可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductor module）。*早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

可控硅模塊又叫晶閘管（Silicon Controlled Rectifier， SCR）。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的。

晶閘管在運行過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，構成可控硅模塊的主線路，可控硅模塊的門極G和陰極K與控制可控硅模塊的設備連接，構成可控硅模塊的控制電路。

可控硅模塊為半控型電力電子元器件，它的運行情況以下：

1.可控硅模塊承擔反方向陽極電壓時，不論門極承擔何種電壓，可控硅模塊都處在反方向阻斷模式。

2.可控硅模塊承擔正方向陽極電壓時，僅在門極承擔正方向電壓的情況下可控硅模塊才導通。這時可控硅模塊處在正向導通模式，這就是可控硅模塊的閘流特性，即可控特性。

3.可控硅模塊在導通情況下，只需有一定的正方向陽極電壓，不論門極電壓如何，可控硅模塊維持導通，即可控硅模塊導通后，門極喪失作用。門極只起觸發(fā)作用。

4.可控硅模塊在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到將近于零時，可控硅模塊斷開。