MOSFET有三個(gè)極，柵極、源級(jí)和漏極，由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種，共源級(jí)放大電路，共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中，共源級(jí)放大電路用的最多，通常90%一上都是共源級(jí)放大電路，但是在有些場(chǎng)景共柵極和共漏極放大電路有更好的效果。那如何來(lái)區(qū)分三種電路形式呢？
2023-02-16 15:20:22
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MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過(guò)改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MOS管的開(kāi)與關(guān)。漏極D和源極S這兩個(gè)引腳，就相當(dāng)于，開(kāi)關(guān)電路的兩頭，一個(gè)腳連接電源，一個(gè)腳，連接電路的地。
2023-02-27 17:41:2917586 
根據(jù)提問(wèn)者的意思，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？
2023-05-09 09:06:065623 
在各類(lèi)電路圖中，我們經(jīng)常可以看到MOSFET在作開(kāi)關(guān)時(shí)，其漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管，如圖1所示。那么這個(gè)二極管是用來(lái)做什么的？
2023-11-14 16:04:216172 
MOSFET柵極與源極之間加一個(gè)電阻?這個(gè)電阻有什么作用?
2024-12-26 14:01:056179 
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極
2021-01-27 07:59:24
地在MOS管的漏-源穩(wěn)態(tài)截止電壓上，出現(xiàn)電壓尖峰。我的問(wèn)題如下【1】MOS管的漏極就是相當(dāng)于三極管的集電極，為什么要說(shuō)成漏極，漏這個(gè)說(shuō)法我一直不明白？【2】經(jīng)?？梢钥吹秸f(shuō)變壓的漏磁，漏磁通，或者電感的漏感，怎么理解這些定義？【3】上文說(shuō)的，漏磁通下降了，漏感就任然可以釋放儲(chǔ)能，是根據(jù)什么？謝謝
2017-07-22 11:57:00
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中自舉電容如何發(fā)揮作用？為何漏極48V導(dǎo)通后柵極就變成63V了？
2015-07-30 14:49:53
小女子初次進(jìn)入這個(gè)行業(yè)請(qǐng)多多幫忙 ………………不勝感激{:soso_e100:}MOS管漏極與源極并聯(lián)一個(gè)穩(wěn)壓二極管是什么作用？？？上圖中PD3的作用
2011-10-09 14:42:41
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī)，負(fù)載接在漏極端；MOS+運(yùn)放組成的恒流源，負(fù)載也在漏極端。想問(wèn)一下，負(fù)載可以放在源極嗎？?jī)烧哂惺裁磪^(qū)別？
2021-07-08 18:07:57
MOS管在什么情況下流過(guò)連續(xù)漏記電流？在什么情況下流過(guò)脈沖漏極電流？正常用方波脈沖驅(qū)動(dòng)MOS管通斷的話(huà)，流過(guò)MOS管的是連續(xù)漏極電流還是脈沖漏極電流？
2018-08-23 15:30:44
Multisim里單獨(dú)一個(gè)PMOS管什么也不接只給源極加個(gè)電壓，用示波器測(cè)它漏極為什么會(huì)有和源極一樣的電壓
2016-12-03 15:12:13
Pmos關(guān)閉狀態(tài)下，源極輸入5v，漏極空載（斷開(kāi)）的電壓為什么實(shí)測(cè)是4V左右，不是應(yīng)該是0嗎？
2019-12-22 14:04:20
STM8S105 / 103的I / O引腳的“安全”漏極/源極電流是多少？以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 What is 'safe' sink/source current for I/O pins for STM8S105/103
2019-02-19 15:50:27
全橋逆變后接的是容性負(fù)載，全橋的高壓是220v整流的，驅(qū)動(dòng)是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負(fù)載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉(zhuǎn)裂了 是由于負(fù)載引起的過(guò)熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
在使用三極管的時(shí)候，按照top view的圖中，看到三極管的柵極、源級(jí)和漏級(jí)所對(duì)應(yīng)的引腳，但在使用的時(shí)候（參看原理圖和PCB圖）實(shí)際原件按照對(duì)應(yīng)封裝對(duì)應(yīng)引腳連入電路，當(dāng)G和S極調(diào)換連接時(shí)，電路才會(huì)
2015-01-01 15:04:25
，因此，下管的寄生二極管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)具有導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有二級(jí)管的反向恢復(fù)損耗?！ 」β蔒OSFET的寄生參數(shù)模型如圖1所示，其中，G、D、S分別為封裝好的器件外部的柵極、漏極和源極，G1、S1分別為內(nèi)部
2020-12-08 15:35:56
電壓。將這些式子結(jié)合起來(lái)，可得到MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓是漏源電壓的函數(shù)：VGS=-(R2/R1)VDS二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-04-08 11:37:38
什么是集電極開(kāi)路（OC）？什么是漏極開(kāi)路（OD）？
2021-03-10 06:35:21
PLC輸入分為源型和漏型，什么是源型和漏型，是指?jìng)鞲衅鞯木w管類(lèi)型嗎？源型NPN和漏型PNP，還是指信號(hào)流入流出的方向，源極為流出，射極為流入？再或者是指信號(hào)輸出的方式，集電極輸出和射極輸出？電子專(zhuān)業(yè)常說(shuō)的有源指的是什么？什么有源負(fù)載，有源電路的。
2024-01-14 00:29:14
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
我的理解（將漏極d與源極s調(diào)換）：B_VCC是USB供電，為5V。當(dāng)沒(méi)有插入DC接口時(shí)，PSELF接地，則Ugs=-5V，PMOS導(dǎo)通，VCC=B_VCC；當(dāng)插入DC接口時(shí)，PSELF懸空
2018-10-30 19:25:45
。 三、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)： 1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0
2021-05-13 06:13:46
請(qǐng)教各位大蝦，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通后，源極和漏極的電壓是相等的嗎?
2013-07-22 11:40:31
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
反相電壓放大（共發(fā)射極（共源極）電路），輸入電壓（電流）增加，輸出電壓下降。是因?yàn)楣軌航档土?，相?dāng)于管子的電阻小了，電流大了
2012-07-09 17:45:33
求大神幫忙推薦一個(gè)輸入12v電壓的場(chǎng)效應(yīng)管：具體就是漏極與源極之間的電壓為12v，柵極無(wú)輸入電壓時(shí)，源極與漏極截止，當(dāng)柵極輸入電壓時(shí)，源極與漏極導(dǎo)通，求大神推薦一下產(chǎn)品，順便告知一下電阻選用哪個(gè)范圍的？謝謝
2015-08-17 16:07:41
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
在電流鏡像電路中，有時(shí)會(huì)把場(chǎng)效應(yīng)管的源級(jí)接Vcc，漏極接地，那么當(dāng)柵極與漏極相連構(gòu)成電流鏡時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管是怎么導(dǎo)通的？？？？
2018-08-09 17:09:04
兩層電源板，板子設(shè)計(jì)中有4個(gè)MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個(gè)MOSFET管的3個(gè)源級(jí)要過(guò)大電流，所以用銅連接在一起；四個(gè)MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級(jí)和漏極之間（請(qǐng)看圖片），不知道這樣的柵極走線會(huì)不會(huì)受影響？
2018-07-24 16:19:28
FET的小信號(hào)等效模型FET的輸出特性可知，漏極電流Id與漏源電壓和柵源電壓的關(guān)系為
2009-09-16 10:01:286744 共漏極放大電路
共漏極放大電路如圖4-12 所示。由圖可見(jiàn)，共漏極放大電路的直流偏置電路與共源極放大電路完全相同，靜態(tài)工
2009-09-16 10:01:4522031 源極,什么是源極,源極是什么意思
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)
2010-02-26 11:22:008350 什么是漏極,場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么?
漏極
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect
2010-03-04 15:35:315868 什么是漏極開(kāi)路（OD）？ 對(duì)于漏極開(kāi)路（OD）輸出，跟集電極開(kāi)路輸出是十分類(lèi)似的。將上面的三極管換成場(chǎng)效應(yīng)管即可
2010-03-04 15:37:0054078 漏極開(kāi)路（OD)原理說(shuō)解
漏極開(kāi)路（OD)，它與集電極開(kāi)路（OC）是一致的，就是把下圖的三極管改成CMOS管就是了。
2010-03-04 15:38:443951 VMOS管共漏極組態(tài)的驅(qū)動(dòng)要比共源極組態(tài)的驅(qū)動(dòng)困難些，但還是比雙極晶體管共集電極組態(tài)的驅(qū)動(dòng)容易，當(dāng)需要負(fù)載
2010-11-09 16:50:311760 
源極簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電.柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很?。纬闪藘蓚€(gè)PN結(jié)。
2017-11-23 16:20:52301926 
MOSFET有三個(gè)極，柵極、源級(jí)和漏極，由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種，共源級(jí)放大電路，共柵極放大電路和共漏極放大電路。
2019-07-10 14:19:4912907 
FET通過(guò)影響導(dǎo)電溝道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者空穴流）。溝道是由（是否）加在柵極和源極的電壓而創(chuàng)造和影響的（為了討論的簡(jiǎn)便，這默認(rèn)體和源極是相連的）。導(dǎo)電溝道是從源極到漏極的電子流。
2019-07-12 17:50:3313651 
在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個(gè)不對(duì)稱(chēng)的P+N結(jié)。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極（g），在N型半導(dǎo)體的兩端各引出一個(gè)電極。
2019-12-30 09:10:48111903 
測(cè)試三極管或者M(jìn)OS管需要幾臺(tái)源表？搭建方案示意圖？ ①、三極管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在基極與發(fā)射極之間，一臺(tái)加在集電極與發(fā)射極之間；MOS管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在柵極與源極之間，一臺(tái)加在漏極與源極之間；需要使用兩臺(tái)
2020-10-19 15:04:451644 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 8位源極驅(qū)動(dòng)器和864柵極驅(qū)動(dòng)器OTM8019A
2021-08-16 11:31:26
11 1.源極型和漏極型，一般為晶體管型電路，可直接理解為提供/流動(dòng)電流(源極或源極)或吸收/流動(dòng)電流(漏極或匯極)的IO電路。對(duì)于DO來(lái)說(shuō)，PNP晶體管的輸出通常是源極型的，電源已經(jīng)接在輸出模塊內(nèi)部
2021-12-23 17:13:4522098 本次實(shí)驗(yàn)的目的是研究簡(jiǎn)單的NMOS源極跟隨器，有時(shí)也稱(chēng)為共漏極配置。
2022-08-01 10:34:452985 
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531288 上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231162 
在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn)，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會(huì)從源極流入器件。通過(guò)改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
2023-02-21 17:52:553591 MOSFET是一種三端器件，其三個(gè)電極分別是柵極、漏極和源極。在MOSFET中，柵極可以控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。
2023-02-28 17:41:0712388 共源極放大器電路的原理是將信號(hào)引入放大管的柵極，放大管的漏極作為輸出端，同時(shí)在漏極與源極之間接入一個(gè)負(fù)載電阻。當(dāng)信號(hào)經(jīng)過(guò)柵極輸入后，放大管的漏極會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓信號(hào)，這個(gè)信號(hào)經(jīng)過(guò)負(fù)載電阻之后就成為放大后的信號(hào)輸出。
2023-06-01 11:37:392101 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn) ?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和 MOSFET 寄生電容的諧振引起的。 ?在實(shí)際的版圖設(shè)計(jì)中，很多情況下無(wú)法設(shè)計(jì)出可將線路電感降至最低的布局，此時(shí)，盡可能在開(kāi)關(guān)器件的附近配備
2023-06-21 08:35:021466 
開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式
2023-06-29 15:22:022215 
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)，而放電則會(huì)使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:073881 
mos管
源極和
漏極的區(qū)別? MOSFET，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種晶體管，其目的是通過(guò)改變其
柵極和
源極端子之間的電勢(shì)差來(lái)控制電子電路內(nèi)的電流流動(dòng)。MOSFET在電子領(lǐng)域很受歡迎，因?yàn)?/div>
2023-08-25 14:49:588284 源極跟隨器就是源極跟隨輸入信號(hào)（柵極電位）動(dòng)作的電路。它的輸出阻抗很低，可以用于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載/低阻抗負(fù)載的驅(qū)動(dòng)，
2023-08-31 10:28:094802 
在之前章節(jié)的源極接地放大電路中，輸出是從FET的漏極得到，因此源極電阻Rs的壓降，對(duì)于輸出而言是無(wú)異議的，屬于無(wú)功損耗。
2023-08-31 10:28:453846 
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有三個(gè)主要電極，分別是柵極（Gate）、漏極（Source）和源極（Drain）。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下
2023-09-18 12:42:5541692 為什么共漏級(jí)又稱(chēng)為源極跟隨器、電壓緩沖器？共源共柵級(jí)又稱(chēng)為電流緩沖器？? 共漏級(jí)、共源共柵級(jí)等是電子電路中常見(jiàn)的兩種基本放大電路，它們最常見(jiàn)的應(yīng)用是作為電壓或電流緩沖器。在這篇文章中，我們將詳細(xì)介紹
2023-09-21 15:52:234728 為什么MOS管柵極和漏極相連稱(chēng)為叫二極管連接呢？ MOS管是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，近年來(lái)廣泛應(yīng)用于各種電路中。在MOS管的使用中，我們常常會(huì)用到“二極管連接”的概念，即將MOS管的柵極和漏極相連
2023-09-21 15:55:4613011 什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:4525005 （gate）和漏極（drain）組成。 首先，我們可以通過(guò)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)來(lái)區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。以下是一個(gè)簡(jiǎn)單的方法： 1. 外觀形狀：一般來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是通過(guò)外部引腳連接的，而柵極則是一個(gè)獨(dú)立的引腳。通過(guò)觀察引腳布局，我們可以初步確定三個(gè)電極。 2. 數(shù)據(jù)手冊(cè)：查
2023-11-21 16:05:233910 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:571015 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171187 
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？ 大部分情況下，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓（G極）不會(huì)大于漏極電壓（D極）。這是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)改變柵極與漏極之間的電場(chǎng)來(lái)控制漏極電流
2023-11-23 09:13:453095 源極和漏極的區(qū)別? 源極和漏極是晶體管中的兩個(gè)重要極，它們?cè)诰w管的工作過(guò)程中起著關(guān)鍵作用。源極與漏極之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：電流流向、電位關(guān)系、電壓控制、功率損耗和應(yīng)用場(chǎng)景。 首先，源極
2023-12-07 15:48:198948 MOS管是一種常用的功率開(kāi)關(guān)元件，具有三個(gè)引腳：柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。根據(jù)柵極和源極之間的電壓，MOS管可以在導(dǎo)通和截止之間進(jìn)行切換。那么，如何區(qū)分MOS管的正負(fù)極呢？下面我將詳細(xì)介紹
2023-12-15 13:41:247911 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種廣泛應(yīng)用在電子電路中的半導(dǎo)體器件，它有三個(gè)引腳：源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。這三個(gè)引腳的區(qū)分對(duì)于正確使用MOSFET至關(guān)重要。本文將
2023-12-28 15:22:179420 
MOS芯片是一種常見(jiàn)的電子器件，其中MOS管（MOSFET）是一種常用的三端器件，包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。了解MOS管的源極、漏極和柵極的位置以及如何判斷它們
2024-01-10 15:34:2510146 源極跟隨器的基本結(jié)構(gòu)包括一個(gè)NPN晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管的晶體管（BJT或FET）和負(fù)載電阻。輸入信號(hào)作用在晶體管的基極或柵極上，而輸出信號(hào)則從晶體管的源極（對(duì)于BJT）或漏極（對(duì)于FET）處獲得。
2024-01-11 15:10:3912244 
極（Gate極）、一個(gè)隔離的絕緣層和P型或N型的半導(dǎo)體材料組成。這兩個(gè)區(qū)域分別稱(chēng)為漏區(qū)（Drain Region）和源區(qū)（Source Region）。 MOSFET的工作原理依賴(lài)于柵極對(duì)漏極和
2024-01-31 13:39:453609 （Source, S）和漏極（Drain, D）是兩個(gè)關(guān)鍵的電極，它們與柵極（Gate, G）共同構(gòu)成了MOS管的基本結(jié)構(gòu)。以下是對(duì)MOS管源極和漏極的詳細(xì)解釋?zhuān)ㄋ鼈兊亩x、功能、以及在電路中的作用。
2024-07-23 14:21:2113874 在探討晶體管的漏極（Drain）與源極（Source）的區(qū)別時(shí)，我們首先需要明確晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理。晶體管，尤其是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），是一種通過(guò)控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的電子器件。在FET中，漏極和源極是兩個(gè)重要的電極，它們?cè)陔娐分邪缪葜煌慕巧?，并具有顯著的區(qū)別。
2024-08-13 17:16:2112262 一、柵極驅(qū)動(dòng)IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色，它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 ： 柵極驅(qū)動(dòng)IC ：柵極驅(qū)動(dòng)IC是一種專(zhuān)門(mén)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物
2024-10-07 16:20:002470 通過(guò)以下幾個(gè)方面來(lái)解釋?zhuān)?1. MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由四個(gè)主要部分組成：源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）。在n型MOSFET中，襯底和源極、漏極通常摻雜為n型，而柵極則通過(guò)氧化層與襯底隔離。在p型MOSFET中，情況則相
2024-09-18 09:52:333753 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的連續(xù)漏極電流是指在MOS管連續(xù)工作狀態(tài)下，從漏極流向源極
2024-09-18 09:56:105773 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它在電子電路中扮演著開(kāi)關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個(gè)主要部分組成：源極（Source）、漏極（Drain）、柵極
2024-09-18 09:58:133292 五極管，也稱(chēng)為五極真空管或五極電子管，是一種在電子學(xué)和無(wú)線電工程中使用的電子管。它由五個(gè)電極組成：陰極（cathode）、控制柵極（control grid）、簾柵極（screen grid）、陽(yáng)極
2024-09-24 14:34:202723 本文介紹了FinFet Process Flow-源漏極是怎樣形成的。 在FinFET制造工藝中，當(dāng)完成偽柵極結(jié)構(gòu)后，接下來(lái)的關(guān)鍵步驟是形成源漏極（Source/Drain）。這一階段對(duì)于確保器件
2025-01-17 11:00:482773 
柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類(lèi)似于“開(kāi)關(guān)”，通過(guò)施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202750 
當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí)，可能導(dǎo)致電路失控，產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此，必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:001936 
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