電路中存在模擬和數(shù)字電源，需要加入電感和電容組成去耦電路。STM32中有3組VDD／VSS管腳，有1組VDDA／VSSA管腳。盡管所有的VDD和所有VSS在內(nèi)部相連，在芯片外部仍然需要連接所有的VDD和VSS。由于導(dǎo)線較細(xì)，內(nèi)部連接負(fù)載能力較差，抗干擾的能力也較差，如果漏接VDD／VSS，容易造成線路損壞，同時(shí)抗干擾能力也會(huì)下降。因此每對(duì)VDD與VSS都必須在盡可能靠近芯片處分別放置一個(gè)100nF的高頻瓷介電容，在靠近VDD3和VSS3的地方放置一個(gè)4．7μF的瓷介電容。VDDA為所有的模擬電路部分供電，包括ADC模塊、復(fù)位電路等，即使不使用ADC功能，也需要連接VDDA。建議VDD和VDDA使用同一個(gè)電源供電。VDD與VDDA之間的電壓差不能超300mV。VDD與VDDA應(yīng)該同時(shí)上電或調(diào)電。模擬電源與數(shù)字電源隔離去耦電路如圖3所示。

圖3 ?模擬電源與數(shù)字電源隔離去耦電路

1．2、復(fù)位電路

復(fù)位電路為低電平復(fù)位、上電復(fù)位。

1．3、啟動(dòng)模式

在STM32F103C8T6中，提供了BOOT0和BOOT1兩個(gè)管腳用于三種啟動(dòng)模式選擇。本系統(tǒng)采用從用戶閃存啟動(dòng)。三種啟動(dòng)模式對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)介質(zhì)均是芯片內(nèi)置的，它們是：

1）用戶閃存：即芯片內(nèi)置的Flash；

2）SRAM：芯片內(nèi)置的RAM區(qū)，即內(nèi)存；

3）系統(tǒng)存儲(chǔ)器：芯片內(nèi)部一塊特定的區(qū)域，芯片出廠時(shí)在這個(gè)區(qū)域預(yù)置了一段Bootloader，就是通常說(shuō)的ISP程序。這個(gè)區(qū)域的內(nèi)容在芯片出廠后不能夠修改或擦除，它是一個(gè)ROM區(qū)。

BOOT0和BOOT1兩個(gè)管腳在芯片復(fù)位時(shí)的電平狀態(tài)決定了芯片復(fù)位后從哪個(gè)區(qū)域開(kāi)始啟動(dòng)，啟動(dòng)模式配置如表1所示。

表1 ? 啟動(dòng)模式配置

通過(guò)設(shè)置BOOT0和BOOT1兩個(gè)管腳，不同啟動(dòng)模式對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器物理地址被映像到第0塊（啟動(dòng)區(qū)）。即使模塊存儲(chǔ)區(qū)映像為啟動(dòng)區(qū)，仍然可以在其原先的存儲(chǔ)空間地址內(nèi)訪問(wèn)相關(guān)的存儲(chǔ)單元。

2、串口通信設(shè)計(jì)與調(diào)試

2．1、串口通信的設(shè)計(jì)

串口通信是系統(tǒng)與PC機(jī)交互的重要部分。STM32F103C8T6內(nèi)置3個(gè)USART，完全支持RS232協(xié)議，且有很高的傳輸速率。本系統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換芯片選用兼容3．3V供電的MAX3232ESE，可同時(shí)完成發(fā)送和接收轉(zhuǎn)換雙重功能。串口通信電路如圖5所示。

圖5 ?串口通信電路