電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。功率半導(dǎo)體大致可分為功率半導(dǎo)體分立器件（Power Discrete，包括功率模塊）和功率半導(dǎo)體集成電路（Power IC）兩大類，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的結(jié)構(gòu)關(guān)系如圖所示。其中，功率半導(dǎo)體分立器件是指被規(guī)定完成某種基本功能，并且本身在功能上不能再細(xì)分的半導(dǎo)體器件。

分立功率器件是指用于承載高功率信號(hào)的獨(dú)立電子器件。它們可以單獨(dú)使用，也可以與其他分立器件組合使用，以完成特定的功率放大和開關(guān)控制電路。

以下是幾種常見的分立功率器件：

晶體管：晶體管是最常見的功率放大器。它可以用作單極性放大器和雙極性放大器。通常，晶體管有兩種工作方式：飽和和截止。晶體管的優(yōu)點(diǎn)包括高增益、高速度和低噪聲。

MOSFET：MOSFET是一種高性能的功率放大器，通常用于開關(guān)和放大器應(yīng)用。與BJT相比，MOSFET的特點(diǎn)是輸入電阻高、開關(guān)速度快、溫度穩(wěn)定性好、噪聲低。

IGBT：IGBT是一種常用于高功率應(yīng)用的功率開關(guān)器件，具有MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它具有低開通電阻、低飽和電壓、高耐壓和低開關(guān)損耗等特點(diǎn)。

可控硅：可控硅是一種可以控制電流的半導(dǎo)體器件。它具有高噪聲、低響應(yīng)速度、高溫度穩(wěn)定性和高電壓穩(wěn)定性的特點(diǎn)，通常用于交流電源控制、直流電機(jī)控制和照明控制等。

這些分立功率器件在許多應(yīng)用中扮演著重要的角色，它們的性能和特性都有所不同。根據(jù)具體應(yīng)用需求，可以選擇不同的分立功率器件來實(shí)現(xiàn)所需的電路功能。

除了上述常見的分立功率器件，還有一些其他類型的分立功率器件，例如：

雙極型場(chǎng)效應(yīng)管（BJFET）：BJFET是一種高輸入阻抗的放大器。它的工作原理類似于晶體管，但是它的極性與晶體管相反。BJFET的優(yōu)點(diǎn)包括高輸入阻抗、低噪聲、低失真和高溫度穩(wěn)定性。

靜電放電二極管（ESD）：ESD是一種用于防止靜電放電損壞電路的器件。它具有高響應(yīng)速度和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。

二極管陣列：二極管陣列是一種集成多個(gè)二極管的器件。它通常用于限流、瞬態(tài)保護(hù)和反向保護(hù)等應(yīng)用。

電壓調(diào)節(jié)器（VR）：電壓調(diào)節(jié)器是一種用于調(diào)節(jié)電源電壓的器件。它通常用于穩(wěn)定電源輸出電壓、過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)等應(yīng)用。

這些分立功率器件具有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用，可以根據(jù)具體需要進(jìn)行選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，分立功率器件通常需要與其他器件組合使用，以完成特定的功率控制和處理任務(wù)。