīng)管的分類 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全
2011-12-19 16:30:31
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點，但是，由于場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
。場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場效應(yīng)晶體管作用是什么1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機(jī)驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路，可選用功率
2021-05-13 07:10:20
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計.doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動電路.doc場效應(yīng)晶體管的幾點使用知識.doc全系列場效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
場效應(yīng)管與雙極型三極管的比較
2012-08-20 08:46:13
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
場效應(yīng)晶體管NMOS場效應(yīng)晶體管。由此觀之，“雙極”、“單極”是指晶體管中參與導(dǎo)電的載流子類型數(shù)，如同通訊系統(tǒng)的“雙工”、“單工”的區(qū)別一樣，而不是應(yīng)該是“雙結(jié)”和“單結(jié)”。轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)`
2012-07-11 11:42:48
、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。一、場效應(yīng)管的分類 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管
2013-03-27 16:19:17
，不消耗信號源功率，因此它的輸入電阻很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強(qiáng)、便于集成等優(yōu)點。 場效應(yīng)管是靠一種極性的載流子導(dǎo)電，它又被稱為單極性三極管，它分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管
2012-07-11 11:36:52
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
?！ 、?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線 柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取
2020-12-01 17:36:25
場效應(yīng)管的參數(shù)場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
場效應(yīng)管的測試1、結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別： 場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某
2009-04-25 15:43:42
場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣
2009-04-02 09:34:11
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
不會有明顯的改變。此時三極管功率基本不變，電流達(dá)到飽和，電壓降也已經(jīng)是最小值。
場效應(yīng)管以N增強(qiáng)型為例，其本質(zhì)是一個壓控電阻，通過控制柵源電壓控制漏源電阻，具有互導(dǎo)特性，輸出阻值的變化比上輸入電壓
2024-01-18 16:34:45
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型；P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
晶體管的開關(guān)?！ 〉诙糠?N型場效應(yīng)管的主要用途 N型場效應(yīng)管在一些工業(yè)設(shè)備和電子裝置中廣泛被用來控制信號的開關(guān)和功率的傳遞，可應(yīng)用于功率的放大器，適用于數(shù)字電路以及機(jī)械設(shè)備的控制等等?！ 型
2023-03-08 14:21:22
晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作
2021-05-13 06:33:26
晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流
2021-05-13 06:40:51
件，它是繼三極管之后的新一代放大元件，場效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管，同時又有N溝道和P溝耗盡型之分。場效應(yīng)管一般用于開關(guān)作用，有開關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開關(guān)電源等，應(yīng)用場
2023-02-13 15:43:28
和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者，只允許從信號源取較少電流的情況下應(yīng)優(yōu)先選用場效晶體應(yīng)管。三、三極管與場效應(yīng)晶體管區(qū)別特征：1、三極管之所以又被稱為雙極型管子，是因為管子在工作時內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與
2019-04-08 13:46:25
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動功率高，但驅(qū)動電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
?！ ∮嬎泠捠?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管寬度 （W） 鰭式場效應(yīng)晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設(shè)備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，F(xiàn)inFET表現(xiàn)出一種稱為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機(jī)
2023-02-24 15:25:29
1200AC：脈沖恒流源50uS~300uSD：Vce測量精度2mVE：Vce測量范圍0~8VF：電腦圖形顯示界面G：被測量器件智能保護(hù)二：應(yīng)用范圍A：大功率IGBT（雙極型晶體管）B：大功率場效應(yīng)管
2015-03-11 13:51:32
如何快速定性判斷場效應(yīng)管、三極管的好壞？怎么判斷結(jié)型場效應(yīng)管的電極？有什么注意事項？如何判別晶體三極管管腳？
2021-05-10 06:36:25
常用場效應(yīng)管及晶體管參數(shù)常用場效應(yīng)管及晶體管參數(shù)場效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
IGBT 是一種功率開關(guān)晶體管，它結(jié)合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點，用于電源和電機(jī)控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡稱為 IGBT，是傳統(tǒng)雙極性晶體管晶體管和場效應(yīng)晶體管的交叉，使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
常用場效應(yīng)管及晶體管參數(shù)
2006-04-18 21:37:48
55 1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管1.4.2 絕緣柵型場效應(yīng)管1.4.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.4.4 場效應(yīng)管與晶體管的比較場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)
2008-07-16 12:52:160 1功率放大器用場效應(yīng)管或雙極型晶體管（以下簡稱晶體管）作前級和后級對信號進(jìn)行放大處理。而采用場效應(yīng)管做的功率放大器，重放的音樂溫暖
2006-04-19 16:29:302889 場效應(yīng)管知識場效應(yīng)晶體管
1.什么叫場效應(yīng)管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)
2008-01-15 10:26:4717463 
場效應(yīng)管與晶體管的區(qū)別
（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效
2009-04-25 15:50:419199 功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小
2009-04-25 16:05:1010824 
功率場效應(yīng)管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:423328 
場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:157511 功率場效應(yīng)管的原理、特點及參數(shù)
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。
一．功率場效應(yīng)管
2009-10-06 22:55:145400 
場效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識2
一、場效應(yīng)管工作原理 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極
2009-11-09 15:40:321773 場效應(yīng)管特性及單端甲類功放的設(shè)計
場效應(yīng)管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點，而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點。場效應(yīng)管具有雙
2009-12-24 17:18:512618 場效應(yīng)管（FET）,場效應(yīng)管（FET）是什么意思
場效應(yīng)管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以
2010-03-01 11:06:0548375 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)
2010-03-04 09:51:031797 如何測試場效應(yīng)管
1、結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別： 場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對
2010-03-04 10:00:2310728 什么是漏極,場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么?
漏極
場效應(yīng)晶體管（Field Effect
2010-03-04 15:35:315868 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:533750 場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 10:06:221113 場效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有如下特點： (1)場效應(yīng)管是電壓控制
2011-09-09 15:52:38412 semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
2017-07-07 10:45:5483088 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。
2017-08-01 17:39:4135266 
semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
2017-10-25 14:11:2965455 
作為和雙極型晶體管三極管對應(yīng)的一種單極型晶體管就是FET場效應(yīng)管，所謂的場效應(yīng)就是利用電場的效應(yīng)來控制器件導(dǎo)通。
2018-03-05 13:57:2510812 
通過輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線來區(qū)分場效應(yīng)管前，首先需要了解一個概念，場效應(yīng)管是壓控型器件，它區(qū)別于雙極型晶體管（流控型器件），場效應(yīng)管工作時柵極一般只需要一個電壓就可以，電流很小或者為零。所以，要實現(xiàn)這點，結(jié)型場效應(yīng)管和MOS型采用不同的辦法實現(xiàn)了這個效果，導(dǎo)致了其特性曲線不同。
2018-09-04 08:00:0076 場效應(yīng)管中，導(dǎo)電過程是多數(shù)載流子的漂移運動，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴(kuò)散運動又有少子的漂移運動。
2019-05-15 16:18:3933089 原件要比晶體管小得多。晶體管就是一個小硅片。但是場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜。場效應(yīng)管的溝道一般是幾個納米，也就是說場效應(yīng)管的“硅片”的制作更加復(fù)雜而且體積要比晶體管小的多。
2019-06-19 16:03:2815833 場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015
2019-07-19 15:05:069524 本文首先將場效應(yīng)管與晶體管進(jìn)行了比較，然后說明了場效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域，最后解釋了場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢。
2019-08-14 14:28:0413751 場效應(yīng)管：FET是Field-Effect-Transistor的縮寫，一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與
2019-08-14 14:27:1522944 場效應(yīng)管中，導(dǎo)電過程是多數(shù)載流子的漂移運動，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴(kuò)散運動又有少子的漂移運動。
2019-09-13 11:04:0020372 功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:3113044 
功率場效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場效應(yīng)管。在實際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0930042 
場效應(yīng)管是電壓控制器件，它是繼三極管之后的新一代放大元件，場效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管，同時又有N溝道和P溝耗盡型之分。
2020-05-01 16:54:003795 
場效應(yīng)晶體管（FET）簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103 除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數(shù)也對電源設(shè)計人員非常重要。許多情況下，設(shè)計人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊上的安全工作區(qū)(SOA)曲
2021-01-07 16:56:474793 場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管的簡稱，由于只能靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此又被稱為單極型晶體管。具有輸入電阻高、噪音小、功率小、容易集成，不會造成二次擊穿的現(xiàn)象，工作范圍廣等特點。
2022-01-12 10:44:205696 場效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。場效應(yīng)管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制，但這都是相對的。
2022-02-10 10:29:5229 稱為“雙極”晶體管，是因為其工作涉及電子和空穴的流動。 因此，它也被稱為“雙極載流子晶體管”。 與場效應(yīng)管的單極晶體管不同，場效應(yīng)管的工作模式只涉及單一類型載流子的漂移效應(yīng)，并且兩個不同的摻雜劑累積區(qū)域
2022-06-12 14:45:154783 稱為“雙極”晶體管，是因為其工作涉及電子和空穴的流動。 因此，它也被稱為“雙極載流子晶體管”。 與場效應(yīng)管的單極晶體管不同，場效應(yīng)管的工作模式只涉及單一類型載流子的漂移效應(yīng)，并且兩個不同的摻雜劑累積區(qū)域
2022-06-17 09:04:109281 今天我們來介紹結(jié)型場效應(yīng)管，它在電路中的應(yīng)用特性是什么樣的。首先，讓我們簡單說說結(jié)型場效應(yīng)管的屬性，它屬于單極型晶體管，跟晶體三極管、雙極型晶體管一樣屬于晶體管。雙極晶體管中的載流子包括電子運動和空穴運動，而在結(jié)型場效應(yīng)管中，只有一種載流子運動，若電子運動為 N溝道，P溝道則是空穴運動。
2022-09-13 14:40:252566 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。
2022-12-20 10:38:115148 場效應(yīng)管屬于什么控制型器件？場效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有如下特點：
2023-02-11 16:16:296306 場效應(yīng)管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓，通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點分為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）、JFET（金屬硅場效應(yīng)管）、IGBT（晶體管場效應(yīng)管）等。
2023-02-17 15:44:056247 雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點。
2023-05-17 15:23:138031 1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一個分支，叫場效應(yīng)管（Field Effect
2023-06-29 09:21:344802 
介紹晶體管和場效應(yīng)管的區(qū)別。 一、晶體管的工作原理 晶體管由三個層（P型、N型、P型或N型、P型、N型）構(gòu)成，也被稱為三極管。它具有一個控制電極、一個輸入電極和一個輸出電極。根據(jù)不同層之間摻雜離子的類型，可以將晶體管分
2023-08-25 15:29:345789 場效應(yīng)管和晶體管的主要區(qū)別 場效應(yīng)管和晶體管是兩種不同的半導(dǎo)體器件，它們的工作原理和應(yīng)用場合各有不同。雖然這兩種器件都屬于半導(dǎo)體器件，但它們在制造、結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有著顯著的區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹
2023-08-25 15:41:367010 不同的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出了不同的特性。本文將詳細(xì)介紹結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別。 首先，結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）是一種三端器件，其基本結(jié)構(gòu)由一根n型或p型半導(dǎo)體材料的兩端之間夾有一層p型或n型材料組成。這個p-n結(jié)被
2023-09-18 18:20:515645 場效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管? 場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar
2023-11-22 16:51:1412122 晶體管和場效應(yīng)管是兩種非常重要的電子控制器件，它們在現(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 一、晶體管 晶體管的工作原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，主要由兩個PN結(jié)組成。根據(jù)PN結(jié)的連接方式，晶體管可以分為
2024-08-01 09:14:481600 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET），又稱場效應(yīng)管，是一種利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電壓控制型半導(dǎo)體器件。它主要由柵極（G）、源極（S）和漏極（D
2024-08-15 15:25:471985 場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT，也稱雙極性結(jié)型晶體管）是兩種在電子電路中廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。盡管它們都具有放大和開關(guān)功能，但在工作原理、結(jié)構(gòu)、性能特點以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在顯著差異。
2024-09-13 16:46:233517 晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 ： 晶體管 ：晶體管（BJT）基于雙極型晶體管的原理，即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。 場效應(yīng)管 ：場效應(yīng)管（FET）基于單極型晶體管的原理，即
2024-12-03 09:42:522013 場效應(yīng)管與晶體管在多個方面存在顯著的區(qū)別，以下是對這兩者的比較： 一、工作原理 場效應(yīng)管 ： 導(dǎo)電過程主要依賴于多數(shù)載流子的漂移運動，因此被稱為單極型晶體管。 通過柵極電壓（uGS）來控制漏極電流
2024-12-09 15:55:143962
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論