美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:092465 
科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161341 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001692 Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 SiC MOSFET在開發(fā)與應用方面，實現(xiàn)了傳統(tǒng)型半導體（Si）實現(xiàn)不了的低損耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級成本
2020-09-24 16:23:17
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅動，增加了系統(tǒng)復雜度，再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本?！ ”疚闹?，將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結合，可提供最佳的性價比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
的正向損耗小?！ ?2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V?！ ?3)碳化硅有高的熱導率
2019-01-11 13:42:03
?！ ≌驅▔航礦F：衡量二極管正向導通性能最重要的參數(shù)，對工程師而言，需要更關注VF與Tj的依賴性關系。這里以基本半導體650V 10A TO-220封裝碳化硅肖特基二極管為例進行說明。 圖（5
2023-02-28 16:55:45
?！ ∠鄬?，硅材料的禁帶寬度較低，在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高，而高的漏電流會造成熱擊穿，這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復二極管 耐壓
2023-02-28 16:34:16
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:48 編輯
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場強度、高電流密度、快速開關速度、低導通電阻和抗輻射性能等獨特特點，在電子器件領域有著
2022-02-17 14:36:16
具有明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導通電阻低，還利用了低內(nèi)感和熱阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的導通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優(yōu)點
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
泛的寬禁帶半導體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導體性能，在各個現(xiàn)代工業(yè)領域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇?！ ≡谠O計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間，能以更低成本實現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實現(xiàn)更高的開關頻率，減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關損耗，極低反向電流 ，無反向恢復電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
模塊的可靠性和耐用性。低電感設計：電感值為6.7 nH，有助于降低系統(tǒng)中的電感效應，提高功率轉換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
2025-06-25 09:13:14
差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC ) 發(fā)布專門用于高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復電流? 溫度無關開關? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動車的電池續(xù)航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應用產(chǎn)品領域逐漸擴散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管。 當T2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠實現(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅MOSFET能簡化高壓輸入隔離DC/DC變換器拓撲且具備高效能、高可靠性等明顯優(yōu)勢，適合應用在中大功率新能源領域。其主要特點如下：碳化硅MOSFET高阻斷電壓（一般大于1000V)能夠簡化拓撲
2016-08-05 14:32:43
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
，導通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關頻率；同時，碳化硅材料更高的熱導率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性，使電力
2023-02-22 16:06:08
12V電氣系統(tǒng)，難以供應較多的大功率設備，而新能源電車的電力平臺可支撐更多的智能設備載荷，但同時對散熱要求就高。 因此，碳化硅封裝基板就是很好的選擇，因為它有超高的熱導率，能及時散去電源系統(tǒng)中的高熱量
2020-12-09 14:15:07
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片?！ 】傊?，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴苛環(huán)境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:181199 東芝公司旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26975 
?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 3A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:190 Analog Devices公司宣布推出可擴展碳化硅（SiC）驅動器參考設計解決方案，其基礎為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅動器。
2017-06-20 14:33:221728 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:179301 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發(fā)更具價格優(yōu)勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
作為碳化硅技術全球領先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應用，提供業(yè)界領先的功率效率。
2020-04-02 15:37:564450 同被稱為第三代半導體材料的氮化鎵（GaN）因其特性，多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領域，而碳化硅（SiC）則主要用在650V以上的高壓功率器件領域。
2020-06-24 15:56:043591 
森國科針對大功率快充推出了兩款碳化硅二極管，賦能高功率密度快充產(chǎn)品。該兩款產(chǎn)品型號為：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A），KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。
2021-03-10 16:24:213243 碳化硅已被證明是高功率和高電壓設備的理想材料。但是，設備的可靠性極其重要，我們不僅指短期可靠性，還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素，但可靠性和堅固性是碳化硅成功的關鍵。全球有 30
2022-08-09 08:02:073141 
由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因為本征載流子激發(fā)導致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場是硅材料和砷化鎵（GaAs）的5~20倍12。這一高極限電場可以用來制造高壓、大功率器件。
2023-02-09 09:47:591092 
下面我們拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件說明。碳化硅 (SiC）二極管采用全新技術，提供比硅材質更勝一籌的開關性能和可靠性。目前主流的能量產(chǎn)而且性能穩(wěn)定的碳化硅二極管電壓為650V
2023-02-21 09:59:542465 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:244172 
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:342338 大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:05:26864 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:21:401182 
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 ? 具備行業(yè)領先的溫控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低溫運行和快速開關，為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。 加利福尼亞州托倫斯2024年6月6日訊 —GaNFast
2024-06-11 15:46:171561 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2024-09-05 11:36:560 在電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，使得碳化硅功率器件在高溫、高頻、大功率應用領域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應用領域以及未來發(fā)展趨勢。
2024-09-13 10:56:421990 
Wolfspeed碳化硅助力實現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
2024-10-24 10:51:362 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
650V碳化硅MOSFET（如BASiC基本股份）在AI服務器電源中的高能效解決方案 一、AI服務器電源的核心需求與挑戰(zhàn) AI服務器電源需滿足高效率、高功率密度、低熱耗散和高可靠性四大核心需求。隨著
2025-02-08 07:56:071203 
SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特點 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作 正向電壓具有正
2025-02-25 17:03:23871 
：SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作 正向電壓
2025-02-25 18:13:42813 
SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻
2025-02-26 16:54:52783 
的電源轉換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流
2025-02-26 17:07:13727 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性
2025-02-26 17:40:46774 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性
2025-02-26 18:01:16854 
/DC轉換器等，滿足多種電子設備的電源轉換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度
2025-02-27 17:32:44805 
、高浪涌電流能力且 100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。這些特性有助于提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開關損耗，還能實現(xiàn)器件并聯(lián)而無熱失控風險。 *附件：SiC SBD-P3D06008G2 650V
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792 
SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 通過 AEC-Q101 認證 TO-220-2 封裝 超快速開關 零反向恢復電流 高頻運行 正向
2025-02-28 17:21:08851 
浪涌電流能力且 100% 經(jīng)過 UIS 測試等特性。符合 RoHS標準，能提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開關損耗，器件并聯(lián)無熱失控風險。 *附件：SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅
2025-02-28 17:52:15813 
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行等特性，正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04900 
隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
2025-05-12 16:06:34898 在電源設計領域，器件的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。今天，我們要深入探討的是安森美（onsemi）的碳化硅（SiC）肖特基二極管NDSH30120CDN，這款器件以其卓越的性能，為電源設計帶來了全新的解決方案。
2025-12-01 15:44:46218 
作為電子工程師，我們在電源設計領域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
在當今電子設備對電源效率、功率密度和可靠性要求日益提高的背景下，碳化硅（SiC）肖特基二極管憑借其卓越的性能，逐漸成為電源設計領域的熱門選擇。本文將詳細介紹安森美（onsemi）的一款40 A
2025-12-05 10:52:49341 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天，我們就來深入剖析安森美（onsemi）的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
2025-12-05 16:54:25908 
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