據(jù)TechCrunch網(wǎng)站報(bào)道，碳納米管屬于一種超級(jí)材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物，它有包括從超級(jí)計(jì)算機(jī)到效能比更高的智能手機(jī)在內(nèi)的許多夢(mèng)幻般應(yīng)用。問(wèn)題是，它們不容易制造，推出商業(yè)化碳納米管產(chǎn)品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:07
2131 達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:5313533 
:56～58）發(fā)現(xiàn)的新材料，是石墨化的碳原子卷曲而成的納米級(jí)無(wú)縫中空管狀結(jié)構(gòu)。碳納米管的物理結(jié)構(gòu)就決定了，碳納米管具有多種優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)和電學(xué)性能。例如，碳納米管的導(dǎo)熱性是銅的5倍，拉伸強(qiáng)度達(dá)到50
2023-07-19 13:35:502229 
通。晶體管導(dǎo)通時(shí)，開(kāi)關(guān)就導(dǎo)通，并且允許電流通過(guò)該管。晶體管開(kāi)關(guān)工作方式的電路通常采用集電極開(kāi)路的連接方式晶體管作為電子開(kāi)關(guān)使用時(shí)，能夠?qū)Ρ豢貙?duì)象進(jìn)行控制，諸如LED、電動(dòng)機(jī)、繼電器線圈等。應(yīng)為此時(shí)晶體管
2017-03-28 15:54:24
管的E極接A點(diǎn)，C極接B點(diǎn)；NPN管的E有接B點(diǎn)，C極接A點(diǎn)）后，調(diào)節(jié)電源電壓，當(dāng)發(fā)光二極管LED點(diǎn)亮?xí)r，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購(gòu)平臺(tái)
2012-04-26 17:06:32
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)
2018-11-28 14:29:28
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點(diǎn)如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時(shí)間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開(kāi)發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-07-23 00:07:18
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點(diǎn)如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時(shí)間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開(kāi)發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-05-05 00:52:40
變化的β倍， 也就是說(shuō)，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠(yuǎn)大于1）。如果我們?cè)诨鶚O和發(fā)射極之間增加一個(gè)變化的小信號(hào)，它會(huì)導(dǎo)致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會(huì)導(dǎo)致
2023-02-08 15:19:23
發(fā)射極始終偏置為負(fù)，因此基極和發(fā)射極（VBE）之間的電壓現(xiàn)在在基極為負(fù)，在發(fā)射極為正。此外，發(fā)射極電源電壓相對(duì)于集電極（VCE）為正。因此，要使PNP晶體管導(dǎo)通，發(fā)射極必須始終比基極和集電極更正。如圖所示
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點(diǎn)上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動(dòng)上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開(kāi)亮相。馬博還演示
2017-09-22 11:08:53
步驟造成的損壞，并且可以使用成熟的二氧化硅材料和工具來(lái)構(gòu)建。
由于現(xiàn)在的壁厚為 15 納米，這可能會(huì)影響晶體管密度，因?yàn)橥獗诓嫫骷?b class="flag-6" style="color: red">比內(nèi)壁叉片晶體管更大。然而，外壁叉片晶體管提供的可制造性和性能優(yōu)勢(shì)
2025-06-20 10:40:07
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對(duì)一個(gè)研究項(xiàng)目進(jìn)行合作，共同開(kāi)發(fā)基于酶涂層碳納米管
2018-11-19 15:20:44
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的晶體管。隨著半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)的發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度越來(lái)越高。以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為例，其集成度正以每?jī)赡杲?b class="flag-6" style="color: red">倍的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)單電子晶體管將是最終目標(biāo)。目前，平均存儲(chǔ)器包含
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過(guò)渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
功率設(shè)計(jì)通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅(qū)動(dòng)螺線管、發(fā)光二極管 （LED） 顯示器和其他小負(fù)載?！ ∨c使用標(biāo)準(zhǔn)單晶體管相比，達(dá)林頓晶體管設(shè)計(jì)具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)。該對(duì)中每個(gè)晶體管的增益相乘，從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
CN5711是一款電流調(diào)制集成電路，恒定輸出電流可達(dá)1.5A，可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)包括白色發(fā)光二極管在內(nèi)的各類發(fā)光二極管。CN5711的LED端電流通過(guò)一個(gè)外部的電阻設(shè)置，電流范圍為30mA到1.5A。芯片
2015-05-06 17:16:52
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計(jì)算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動(dòng)性更強(qiáng)的新材料來(lái)替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過(guò)這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長(zhǎng)度
2011-12-08 00:01:44
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，LLC初級(jí)側(cè)電流ILr由次級(jí)側(cè)電流除以變壓器匝數(shù)比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會(huì)傳遞到輸出端，而是需要對(duì)晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內(nèi)和繞組間電容的組合放電，從而實(shí)現(xiàn)晶體管導(dǎo)通的零
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
用IBM43RF0100EV評(píng)估板評(píng)估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST進(jìn)行仿真，結(jié)果表明納米管束比單根納米管的天線效率提高了30-40dB，文中把納米管束作為電導(dǎo)率與納米管根數(shù)成正比的單根天線來(lái)研究，在理論上不夠準(zhǔn)確，而且鑒于納米管束的尺寸，采用中點(diǎn)饋電
2019-05-28 07:58:57
用。（2）橫向PNP管： 這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運(yùn)動(dòng)的，故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制，基區(qū)寬度不可能很小，所以它的值相對(duì)較低，一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點(diǎn)
2019-04-30 06:00:00
采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑，用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜，測(cè)試其場(chǎng)發(fā)射特性，并與未經(jīng)處理的碳納米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 隨著對(duì)碳納米管研究的不斷深入，對(duì)碳納米管的應(yīng)用研究越來(lái)越受到人們的重視。通過(guò)分析碳納米管的物理特性，對(duì)碳納米管的應(yīng)用前景進(jìn)行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:1813 文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進(jìn)展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點(diǎn)地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652 英飛凌科技公司（Infineon），設(shè)在慕尼黑的實(shí)驗(yàn)室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開(kāi)發(fā)出全球最小的納米晶體管，其溝槽長(zhǎng)度僅為18納米，幾乎是當(dāng)前最先進(jìn)的晶
2006-03-11 22:10:391263
如何測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比
2009-08-12 11:44:511924 
晶體管（transistor）
4
5納米工藝的四核處理器已能容納8億個(gè)晶體管
2009-11-05 10:34:251669 愛(ài)爾蘭科學(xué)家開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管
愛(ài)爾蘭丁鐸爾國(guó)家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱此項(xiàng)發(fā)明對(duì)10nm級(jí)別制程意義重大
2010-02-24 10:08:25839 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 4月8日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，本周四IBM向媒體展示了其最快的石墨烯晶體管，該產(chǎn)品每秒能執(zhí)行1550億個(gè)循環(huán)操作，比之前的試驗(yàn)用晶體管快50%。
2011-04-08 09:32:42981 對(duì)碳納米管陰極的制備以及場(chǎng)發(fā)射顯示器的真空封裝技術(shù)進(jìn)行了研究.利用一種新的碳納米管生長(zhǎng)工藝制備出了具有優(yōu)良場(chǎng)發(fā)射性能的碳納米管陰極.并將這種直接生長(zhǎng)的碳納米管薄膜作
2011-04-19 12:24:2542 碳納米管具有一些獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:0662 Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個(gè)微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401712 來(lái)自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國(guó)普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個(gè)10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241252 
藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們?cè)俅握故玖怂麄冃酆竦目蒲袑?shí)力：歷史上第一次，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬(wàn)多個(gè)碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過(guò)了可行性測(cè)
2012-10-29 11:44:488434 根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個(gè)芯片上集成了上萬(wàn)個(gè)9nm制程工藝的晶體管，相信大家對(duì)于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來(lái)越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:184009 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管，新的晶體管通過(guò)材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來(lái)讓電流通過(guò)，速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:443549 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:308361 斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會(huì)走到道路的盡頭。晶體管越做越小，以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來(lái)展示硅的特性。
2013-02-28 09:34:492328 米特拉表示，“如果利用碳
納米管晶體管取代硅
晶體管，效能
比可提高1000
倍?！?/div>
2016-08-22 14:03:541290 IBM 的研究人員已經(jīng)找到了如何使用碳納米管制造微型芯片的方法，這一成果可以讓我們制造更強(qiáng)的芯片，使得曲面電腦、可注射芯片成為可能。
2016-11-17 13:51:401393 IBM在美國(guó)舉行的IEEE國(guó)際電子組件會(huì)議（IEDM，12月3~7日）上展示納米等級(jí)組件的熱圖（heat-maps）；該公司采用了一種新方法，能更精確地量測(cè)次14納米世代晶體管溫度──藉由先測(cè)量一個(gè)
2016-12-07 11:22:43675 金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點(diǎn)。用其分散出來(lái)的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點(diǎn)，能夠更好的滿足動(dòng)力電池對(duì)安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:525110 
目前碳納米管的制備方法主要有三種，分別是弧光放電法，激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實(shí)驗(yàn)樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0012878 
在Nano Letters雜志描述的研究中，Barron和他的團(tuán)隊(duì)在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后，對(duì)多壁碳納米管和單壁碳納米管進(jìn)行了艱苦的阻力測(cè)量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多，阻力測(cè)量值越準(zhǔn)確和一致。
2018-03-09 15:41:345001 經(jīng)多年研發(fā)，趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù)，進(jìn)一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點(diǎn)于一身：1、是陳列式的碳納米管，蓬松易分散；2
2018-08-21 17:15:3210351 
文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能，綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況，在此基礎(chǔ)上，分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過(guò)程中的純化、分散、損傷和界面等問(wèn)題，并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢(shì)。
2018-12-13 08:00:008 MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個(gè)完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成，擁有14000多個(gè)晶體管，基于RISC-V架構(gòu)，可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:291575 以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進(jìn)微電子器件中硅晶體管的替代品，顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級(jí)缺陷和可變性，以及處理它們面臨的挑戰(zhàn)，阻礙了它們?cè)谖㈦娮宇I(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:008089 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個(gè)22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 EPFL研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運(yùn)行速度也比目前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。他們發(fā)明的納米級(jí)設(shè)備能夠產(chǎn)生高功率太赫茲波。
2020-03-28 14:12:202865 EPFL研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運(yùn)行速度也比目前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
2020-03-28 22:35:282961 EPFL研究員開(kāi)發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍器件，并且新設(shè)備在運(yùn)行速度上也比當(dāng)前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
2020-04-02 11:55:352769 納米光子學(xué)領(lǐng)域的研究人員一直在努力開(kāi)發(fā)光學(xué)晶體管，這是未來(lái)光學(xué)計(jì)算機(jī)的關(guān)鍵組件。
2020-04-12 17:35:322869 1、晶體管的選型：根據(jù)負(fù)載電流、負(fù)載電源電壓來(lái)確定具體晶體管型號(hào)，需要保證 Ic負(fù)載電流，Vceo負(fù)載電壓，Vcbo負(fù)載電壓 2、確定偏置電阻：基極電流大于1/倍，晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，而這個(gè)基極電流
2020-05-26 08:07:385625 
通過(guò)使用與制造硅基晶體管相同的設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)這種快速生產(chǎn)。碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CNFET）比當(dāng)前的硅芯片具有更高的能源效率，可用于制造新型的三維處理器，但是由于制造方面的限制，迄今為止它們大多
2020-06-11 15:04:283216 圖1 中所示倍壓器用晶體管代替二極管，所以比圖2中的常規(guī)倍壓器具有更好的倍壓性能。常規(guī)倍壓器的輸出電壓可以表示為VOUTDC=2VINAC–2VD，其中VOUTDC 為輸出直流電壓，VINAC 為
2020-08-13 10:59:34787 
但是，這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 333.33，幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。 換而言之，這種技術(shù)能在指甲蓋大?。?50mm）的芯片上安裝500億個(gè)晶體管。相比于7nm芯片，這種
2021-05-19 17:38:155143 
使用碳納米管作為溝道材料，并使用離子凝膠作為柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可承受高強(qiáng)度的輻射，在輻射損壞后，并且可以經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單的工藝恢復(fù)。
2020-11-04 15:22:222778 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對(duì)于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時(shí)至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:132363 研究人員尋求通過(guò)在納米管和晶體管柵極之間，使用更薄的絕緣體來(lái)更好地控制碳納米晶體管。 ? 在 近日的IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)會(huì)議上，碳納米管期間
2021-01-16 09:40:083366 過(guò)時(shí)。IBM?在 2021?年就證明了這一點(diǎn)，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場(chǎng)。這個(gè)新的制造時(shí)代得益于減少芯片納米的競(jìng)賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度是10納米，而且隨著最新研究，頂級(jí)公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機(jī)遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361999 溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會(huì)自團(tuán)聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:103471 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，日本電氣（NEC Corporation）近日宣布，其成功開(kāi)發(fā)出了世界上首款采用高純度半導(dǎo)體碳納米管（CNT）的高靈敏度非制冷紅外圖像傳感器。
2023-04-21 09:21:352125 ? 近日，北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì) 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù)，目前該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:181860 
隨著科技的進(jìn)步，碳納米管（Carbon Nanotubes，CNT）已經(jīng)逐漸引領(lǐng)鋰電池領(lǐng)域的革新浪潮。傳統(tǒng)導(dǎo)電劑的替代者，碳納米管以其卓越的性能特點(diǎn)，包括優(yōu)異的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能、阻酸抗氧化性、低阻抗等
2023-10-27 17:41:235386 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開(kāi)發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206 IBM突破性研發(fā)的納米片晶體管，通過(guò)將硅通道薄化切割為納米級(jí)別的薄片，再用柵極全方位圍繞，實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)控電。此結(jié)構(gòu)使得在指甲蓋大小空間內(nèi)可容納最多達(dá)500億個(gè)晶體管，并且經(jīng)過(guò)液氮冷卻處理，其性能飆升至原本的兩倍之多。
2023-12-26 14:55:071245 研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)將摻雜僅僅局限在延伸部分，而在通道保持未摻雜的狀態(tài)，憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:321824 
晶體管光耦是一款由發(fā)光二極管和光電晶體管組成的光電耦合器，通過(guò)光電效應(yīng)和晶體管放大特性，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的光學(xué)隔離與傳輸、確保信號(hào)穩(wěn)定可靠。
2024-08-27 09:23:201045 
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 。碳納米管的長(zhǎng)徑比、碳純度作為影響導(dǎo)電性的兩個(gè)核心指標(biāo)，直接決定了碳納米管的產(chǎn)品性能，碳納米管管徑越細(xì)，長(zhǎng)度越長(zhǎng)，導(dǎo)電性能越好。 CNT具有突出的多方面性能：1）力學(xué)性能：具有極高的彈性和韌性，楊氏模量是鋼的近6倍、抗拉強(qiáng)度是鋼
2024-12-03 17:11:535424 
碳納米管與石墨烯的比較 碳納米管和石墨烯都是碳的同素異形體，它們具有獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，并在許多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是兩者的主要區(qū)別： 碳納米管 石墨烯 結(jié)構(gòu) 中空管狀結(jié)構(gòu)，分為單壁和多
2024-12-11 18:05:446303 碳納米管的導(dǎo)電性能介紹 1. 碳納米管的結(jié)構(gòu)特性 碳納米管的結(jié)構(gòu)可以看作是石墨烯（單層碳原子構(gòu)成的二維材料）卷曲而成的一維結(jié)構(gòu)。根據(jù)卷曲的方式不同，碳納米管可以分為扶手椅型、鋸齒型和手性碳納米管
2024-12-12 09:07:023993 碳納米管的結(jié)構(gòu)與特性解析 1. 結(jié)構(gòu)概述 碳納米管（Carbon Nanotubes，簡(jiǎn)稱CNTs）是一種由碳原子組成的納米級(jí)管狀結(jié)構(gòu)材料，具有獨(dú)特的一維納米結(jié)構(gòu)。它們可以看作是石墨烯（單層碳原子
2024-12-12 09:09:515899 碳納米管在光電器件中的應(yīng)用 碳納米管在光電器件中具有廣泛的應(yīng)用，這主要得益于其優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性能。以下是一些具體的應(yīng)用實(shí)例： 光電轉(zhuǎn)換器件 ：碳納米管可以作為理想的光電轉(zhuǎn)換器件材料。研究者曾利用
2024-12-12 09:12:531635 器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件：晶體管光耦通常包含一個(gè)發(fā)光二極管（LED）作為光源。當(dāng)電流通過(guò)LED時(shí)，它會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。2.光敏器件：光耦的另一側(cè)是一個(gè)
2025-06-20 15:15:49732 
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