在半導(dǎo)體測(cè)試載板研發(fā)精度要求嚴(yán)苛、迭代節(jié)奏加快的背景下，仿真技術(shù)成為提升設(shè)計(jì)可靠性的關(guān)鍵。上海季豐電子仿真部門，核心聚焦硬件研發(fā)部門需求——專攻CP載板、Loadboard、HTOL Board
2026-01-05 14:03:58
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原子級(jí)潔凈的半導(dǎo)體工藝核心在于通過多維度技術(shù)協(xié)同，實(shí)現(xiàn)材料去除精度控制在埃米（?）量級(jí)，同時(shí)確保表面無殘留、無損傷。以下是關(guān)鍵要素的系統(tǒng)性解析：一、原子層級(jí)精準(zhǔn)刻蝕選擇性化學(xué)腐蝕利用氟基氣體（如CF?、C?F?）與硅基材料的特異性反應(yīng)，通過調(diào)節(jié)等離子體密度（>1012/cm3）和偏壓功率（
2026-01-04 11:39:3839 
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓清洗機(jī)濕法制程設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。以下是關(guān)于晶圓清洗機(jī)濕法制程設(shè)備的介紹：分類單片清洗機(jī)：采用兆聲波、高壓噴淋或旋轉(zhuǎn)刷洗技術(shù)，針對(duì)納米級(jí)顆粒物進(jìn)行去除。批量式清洗
2025-12-29 13:27:19204 本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2025-12-26 15:05:13448 
在半導(dǎo)體制造邁向先進(jìn)制程的今天，濕法清洗技術(shù)作為保障芯片良率的核心環(huán)節(jié)，其重要性愈發(fā)凸顯。RCA濕法清洗設(shè)備憑借其成熟的工藝體系與高潔凈度表現(xiàn)，已成為全球半導(dǎo)體廠商的首選方案。本文將從設(shè)備工藝
2025-12-24 10:39:08135 SPM（硫酸-過氧化氫混合液）清洗是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗工藝，主要用于去除晶圓表面的有機(jī)物、光刻膠殘留及金屬污染。以下是SPM清洗的標(biāo)準(zhǔn)化步驟及技術(shù)要點(diǎn)：一、溶液配制配比與成分典型體積比
2025-12-15 13:23:26392 
襯底清洗是半導(dǎo)體制造、LED外延生長等工藝中的關(guān)鍵步驟，其目的是去除襯底表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化層等），確保后續(xù)薄膜沉積或器件加工的質(zhì)量。以下是常見的襯底清洗方法及適用場景：一
2025-12-10 13:45:30323 
濕法蝕刻的最佳刻蝕條件需綜合溶液體系、溫度控制、時(shí)間管理及材料特性等因素，具體如下： 溶液體系與濃度 氫氟酸緩沖體系（BOE）：采用HF:NH?F:H?O=6:1:1的體積比配置，pH值控制在3-5
2025-11-11 10:28:48269 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 在半導(dǎo)體行業(yè)，光刻（Photo）工藝技術(shù)就像一位技藝高超的藝術(shù)家，負(fù)責(zé)將復(fù)雜的電路圖案從掩模轉(zhuǎn)印到光滑的半導(dǎo)體晶圓上。作為制造過
2025-11-10 09:27:481750 
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量儀器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段，具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)：高選擇性與精準(zhǔn)保護(hù)通過選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件，濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)目標(biāo)材料的高效去除，同時(shí)極大限度地減少對(duì)非目標(biāo)區(qū)域（如掩膜
2025-10-27 11:20:38369 
在半導(dǎo)體濕法腐蝕工藝中，選擇合適的掩模圖形以控制腐蝕區(qū)域是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是一些重要的考慮因素和方法： 明確設(shè)計(jì)目標(biāo)與精度要求 根據(jù)器件的功能需求確定所需形成的微觀結(jié)構(gòu)形狀、尺寸及位置精度。例如
2025-10-27 11:03:53312 光纖耦合半導(dǎo)體激光器屹持光子信息科技(上海)有限公司光纖耦合半導(dǎo)體激光模塊集合了半導(dǎo)體激光器，單模光纖耦合，優(yōu)質(zhì)的光學(xué)傳導(dǎo)和整形裝置，完善精準(zhǔn)的電子控制裝置，和牢固的模塊化封裝，提供從紫外到近紅外
2025-10-23 14:22:45
MONOPOWER半導(dǎo)體泵浦連續(xù)激光器產(chǎn)品特性：連續(xù)波：藍(lán)光（473nm） 紅光（671nm） 綠光（532nm） 紅外光（1047, 1053, 1062 and 1064 nm ）新穎單模專利
2025-10-23 14:11:50
當(dāng)前全球半導(dǎo)體工藝水平已進(jìn)入納米級(jí)突破階段，各大廠商在制程節(jié)點(diǎn)、材料創(chuàng)新、封裝技術(shù)和能效優(yōu)化等方面展開激烈競爭。以下是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平的詳細(xì)介紹： 一、制程工藝突破 英特爾18A（約
2025-10-15 13:58:161415 精準(zhǔn)洞察，卓越測(cè)量---BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)
原創(chuàng) 一覺睡到童年 陜西博微電通科技
2025年09月25日 19:08 陜西
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，每一顆微小的半導(dǎo)體
2025-10-10 10:35:17
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點(diǎn)及其實(shí)現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過程。常用酸性溶液
2025-09-25 13:59:25951 
濕法去膠工藝中出現(xiàn)化學(xué)殘留的原因復(fù)雜多樣，涉及化學(xué)反應(yīng)、工藝參數(shù)、設(shè)備性能及材料特性等多方面因素。以下是具體分析：化學(xué)反應(yīng)不完全或副產(chǎn)物生成溶劑選擇不當(dāng)：若使用的化學(xué)試劑與光刻膠成分不匹配（如堿性
2025-09-23 11:10:12497 
硅片濕法清洗工藝雖然在半導(dǎo)體制造中廣泛應(yīng)用，但其存在一些固有缺陷和局限性，具體如下：顆粒殘留與再沉積風(fēng)險(xiǎn)來源復(fù)雜多樣：清洗液本身可能含有雜質(zhì)或微生物污染；過濾系統(tǒng)的濾芯失效導(dǎo)致大顆粒物質(zhì)未被有效攔截
2025-09-22 11:09:21508 
天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度要求極高，需達(dá)到99.9999999%（即9個(gè)9）以上，且硅原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí)，就能形成單晶硅；若晶面取向不同，則會(huì)形成多晶硅（Polysilicon）。
2025-09-17 16:13:57991 
近日，新聲半導(dǎo)體SAW車規(guī)級(jí)產(chǎn)品在季豐電子可靠性實(shí)驗(yàn)室的助力下，成功通過AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試，榮獲AEC-Q200證書。
2025-09-05 11:18:321028 濕法刻蝕的工藝指標(biāo)是確保半導(dǎo)體制造過程中圖形轉(zhuǎn)移精度和器件性能的關(guān)鍵參數(shù)，主要包括以下幾個(gè)方面：刻蝕速率定義與意義：指單位時(shí)間內(nèi)材料被去除的厚度（如μm/min或nm/s），直接影響生產(chǎn)效率和成本
2025-09-02 11:49:32764 
濕法腐蝕工藝處理硅片的核心原理是基于化學(xué)溶液與硅材料之間的可控反應(yīng)，通過選擇性溶解實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)的精密加工。以下是該過程的技術(shù)要點(diǎn)解析：化學(xué)反應(yīng)機(jī)制離子交換驅(qū)動(dòng)溶解：以氫氟酸（HF）為例，其電離產(chǎn)生
2025-09-02 11:45:32831 
在半導(dǎo)體制造向“納米級(jí)工藝、微米級(jí)控制”加速演進(jìn)的背景下，滾珠導(dǎo)軌憑借其高剛性、低摩擦、高潔凈度等特性，成為晶圓傳輸、光刻對(duì)準(zhǔn)、蝕刻沉積等核心工藝設(shè)備中不可或缺的精密運(yùn)動(dòng)載體。
2025-08-26 17:54:03561 
半導(dǎo)體封裝過程中的清洗工藝是確保器件可靠性和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要涉及去除污染物、改善表面狀態(tài)及為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。以下是主流的清洗技術(shù)及其應(yīng)用場景：一、按清洗介質(zhì)分類濕法清洗
2025-08-13 10:51:341916 
在半導(dǎo)體濕法工藝中，高精度溫控器是必需的關(guān)鍵設(shè)備，其應(yīng)用貫穿多個(gè)核心環(huán)節(jié)以確保工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。以下是具體分析：一、為何需要高精度溫控？化學(xué)反應(yīng)速率控制濕法蝕刻、清洗等過程依賴化學(xué)液與材料
2025-08-12 11:23:14660 
半導(dǎo)體濕法去膠是一種通過化學(xué)溶解與物理輔助相結(jié)合的技術(shù)，用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關(guān)鍵機(jī)制的詳細(xì)說明：化學(xué)溶解作用溶劑選擇與反應(yīng)機(jī)制有機(jī)溶劑體系：針對(duì)
2025-08-12 11:02:511505 半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異：定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征：在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜（外延層），強(qiáng)調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061536 
半導(dǎo)體外延工藝主要在集成電路制造的前端工藝（FEOL）階段進(jìn)行。以下是具體說明：所屬環(huán)節(jié)定位：作為核心步驟之一，外延屬于前端制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其目的是在單晶襯底上有序沉積單晶材料以形成外延層
2025-08-11 14:36:351273 
制造工藝的深刻理解，將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測(cè)系統(tǒng)相結(jié)合，為行業(yè)提供從工藝開發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝：高精度制造的核心技術(shù)M
2025-08-11 14:27:121257 
微型導(dǎo)軌在半導(dǎo)體制造中用于晶圓對(duì)準(zhǔn)和定位系統(tǒng)，確保晶圓在光刻、蝕刻等工藝中精確移動(dòng)。
2025-08-08 17:50:08797 
濕法刻蝕SC2工藝在半導(dǎo)體制造及相關(guān)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用，以下是其主要應(yīng)用場景和優(yōu)勢(shì)：材料選擇性去除與表面平整化功能描述：通過精確控制化學(xué)溶液的組成，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)特定材料的選擇性去除。例如，它能
2025-08-06 11:19:181198 
晶圓切割，作為半導(dǎo)體工藝流程中至關(guān)重要的一環(huán)，不僅決定了芯片的物理形態(tài)，更是影響其性能和可靠性的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)的切割工藝已逐漸無法滿足日益嚴(yán)苛的工藝要求，而新興的激光切割技術(shù)以其卓越的精度和效率，為
2025-08-05 17:53:44764 
在半導(dǎo)體制造中，“濕法flush”（WetFlush）是一種關(guān)鍵的清洗工藝步驟，具體含義如下：定義與核心目的字面解析：“Flush”意為“沖洗”，而“濕法”指使用液體化學(xué)品進(jìn)行操作。該過程通過噴淋或
2025-08-04 14:53:231078 
近日，天津瑞發(fā)科半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱“瑞發(fā)科”）的車載SerDes產(chǎn)品NS6129S和NS6168在季豐電子可靠性實(shí)驗(yàn)室的助力下，成功通過AEC-Q100認(rèn)證測(cè)試，榮獲AEC-Q100認(rèn)證證書。
2025-07-29 16:46:27923 一、核心功能與應(yīng)用場景半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī)是利用高頻超聲波（20kHz-1MHz）的空化效應(yīng)，通過液體中微射流和沖擊波的作用，高效剝離晶圓表面的顆粒、有機(jī)物、金屬污染及微小結(jié)構(gòu)內(nèi)的殘留物。廣泛應(yīng)用
2025-07-23 15:06:54
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的工藝制造環(huán)節(jié)中，溫度控制的穩(wěn)定性直接影響芯片的性能與良率。其中，半導(dǎo)體冷盤chiller作為溫控設(shè)備之一，通過準(zhǔn)確的流體溫度調(diào)節(jié)，為半導(dǎo)體制造過程中的各類工藝提供穩(wěn)定的環(huán)境支撐，成為
2025-07-16 13:49:19580 
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面
2025-07-15 15:00:221224 晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時(shí)避免對(duì)晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011621 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
在移動(dòng)設(shè)備多元化的當(dāng)下，用戶對(duì)充電體驗(yàn)的需求日益提升：充電設(shè)備既要小巧便捷，又要功率強(qiáng)勁，充電速度快，更要能同時(shí)高效地為多個(gè)設(shè)備充電。晶豐明源與易沖半導(dǎo)體聯(lián)合推出的BP83223電源芯片搭配
2025-07-11 13:48:451204 
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（金屬互連），最后封頂防護(hù)（封裝層）。這種將芯片分為FEOL（前道工序） 與 BEOL（后道工序） 的智慧，正是半導(dǎo)體工業(yè)的基石。
2025-07-09 09:35:342014 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，后道工藝（封裝與測(cè)試環(huán)節(jié)）對(duì)溫度控制的精度和穩(wěn)定性要求高。冠亞恒溫半導(dǎo)體冷水機(jī)憑借其高精度溫控、多通道同步控制及定制化設(shè)計(jì)能力，成為保障后道工藝可靠性的核心設(shè)備。本文從技術(shù)
2025-07-08 14:41:51622 
濕法清洗臺(tái)是一種專門用于半導(dǎo)體、電子、光學(xué)等高科技領(lǐng)域的精密清洗設(shè)備。它主要通過物理和化學(xué)相結(jié)合的方式，對(duì)芯片、晶圓、光學(xué)元件等精密物體表面進(jìn)行高效清洗和干燥處理。從工作原理來看，物理清洗方面，它
2025-06-30 13:52:37
、蝕刻、薄膜沉積等工序，每個(gè)環(huán)節(jié)均需準(zhǔn)確溫控。以下以典型場景為例，闡述半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller的技術(shù)需求與解決方案：1、光刻工藝中的溫度穩(wěn)定性保障光刻膠涂布與曝
2025-06-26 15:39:09820 
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓濕法清洗設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅是芯片生產(chǎn)的基礎(chǔ)工序，更是決定良率、效率和成本的核心環(huán)節(jié)。本文將從技術(shù)原理、設(shè)備分類、行業(yè)應(yīng)用到未來趨勢(shì)，全面解析這一關(guān)
2025-06-25 10:26:37
半導(dǎo)體濕法清洗是芯片制造過程中的關(guān)鍵工序，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化物等），確保后續(xù)工藝的良率與穩(wěn)定性。隨著芯片制程向更小尺寸（如28nm以下）發(fā)展，濕法清洗設(shè)備
2025-06-25 10:21:37
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
預(yù)清洗機(jī)（Pre-Cleaning System）是半導(dǎo)體制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，用于在光刻、蝕刻、薄膜沉積等核心制程前，對(duì)晶圓、掩膜板、玻璃基板等精密部件進(jìn)行表面污染物（顆粒、有機(jī)物、金屬殘留等
2025-06-17 13:27:16
半導(dǎo)體藥液單元（Chemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源：Pixabay、Pexels單晶方面，碳化硅作為目前
2025-06-15 07:30:57974 
近日，上海季豐電子股份有限公司（以下簡稱“季豐電子”）與杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱“杰平方”）正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，宣布共建半導(dǎo)體領(lǐng)域聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。
2025-06-10 15:02:401102 蘇州芯矽電子科技有限公司（以下簡稱“芯矽科技”）是一家專注于半導(dǎo)體濕法設(shè)備研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，成立于2018年，憑借在濕法清洗領(lǐng)域的核心技術(shù)積累和創(chuàng)新能力，已發(fā)展成為國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域
2025-06-06 14:25:28
的核心奧秘。不追逐華而不實(shí)的噱頭，而是實(shí)實(shí)在在地依據(jù)市場需求和行業(yè)走向，精心打磨每一個(gè)技術(shù)細(xì)節(jié)。
其半導(dǎo)體清洗機(jī)，堪稱匠心之作。在清洗技術(shù)方面，融合了超聲波清洗、噴淋清洗與化學(xué)濕法清洗等多元手段，針對(duì)
2025-06-05 15:31:42
在半導(dǎo)體制造中，wafer清洗和濕法腐蝕是兩個(gè)看似相似但本質(zhì)不同的工藝步驟。為了能讓大家更好了解，下面我們就用具體來為大家描述一下其中的區(qū)別： Wafer清洗和濕法腐蝕是半導(dǎo)體制造中的兩個(gè)關(guān)鍵工藝
2025-06-03 09:44:32712 濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247 
測(cè)量。
（2）系統(tǒng)覆蓋襯底切磨拋，光刻/蝕刻后翹曲度檢測(cè)，背面減薄厚度監(jiān)測(cè)等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。
晶圓作為半導(dǎo)體工業(yè)的“地基”，其高純度、單晶結(jié)構(gòu)和大尺寸等特點(diǎn)，支撐了芯片的高性能與低成本制造。其戰(zhàn)略價(jià)值不僅
2025-05-28 16:12:46
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，工藝制程對(duì)溫度控制的精度和響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛。半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller實(shí)現(xiàn)快速升降溫及±0.5℃精度控制。一、半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller
2025-05-22 15:31:011416 
摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57511 
一、什么是電鍍：揭秘電鍍機(jī)理 電鍍（Electroplating，又稱電沉積 Electrodeposition）是半導(dǎo)體制造中的核心工藝之一。該技術(shù)基于電化學(xué)原理，通過電解過程將電鍍液中的金屬離子
2025-05-13 13:29:562529 
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水（H?O）的化學(xué)清洗工藝，主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點(diǎn)
2025-04-28 17:22:334238 半導(dǎo)體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝，尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255516 刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層，具體而言，是通過物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452200 
On Wafer WLS-WET無線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是半導(dǎo)體先進(jìn)制程監(jiān)控領(lǐng)域的重要?jiǎng)?chuàng)新成果。該系統(tǒng)通過自主研發(fā)的核心技術(shù)，將溫度傳感器嵌入晶圓集成，實(shí)現(xiàn)了晶圓本體與傳感單元的無縫融合。傳感器采用IC傳感器，具備±0.1℃的測(cè)量精度和10ms級(jí)快速響應(yīng)特性，可實(shí)時(shí)捕捉濕法工藝中瞬態(tài)溫度場分布。
2025-04-22 11:34:40670 
半導(dǎo)體行業(yè)用Chiller（冷熱循環(huán)系統(tǒng)）通過溫控保障半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定性，其應(yīng)用覆蓋晶圓制造流程中的環(huán)節(jié)，以下是對(duì)Chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用、選購及操作注意事項(xiàng)的詳細(xì)闡述。一
2025-04-21 16:23:481232 
裝片（Die Bond）作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序，指通過導(dǎo)電或絕緣連接方式，將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引線框架載體的工藝過程。該工序兼具機(jī)械固定與電氣互聯(lián)雙重功能，需在確保芯片定位精度的同時(shí)，為后續(xù)鍵合、塑封等工藝創(chuàng)造條件。
2025-04-18 11:25:573085 
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書籍，作者是美國人Michael Quirk。看完相信你對(duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此，在目前市場需求的增長情況下，我們來給大家介紹一下詳情。 一、工藝原理 清洗原理 高溫清洗利用物理和化學(xué)的作用
2025-04-15 10:01:331097 晶圓濕法清洗工作臺(tái)是一個(gè)復(fù)雜的工藝，那我們下面就來看看具體的工藝流程。不得不說的是，既然是復(fù)雜的工藝每個(gè)流程都很重要，為此我們需要仔細(xì)謹(jǐn)慎，這樣才能獲得最高品質(zhì)的產(chǎn)品或者達(dá)到最佳效果。 晶圓濕法清洗
2025-04-01 11:16:271009 本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對(duì)氧含量的影響。
2025-03-18 16:46:211309 
半導(dǎo)體芯片集成電路（IC）工藝是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心，涉及從硅材料到復(fù)雜電路制造的多個(gè)精密步驟。以下是關(guān)鍵工藝的概述：1.晶圓制備材料：高純度單晶硅（純度達(dá)99.9999999%），通過直拉法
2025-03-14 07:20:001443 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片集成度不斷提高，功能日益復(fù)雜，這對(duì)半導(dǎo)體貼裝工藝和設(shè)備提出了更高的要求。半導(dǎo)體貼裝工藝作為半導(dǎo)體封裝過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性和成本。本文將深入分析半導(dǎo)體貼裝工藝及其相關(guān)設(shè)備，探討其發(fā)展趨勢(shì)和挑戰(zhàn)。
2025-03-13 13:45:001587 
華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中，通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異，從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
2025-03-12 17:02:49809 在芯片制造的精密工藝中，華林科納濕法刻蝕（Wet Etching）如同一把精妙的雕刻刀，以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫布上，雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán)，以其高效、低成本的特點(diǎn)
2025-03-12 13:59:11983 2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國際領(lǐng)先地位，也為我國
2025-03-07 11:43:222412 
是一種用于高效、無損地清洗半導(dǎo)體晶圓表面及內(nèi)部污染物的關(guān)鍵設(shè)備。簡單來說，這個(gè)機(jī)器具有以下這些特點(diǎn)： 清洗效果好：能夠有效去除晶圓表面的顆粒、有機(jī)物、金屬雜質(zhì)、光刻膠殘留等各種污染物，滿足半導(dǎo)體制造對(duì)晶圓清潔度
2025-03-07 09:24:561037 北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見的半導(dǎo)體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042119 
既然說到了半導(dǎo)體晶圓電鍍工藝，那么大家就知道這又是一個(gè)復(fù)雜的過程。那么涉及了什么工藝，都有哪些內(nèi)容呢？下面就來給大家接下一下！ 半導(dǎo)體晶圓電鍍工藝要求是什么 一、環(huán)境要求 超凈環(huán)境 顆?？刂疲壕A
2025-03-03 14:46:351736 在半導(dǎo)體制造的精密世界里，濕法清洗是確保芯片質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而在這一過程中，有機(jī)溶劑的選擇至關(guān)重要。那么，半導(dǎo)體濕法清洗中常用的有機(jī)溶劑究竟有哪些呢？讓我們一同來了解。 半導(dǎo)體濕法清洗中常
2025-02-24 17:19:571828 半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它通過將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的保護(hù)、固定、連接和散熱等功能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，塑封工藝也在不斷演進(jìn)，以適應(yīng)更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導(dǎo)體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412566 
半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留都可能對(duì)器件性能產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而
2025-02-20 10:13:134063 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月，鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。本次
2025-02-17 09:13:241340 VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40901 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，封裝是連接芯片與外界電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而互連工藝則是封裝中的核心技術(shù)之一。它負(fù)責(zé)將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸與交互。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝中的互連工藝，包括其主要分類、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場景以及未來的發(fā)展趨勢(shì)。
2025-02-10 11:35:451464 
近日，荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示，通過精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)，大幅降低了內(nèi)部納米級(jí)缺陷的數(shù)量，可顯著提升光電子學(xué)效率，進(jìn)而
2025-01-23 09:52:54686 
在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域，每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）工藝，作為一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，正逐漸成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導(dǎo)體中為何會(huì)用到ALD工藝，并分析其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場景。
2025-01-20 11:44:444405 
，固晶工藝及其配套設(shè)備構(gòu)成了不可或缺的一環(huán)，對(duì)最終產(chǎn)品的性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性以及使用壽命均產(chǎn)生著直接且關(guān)鍵的影響。本文旨在深入剖析半導(dǎo)體固晶工藝及其相關(guān)設(shè)備的研究現(xiàn)狀、未來的發(fā)展趨勢(shì)，以及它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中所占據(jù)的重要地位。
2025-01-15 16:23:502496 隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷妫瑥闹悄苁謾C(jī)、計(jì)算機(jī)到各類智能設(shè)備，半導(dǎo)體芯片作為其核心部件，其性能和可靠性至關(guān)重要。而在半導(dǎo)體芯片的制造過程中，固晶工藝及設(shè)備作為關(guān)鍵
2025-01-14 10:59:133015 
近日，全球領(lǐng)先的高功率半導(dǎo)體激光元器件及原材料、激光光學(xué)元器件、光子技術(shù)應(yīng)用解決方案供應(yīng)商炬光科技，正式發(fā)布了LCS系列980/1470nm高功率低熱阻低Smile傳導(dǎo)冷卻半導(dǎo)體激光器。 這款LCS
2025-01-09 17:07:531225 半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物的形成，其背后的機(jī)制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護(hù)等多個(gè)層面，下面是對(duì)這些機(jī)制的深入剖析： 化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑與半導(dǎo)體材料的交互：濕法刻蝕技術(shù)依賴于特定
2025-01-08 16:57:451468 在半導(dǎo)體加工制造工藝中，北京環(huán)球聯(lián)合水冷機(jī)一直發(fā)揮著不可或缺的作用，有其不容忽視的積極意義。作為半導(dǎo)體制造過程中極其重要的輔助加工設(shè)備，北京環(huán)球聯(lián)合水冷機(jī)在多個(gè)環(huán)節(jié)都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，確保了
2025-01-08 10:58:11727 
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