美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 中國，北京，2018年1月24日訊 - Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布新推出了四個隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布。
2018-01-25 11:04:579079 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱停?b class="flag-6" style="color: red">具有低的導通損耗?！ 〉?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
反向恢復電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
碳化硅肖特基二極管主要特點及產(chǎn)品系列 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見下：原作者：基本半導體
2023-02-28 16:55:45
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開關(guān)損耗比硅快速恢復二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時易于改善EMI?！ ∫韵聹y試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
2020-06-28 17:30:27
％至 97％的系統(tǒng)效率。此外，CoolSiC 肖特基二極管有助于降低導通和恢復損耗。相比純硅設計而言，該器件是實現(xiàn)硬換向的理想器件，損耗可降低 30%。由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統(tǒng)成本，帶來極佳的性價比優(yōu)勢。詳情見附件。。。。。。
2021-03-29 11:00:47
，大多數(shù)硅用于高達250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時甚至低于0.1V。這遠遠低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流 ，無反向恢復電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導地位?！ ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復時間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創(chuàng)能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管。 另一個例子是MiniSKiiP，這是一種無底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設計固定
2023-02-20 16:29:54
， Rgon=Rgoff=10Ω， VGE=15V/0V， L=200uH 圖12 傳統(tǒng)IGBT及混合碳化硅分立器件開關(guān)損耗參數(shù)對比 如圖12所示，碳化硅肖特基二極管對IGBT的損耗和二極管反向恢復損耗
2023-02-28 16:48:24
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來解決。不幸的是，這些方法會導致開關(guān)損耗增加和系統(tǒng)效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時，只需在柵極和源極之間增加一個二極管電壓鉗位即可解決這一難題?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
得到更低柵極開關(guān)驅(qū)動損耗（圖1）.碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復時間trr和反向恢復電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
了第一代和第二代產(chǎn)品的優(yōu)點，采用JBS結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關(guān)損耗?！ D（1）碳化硅二極管
2023-02-28 17:13:35
MDD肖特基二極管具有的優(yōu)勢：肖特基二極管MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復時間使它們非常適合高頻應用，并能最大程度降低開關(guān)損耗。肖特基二極管均具有非常低的正向壓降和比傳統(tǒng)二極管更低的熱
2020-08-28 17:12:29
電場而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。3）碳化硅具有較高的導熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
`<p>淺析肖特基二極管市場目前的發(fā)展形態(tài) 1、不同版本 然而，并非所有的肖特基二極管都一樣。例如，大多數(shù)硅用于高達250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷
2018-11-06 13:48:58
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術(shù)的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
CSD01060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-27 20:10:54
C3D03060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 12:10:17
C3D03060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 12:16:00
C3D04060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 12:23:31
C3D04060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 15:37:47
C3D04060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 15:55:46
C3D06060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 16:04:58
C3D06060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 16:12:24
C3D06060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 16:18:33
C3D08060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 16:25:05
C3D08060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 16:54:16
C3D10060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-28 17:04:18
C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管
2022-05-29 10:32:40
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D02120E好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:25:12
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D02120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:29:57
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D05120E好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:35:42
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D05120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:40:17
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D08120E好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:44:47
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D08120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:48:49
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。E4D10120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-02 18:54:09
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120H好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 14:24:29
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120E好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:14:54
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120D好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:21:10
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D10120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:25:26
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D15120H好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:30:26
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D15120D好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:37:08
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D15120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:43:35
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。E4D20120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:49:31
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。E4D20120D好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 18:54:14
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D20120H好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 19:01:56
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D20120D好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 19:07:00
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D20120A好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 19:12:16
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。E4D20120G好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D30120D好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。C4D40120D好處? 用單極整流器代替雙極? 基本上沒有開關(guān)損耗? 更高的效率
2022-06-03 19:46:36
G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:179301 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:355264 的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。
2018-10-23 11:34:376278 和PPAP能力 – 具有市場上最低的前向壓降（VF），在電動車輛（EV）應用中具有最優(yōu)的效率。主要特性：高效功率轉(zhuǎn)換器（得益于低前向?qū)ê?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗）與雙二極管高功耗集成，降低了PCB尺寸顯著降低了功率
2018-11-20 15:28:071866 碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘
肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復
二極管（SiFRD），
碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:056966 。結(jié)合硅 IGBT 或超結(jié) MOSFET，譬如，在三相系統(tǒng)中用于 Vienna 整流或 PFC 升壓，CoolSiCTM 二極管相比于硅二極管，效率可提高 1% 或以上，PFC 和 DC-DC 級的輸出功率可增加 40% 或以上。除開關(guān)損耗微乎其微之外——這是碳化硅肖特基二極管的標志性特點——第五代 C
2021-01-11 08:00:003 二次側(cè)整流二極管通常使用FRD（快速恢復二極管）和SBD（肖特基勢壘二極管）等，本文提到的基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒有開關(guān)損耗，而且VF具有正向溫度系數(shù)，有利于提高車載充電機實際的效率。
2022-07-26 14:43:341889 碳化硅肖特基功率二極管G4S06510AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 15:10:172 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520H產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:36:530 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520P產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:35:231 碳化硅肖特基功率二極管GRS06501AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 09:55:104 碳化硅二極管具有較短的恢復時間、溫度針對電源開關(guān)個人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關(guān)鍵優(yōu)點取決于它具有極快的電源開關(guān)速率且無反向恢復電流量，與硅元器件對比，它可以大幅度降低開關(guān)損耗并完成非凡的能耗等級。
2023-02-09 10:05:521325 
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:173674 碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40864 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:321819 碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導體器件，具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點，廣泛應用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:004308 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:342338 的優(yōu)點和局限性進行詳盡、詳實、細致的分析。 1. 優(yōu)點： 1.1 高溫穩(wěn)定性：碳化硅具有極高的熱穩(wěn)定性，其耐高溫性能優(yōu)于硅材料。碳化硅二極管的正常工作溫度可達到200-300°C，甚至更高。這使得碳化硅二極管特別適用于高溫環(huán)境下的應用，如航
2023-12-21 11:31:274769 在當今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:291624 SiC（碳化硅）肖特基二極管正逐步取代傳統(tǒng)的FRD（快恢復二極管），成為新一代電力電子設備的核心元件。本文將深入探討這一趨勢背后的原因，并探究BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在性能、效率和應用方面的優(yōu)勢。 BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管
2025-02-06 11:51:051090 
結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象，比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算，僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31753 P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復電流、可高頻運行等特性，正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04900 
近日，知名半導體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產(chǎn)品的推出旨在滿足日益增長的工業(yè)電源應用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創(chuàng)新不僅將
2025-07-15 09:58:39918 
新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二極管1200VCoolSiC1200V肖特基二極管采用TO-247-2封裝，可實現(xiàn)高效緊湊設計，具有增強的魯棒性和可靠性。該產(chǎn)品通過了雪崩測試驗證，電流等級高達
2025-08-07 17:06:13833 
作為電子工程師，我們在電源設計領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
——LSIC2SD065D40CC，看看它有哪些獨特之處，能為我們的設計帶來怎樣的優(yōu)勢。 文件下載： Littelfuse LSIC2SD065D40CC碳化硅肖特基勢壘二極管.pdf 產(chǎn)品概述
2025-12-15 16:10:20275 已全部加載完成
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