文章總結(jié)：光隔離探頭在新能源汽車電驅(qū)、光伏逆變器和工業(yè)變頻器測試中，用于抗干擾、精準(zhǔn)測量信號，提升系統(tǒng)性能與故障診斷能力。
2026-01-05 09:27:39
19 效應(yīng)：結(jié)溫波動速率達(dá)200°C/ms，傳統(tǒng)熱模型失效 ? ? ? 案例數(shù)據(jù)：12V/5A高速無人機(jī)電機(jī)測試顯示，100KHZ PWM下IRF3205開關(guān)損耗達(dá)導(dǎo)通損耗
2025-12-31 10:54:02198 在之前的文章中，我們?yōu)榇蠹医榻B了很多開關(guān)電源的測試方法/項(xiàng)目、解決方案等，那么本文筆者為大家收集了一些開關(guān)電源的測試標(biāo)準(zhǔn)，以幫助沒有接觸過開關(guān)電源測試的伙伴進(jìn)行測試。 電源模塊 一、通用核心標(biāo)準(zhǔn)
2025-12-26 19:33:2281 
本文導(dǎo)讀SiC/GaN將開關(guān)速度推向納秒級，800V高壓下的損耗怎么測？ZUS示波器自帶雙脈沖測試功能，通過“兩次脈沖”精準(zhǔn)量化開關(guān)損耗與反向恢復(fù)數(shù)據(jù)。告別模糊的波形觀察，用精確數(shù)據(jù)支撐電路優(yōu)化
2025-12-24 11:41:34158 
的具體應(yīng)用，展示其精準(zhǔn)捕捉與分析微弱信號的能力。 ? 案例一：電源模塊紋波噪聲測試 測試目標(biāo)：評估開關(guān)電源輸出端的紋波電壓，確保其滿足設(shè)計要求（ 操作步驟： 1.硬件連接：使用DHO814標(biāo)配的10:1無源探頭連接電源輸出端，避免探頭負(fù)載影響測試結(jié)果。
2025-12-17 16:13:00112 
模塊在高頻應(yīng)用中損耗更低，允許通過提升開關(guān)頻率（如10MHz以上）縮小電感、變壓器等被動元件尺寸，從而直接提升功率密度。應(yīng)用成果：Neway GaN系列模塊功率密度提升至120W/in3，較傳統(tǒng)硅基
2025-12-17 09:35:07
PRBTEK PKC7030H高頻電流探頭用于精準(zhǔn)測量GaN快充電源的高頻開關(guān)電流，配合泰克MSO58B示波器及輔助探頭，實(shí)現(xiàn)高精度開關(guān)損耗分析與磁元件性能評估。
2025-12-15 17:55:29160 文章詳細(xì)闡述了低VF貼片二極管與MOSFET在服務(wù)器電源中的協(xié)同優(yōu)化設(shè)計，通過參數(shù)對比分析說明了其在降低開關(guān)損耗、提升系統(tǒng)能效方面的具體表現(xiàn)。
2025-11-25 17:33:451026 
。這款探頭在高壓測量領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了帶寬與精度的卓越平衡，特別適用于對開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、功率電子等場景中的高頻振蕩、快速開關(guān)瞬態(tài)進(jìn)行精確觀測和診斷，是功率電子工程師進(jìn)行高效調(diào)試和深度分析的理想工具。 二、 核心性能優(yōu)勢分析 高壓與高速的完美結(jié)合 ： ?
2025-11-14 18:43:43146 寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料不僅在耐高溫和耐高壓方面表現(xiàn)出色，還具備低損耗、快速開關(guān)頻率等特性。然而，要充分發(fā)揮這些先進(jìn)材料的潛力，精確的測試和測量技術(shù)
2025-11-14 16:46:063489 
發(fā)電系統(tǒng)的直流側(cè)精確測量方案 ?? 技術(shù)挑戰(zhàn)與測量需求?? 在1500V組串式光伏系統(tǒng)中，直流母線電壓測量面臨多重挑戰(zhàn)： 高共模電壓：組件對地電壓可達(dá)1000V DC 復(fù)雜紋波特性：MPPT算法導(dǎo)致20-100kHz開關(guān)紋波 嚴(yán)苛環(huán)境：溫度范圍-40℃
2025-11-11 13:35:50138 云鎵半導(dǎo)體樂高化組裝，一鍵式測試|云鎵GaN自動化雙脈沖測試平臺作為一種新型開關(guān)器件，GaN功率器件擁有開關(guān)速度快、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前不同GaN工藝平臺下器件行為表現(xiàn)差異較大，且GaN器件的靜態(tài)
2025-11-11 11:47:16610 
專為嚴(yán)苛測試環(huán)境打造的高精度開關(guān)解決方案
2025-11-07 15:18:50
0 碳化硅場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）憑借高速開關(guān)特性，大幅降低開關(guān)損耗，目前已在各行業(yè)應(yīng)用中加速滲透。然而，其器件特性所伴隨的高 dV/dt（電壓變化率），易引發(fā)寄生開通風(fēng)險，已成為各行業(yè)應(yīng)用設(shè)計中需重點(diǎn)規(guī)避的核心挑戰(zhàn)。
2025-11-05 09:29:415300 
TE Connectivity（TE）射頻開關(guān)連接器用測試探頭電纜組件用于測量射頻傳輸線路中微波電路的電氣特性和測試信號。這些電纜組件具有三種射頻開關(guān)連接器選項(xiàng)：SWG型、SWD/SWF型和SWJ型
2025-11-03 11:24:07383 開關(guān)電源作為電子行業(yè)中最為常見的電源類型，其應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，作為電源模塊測試系統(tǒng)的專業(yè)供應(yīng)商，納米軟件接觸的用戶中，有很大一部的客戶需要我們?yōu)槠涮峁?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)電源的測試流程和方法，作為其自動化測試中
2025-10-31 09:36:31943 
村田電容在高頻電路中通過材料創(chuàng)新、結(jié)構(gòu)優(yōu)化與系列化設(shè)計，成為低損耗解決方案的核心選擇，其優(yōu)勢體現(xiàn)在高頻性能、低損耗特性、溫度穩(wěn)定性及定制化方案四個維度。 一、高頻性能：突破GHz級信號傳輸瓶頸 村田
2025-10-30 16:52:30563 當(dāng)然，隨著器件的進(jìn)步，開關(guān)管開關(guān)速度會變得越來越快，特別是在低電壓和低功率應(yīng)用中。僅考慮設(shè)備本身的開關(guān)速度，開關(guān)頻率可能會很高，但實(shí)際并沒有，有開關(guān)損耗的限制。
2025-10-30 14:27:532226 
4開關(guān)降壓升壓雙向DC-DC電源轉(zhuǎn)換器在很多應(yīng)用中都有使用。作為一個同步降壓或同步升壓轉(zhuǎn)換器，其中只有兩個開關(guān)切換，開關(guān)損耗減少到一半。只有當(dāng)直流母線和電池電壓彼此接近，然后轉(zhuǎn)換器作為一個同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器，其中所有四個開關(guān)切換。
2025-10-17 09:29:031616 
在前面的內(nèi)容中，我們了解了負(fù)載開關(guān)IC的基本定義、獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)、實(shí)用功能及其操作，今天作為【負(fù)載開關(guān)IC】系列的最后一篇內(nèi)容，芝子將帶著大家了解一下負(fù)載開關(guān)IC數(shù)據(jù)表中相關(guān)術(shù)語和功率損耗計算方法。
2025-10-15 16:54:501406 
詳細(xì)介紹了高頻電流探頭在EMI/EMC測試中的應(yīng)用方案。 一、測量原理 電磁干擾主要通過傳導(dǎo)和輻射兩種途徑傳播，其中傳導(dǎo)發(fā)射（CE）是EMC測試的關(guān)鍵項(xiàng)目。PKC7000系列高頻電流探頭采用先進(jìn)的磁芯材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計，基于互感器原理工作。當(dāng)探頭鉗
2025-10-11 15:44:34305 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場合時其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進(jìn)一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:0337 一、應(yīng)用背景 新能源汽車車載充電機(jī)（OBC）是將外部電網(wǎng)電能轉(zhuǎn)換為車載動力電池電能的關(guān)鍵部件。在工作過程中，它需要處理0-300A的電流，而其內(nèi)部的高頻開關(guān)電路容易產(chǎn)生干擾信號。因此，對電流測量
2025-10-09 16:15:48311 
是重要的測試指標(biāo)。Vds在開關(guān)過程中會產(chǎn)生高壓脈沖，通常在數(shù)百伏至1500V之間，而Vgs則是低壓驅(qū)動信號，約為10-20V。這兩種信號均為差分信號，且需要在浮地環(huán)境中進(jìn)行測量。傳統(tǒng)的單端探頭由于接地限制，無法滿足浮地測試需求，而低壓探頭又難
2025-09-28 14:36:55456 
介電溫譜測試技術(shù)要深入探究材料在高頻條件下的極化機(jī)理與弛豫行為，就必須將高頻電信號精準(zhǔn)無誤地傳輸至待測樣品，并接收其微弱的響應(yīng)信號。然而，隨著頻率的提升，信號在傳輸路徑中的各種損耗會急劇增大，如同遠(yuǎn)
2025-09-24 09:28:07278 
RE測試中出現(xiàn)超標(biāo)情況時，使用近場探頭查找干擾源成為解決問題的有效手段。 一、 RE測試簡介 RE測試主要用于評估電子設(shè)備在運(yùn)行過程中向周圍空間輻射的電磁能量強(qiáng)度，其目的在于確保設(shè)備產(chǎn)生的電磁輻射不會對周邊其他電子設(shè)備或無線通信
2025-09-22 09:26:55545 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在智能化時代，電機(jī)應(yīng)用需求走向高效率、高功率密度、快動態(tài)響應(yīng)。而GaN功率芯片具備低開關(guān)損耗、高頻等特性，在電機(jī)應(yīng)用中，低開關(guān)損耗的功率芯片能夠提高系統(tǒng)效率；高頻特性
2025-09-21 02:28:007546 在電子測量領(lǐng)域，電流探頭的精準(zhǔn)度是確保測試數(shù)據(jù)可靠性的關(guān)鍵因素，而消磁操作則是維持其測量精度的重要環(huán)節(jié)。消磁的主要目的是消除探頭內(nèi)部磁芯的剩磁，防止其對后續(xù)測量造成干擾。然而，在實(shí)際操作過程中，電流
2025-09-18 13:46:20508 
泰克P6015A高壓探頭適用于開關(guān)電源高壓測量，具備高帶寬、高輸入阻抗和高壓衰減能力，支持開關(guān)器件電壓應(yīng)力測試與安全連接。
2025-09-12 09:14:01588 在電子測試與測量領(lǐng)域，示波器是一種極為常見的工具，主要用于測量電壓信號。然而，在實(shí)際工作中，工程師們有時也需要測量電流信號。那么，普通數(shù)字示波器是否可以通過配備電流探頭來實(shí)現(xiàn)這一功能呢？答案是肯定
2025-09-02 13:43:58804 
在電磁兼容（EMC）測試領(lǐng)域，傳導(dǎo)騷擾電流法是評估電子設(shè)備電磁兼容性的關(guān)鍵手段之一。而電流探頭作為獲取準(zhǔn)確測試數(shù)據(jù)的核心工具，其正確選擇至關(guān)重要。合理的探頭選擇能夠確保測試結(jié)果精準(zhǔn)反映設(shè)備的傳導(dǎo)騷擾
2025-08-22 10:43:31725 
泰克探頭是泰克科技（Tektronix）推出的一系列測試測量附件，主要用于電子測試領(lǐng)域，如示波器、信號源等設(shè)備，以實(shí)現(xiàn)對電信號的高精度測量和分析。
2025-08-19 16:54:10524 
IGBT模塊的開關(guān)損耗（動態(tài)損耗）與導(dǎo)通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系：降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載流子濃度，但這會延長關(guān)斷時的載流子抽取時間
2025-08-19 14:41:232335 一、應(yīng)用背景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，高頻開關(guān)電源的設(shè)計至關(guān)重要。性能測試和動態(tài)行為分析是研發(fā)與質(zhì)量控制的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。然而，傳統(tǒng)的鉗式電流探頭（如帶寬為DC~3MHz的產(chǎn)品）雖然適用于工頻或低頻場景（例如
2025-08-18 13:33:09542 
。PKDV508E高壓差分探頭憑借其出色性能指標(biāo)，是開關(guān)電源測試的得力工具，以下為詳細(xì)的測試方案。 一、測量原理 開關(guān)電源的原理是利用功率半導(dǎo)體器件的高頻開關(guān)動作，將輸入的直流電壓轉(zhuǎn)換為高頻的脈沖電壓，再經(jīng)過變壓器進(jìn)行信號
2025-08-15 14:04:24624 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-08-14 18:31:00
示波器探頭連接到測試線路時，之所以能減少甚至避免信號反射，關(guān)鍵在于其設(shè)計中對阻抗匹配和信號傳輸特性進(jìn)行了優(yōu)化，從根本上降低了信號在傳輸過程中因阻抗突然變化而產(chǎn)生反射的可能性。具體原理可以從以下幾個
2025-08-04 15:53:50455 受拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開關(guān)損耗的影響，半橋硬開關(guān)電路的重量、體積、噪聲及功率等級等技術(shù)指標(biāo)在一定程度上受到限制，因此中大功率開關(guān)電源的主電路基本都采用全橋電路結(jié)構(gòu)。
2025-07-11 09:22:1224899 
? 低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開關(guān)與軟恢復(fù)特性
2025-07-10 14:58:521 ? 低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開關(guān)與軟恢復(fù)特性
2025-07-10 14:56:470 ? 低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開關(guān)與軟恢復(fù)特性
2025-07-10 14:54:530 時間的延長會導(dǎo)致開關(guān)損耗增加，不僅會降低電源系統(tǒng)的效率，還會使開關(guān)器件發(fā)熱嚴(yán)重。
3、 引發(fā)電磁干擾（EMI）
高頻開關(guān)器件在工作過程中，由于寄生電感的存在，會產(chǎn)生高頻振蕩電流。這些高頻振蕩電流會通過導(dǎo)線
2025-07-02 11:22:49
切換的響應(yīng)時間越短，意味著更小的開關(guān)損耗和更高的工作效率。MOSFET的開關(guān)速度主要受以下幾個因素的影響：門極電荷（Qg）：門極電荷是MOSFET開關(guān)過程中的一個
2025-07-01 14:12:12660 
PKC6053B電流探頭是一款非侵入式、寬頻帶覆蓋、高精度與高分辨率的電流測量工具，能夠準(zhǔn)確捕捉電路中的微小電流變化，適用于開關(guān)電源、光伏逆變器等高頻設(shè)備的調(diào)測與測試，同時具有自動消磁、智能調(diào)零和報警功能
2025-06-30 15:26:04539 
驗(yàn)證其他電壓探頭測量結(jié)果真實(shí)性的可靠標(biāo)準(zhǔn)。?
2.超寬頻帶覆蓋，全場景精準(zhǔn)測量?
MOIP系列探頭覆蓋100MHz-1GHz超寬頻帶，能夠滿足不同行業(yè)、多樣化場景的測試需求。在常規(guī)電路信號檢測中，可提供
2025-06-27 18:39:18
紋波噪聲探頭是電子測試領(lǐng)域中一種重要的測量工具，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中紋波和噪聲信號的精確測量與分析。在實(shí)際應(yīng)用中，選擇合適的紋波噪聲探頭對于確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性至關(guān)重要。本文將從多個角度
2025-06-19 09:02:43493 ，無懼高共模挑戰(zhàn) PT-6140差分探頭，專為高共模電壓電路設(shè)計，其100MHz的帶寬與14000Vp-p的峰值輸入電壓，確保了在電子功率變換器、逆變器、電機(jī)速度控制及開關(guān)電源等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。無論是5000Vrms CAT III的輸入端與地測試，還是兩輸入
2025-06-18 15:22:45390 
，探頭還具備5MHz帶寬限制功能，這一功能不僅能夠滿足開關(guān)電源中FETs開關(guān)頻率的測量需求，還能有效濾除更高頻率的噪聲和干擾。探頭配備標(biāo)準(zhǔn)的BNC輸出接口，能夠與任何廠家的示波器兼容使用。 用戶可以進(jìn)入測試模式，調(diào)整偏置電壓。這一功能特別
2025-06-18 11:59:56530 
高壓隔離探頭作為具備浮動測量功能的專業(yè)測試工具，以其優(yōu)異的共模噪聲抑制能力、高輸入阻抗特性及低輸入電容設(shè)計，成為高速精準(zhǔn)測量差分電壓信號的核心組件。該類探頭廣泛適用于開關(guān)電源、變頻器、電子鎮(zhèn)流器
2025-06-17 16:45:21440 
本文介紹EMI預(yù)兼容測試方案。近場測試適用于產(chǎn)品開發(fā)階段輻射發(fā)射測試，可定位輻射源、節(jié)省成本。輻射發(fā)射測試常用頻段30MHz - 1GHz，要求頻譜儀和探頭覆蓋該范圍、接收機(jī)靈敏度低、探頭大小多樣
2025-06-17 15:54:47586 
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在開關(guān)過程中易產(chǎn)生電壓尖峰，可能引發(fā)器件損壞或電磁干擾問題。為有效抑制電壓尖峰，需從電路設(shè)計、器件選型、布局布線及保護(hù)措施等多維度進(jìn)行優(yōu)化，以下為具體解決方案
2025-06-13 15:27:101372 本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進(jìn)行分割，并使用近似公式計算功率損耗的方法。
2025-06-12 11:22:052161 
本文主要介紹了電流探頭的工作原理、應(yīng)用場景以及其在實(shí)際測試中的優(yōu)勢。電流探頭是一種非接觸式測量工具，可用于檢測導(dǎo)體中的電流信號，適用于傳導(dǎo)發(fā)射、輻射發(fā)射和抗擾度測試。
2025-06-06 15:40:51559 
電壓開關(guān)（ZVS），大幅降低開關(guān)損耗，效率輕松做到90%以上，特別適合大功率適配器、服務(wù)器電源、LED驅(qū)動等場景。這份PDF有38頁，從基本原理、設(shè)計流程到實(shí)際案例，都有講解！下面我挑重點(diǎn)給大家捋一捋
2025-06-05 13:50:05
在IGBT功率模塊的動態(tài)測試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測試夾具的layout、材料及連接方式引入，會導(dǎo)致開關(guān)波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測量偏差。
2025-06-04 15:07:311750 
新能源汽車電機(jī)控制器測試面臨傳統(tǒng)探頭帶寬不足、操作繁瑣、空間適應(yīng)性差等痛點(diǎn)。普科科技PKC6100A電流探頭提供創(chuàng)新解決方案：具備180ns快速響應(yīng)、710kHz高頻捕捉能力；支持三檔智能切換，效率
2025-05-30 09:55:26452 
引言 隨著第三代半導(dǎo)體SiC器件在工業(yè)激光電源中的廣泛應(yīng)用，500kHz以上高頻LLC諧振拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">測試面臨新的挑戰(zhàn)。本文針對某80A輸出工業(yè)激光電源系統(tǒng)，詳細(xì)闡述采用高頻電流探頭測試開關(guān)波形、諧振腔
2025-05-20 16:44:35489 
本軟件可用于配置HS16P1880單片機(jī)，搭配數(shù)字型人體感應(yīng)探頭(可兼容19bit與22bit兩種數(shù)據(jù)型數(shù)字探頭)，可配置多種人體感應(yīng)方案，例如小夜燈、櫥柜燈、太陽能三角壁燈,降低方案的開發(fā)難度，方便用戶進(jìn)行方案的快速驗(yàn)證。
2025-05-20 16:24:42965 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離 Sky5? 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.4 至 5.9 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離 Sky5
2025-05-19 18:34:47
一、測試原理與設(shè)備選型 安全隔離機(jī)制 采用光纖隔離技術(shù)的差分探頭（如某品牌PKDV5351）可承受±1750V共模電壓，其3500V CAT III隔離等級滿足GB/T 18487.1-2025標(biāo)準(zhǔn)
2025-05-19 17:53:12532 
功率器件（MOSFET/IGBT） 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計中，功率器件的測試至關(guān)重要，主要包括開關(guān)損耗測試，Vds peak電壓測試以及Vgs驅(qū)動波形測試
2025-05-14 09:03:011263 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.4 至 6.0 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.4 至 6.0 GHz DPDT 低插入損耗/高隔離開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-05-13 18:29:42
，85kV共模電壓承受能力，適用于新能源車電驅(qū)系統(tǒng)浪涌測試、光伏逆變器絕緣檢測等高危場景。
· DP系列高壓差分探頭：500MHz帶寬配合±7000V電壓量程，在開關(guān)電源環(huán)路分析、IGBT開關(guān)損耗測試中
2025-05-09 16:10:01
近期深圳某企業(yè)送修一臺泰克7713電壓差分探頭，報修故障為接入示波器后，測試值偏小很多只有正常信號的1/3。并且測試狀態(tài)不穩(wěn)定。對儀器進(jìn)行初步檢測，故障與客戶描述一致。
2025-05-08 17:46:12612 
在功率器件的世界里，開關(guān)損耗是一個繞不開的關(guān)鍵話題。
2025-05-07 13:55:181050 的結(jié)構(gòu)如主回路雜散電感會影響IGBT的開關(guān)特性，進(jìn)而影響開關(guān)損耗，任何對其開關(guān)性能的研究都必然建立在實(shí)驗(yàn)測試基礎(chǔ)之上，并在實(shí)際設(shè)計中盡量優(yōu)化以降低變流回路雜散電感。
2025-04-22 10:30:151796 
在無線通信系統(tǒng)測試環(huán)節(jié)中，傳輸路徑的異常損耗直接影響測試數(shù)據(jù)的有效性。本文從工程實(shí)踐角度，系統(tǒng)梳理導(dǎo)致同軸傳輸鏈路損耗異常的五大核心要素，并提出針對性優(yōu)化策略。 一、線材品質(zhì)缺陷 技術(shù)解析 導(dǎo)體材料
2025-04-18 15:11:07933 
作為某新能源車企的電機(jī)控制系統(tǒng)工程師，我的日?？偫@不開碳化硅（SiC）器件的雙脈沖測試。三年前用傳統(tǒng)差分探頭測上管Vgs的經(jīng)歷堪稱“噩夢”每當(dāng)開關(guān)動作時，屏幕上跳動的±5V震蕩波形，讓我誤以為
2025-04-15 14:14:16
的區(qū)別，為工程師們在實(shí)際工作中精準(zhǔn)選擇探頭提供有力參考。 為何區(qū)分 1x 和 10x 探頭如此重要？ 在電路測試中，不同的信號特性需要適配不同的探頭設(shè)置。1x 和 10x 探頭在多個關(guān)鍵方面存在差異，這些差異直接決定了它們的適用場景。了解這些區(qū)
2025-04-09 14:57:172247 
異的高溫和高頻性能。
案例簡介：SiC MOSFET 的動態(tài)測試可用于獲取器件的開關(guān)速度、開關(guān)損耗等關(guān)鍵動態(tài)參數(shù)，從而幫助工程師優(yōu)化芯片設(shè)計和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開關(guān)特性
2025-04-08 16:00:57
在高頻開關(guān)電源中，整流元件的性能直接影響能量轉(zhuǎn)換效率。傳統(tǒng)整流二極管由于較長的反向恢復(fù)時間（trr），在高頻環(huán)境下會產(chǎn)生較大的開關(guān)損耗，降低整體效率。MDD超快恢復(fù)二極管以其短反向恢復(fù)時間、低反向
2025-04-08 09:56:12795 
我一直想搞清楚MOS管的開關(guān)損耗計算，在只知道驅(qū)動MOS管芯片的輸出的驅(qū)動電壓，MOS管的規(guī)格書手冊，驅(qū)動頻率的條件下，能夠計算出MOS管的功耗大小。這樣我們在原理圖設(shè)計階段的時候，就能夠判斷散熱
2025-03-31 10:34:07
三部分。 驅(qū)動損耗（Pdr） ： 這是指驅(qū)動電路在驅(qū)動MOS管開關(guān)過程中所產(chǎn)生的損耗。驅(qū)動損耗的大小與驅(qū)動電路的設(shè)計、MOS管的柵極電容以及開關(guān)頻率等因素有關(guān)。 開關(guān)損耗（Psw） ： 開關(guān)損耗是MOS管在開關(guān)過程中由于電壓和電流的變化所產(chǎn)生的損耗。它
2025-03-27 14:57:231517 
在研究逆變電路的損耗時，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性，同時還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗進(jìn)行分析，以此介紹選擇合適器件的方法。
2025-03-27 14:20:361765 
二極管（FRD）因其短反向恢復(fù)時間（trr）和低開關(guān)損耗，成為提升開關(guān)電源效率的關(guān)鍵元件。本文MDD將探討快恢復(fù)二極管在開關(guān)電源中的作用及如何優(yōu)化其應(yīng)用來提高轉(zhuǎn)換效率
2025-03-25 09:39:56848 
。
為了滿足節(jié)能和降低系統(tǒng)功率損耗的需求，需要更高的能源轉(zhuǎn)換效率，這些與時俱進(jìn)的設(shè)計規(guī)范要求，對于電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計者會是日益嚴(yán)厲的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對前述之規(guī)范需求，除使用各種新的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?topology
2025-03-24 15:03:44
目錄 什么是光隔離探頭？ 1. 新品探頭介紹 2. 高壓差分探頭 vs 光隔離探頭 3. 光隔離探頭的應(yīng)用場景 寬禁帶半導(dǎo)體市場前景 光隔離探頭的典型測試案例——上管測試（high-side
2025-03-19 09:09:161614 
損耗、開關(guān)損耗
針對目前能源越來越緊張，各國政府針對空載損耗(即輸出為空載時的輸入功率消耗，又稱待機(jī)損耗)都相繼出臺了相關(guān)的法律法規(guī)，如美國的”能源之星”(Energy Star)，聯(lián)邦政府采購指令
2025-03-17 15:25:45
本文檔基于作者多年從事開關(guān)電源設(shè)計的經(jīng)驗(yàn)，從分析開關(guān)變換器最基本器件：電感的原理入手，由淺入深系統(tǒng)地論述了寬輸入電壓DC-DC變換器（含離線式正、反激電源）及其磁件設(shè)計、MOSFET導(dǎo)通和開關(guān)損耗
2025-03-17 14:15:11
，但在本文中我們將主要討論 AC 和 DC 損耗。
開關(guān)電壓和電流均為非零時，AC 開關(guān)損耗出現(xiàn)在開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷之間的過渡期間。圖 2 中高亮部分顯示了這種情況。根據(jù)方程式 4），降低這種損耗的一種
2025-03-17 13:38:38
基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真
2025-03-13 15:44:492318 
輔助設(shè)備： 準(zhǔn)備好萬用表或電位測試儀等測量儀器，并確保儀器能正常工作，電量充足或連接好電源，量程選擇合適。 現(xiàn)場測量操作 插入探頭 ：將探頭插入被測體附近的土壤中，若土壤干燥，應(yīng)在探頭周圍的土壤中澆入純凈水濕潤，以保證良
2025-03-11 19:55:27453 是德科技（NYSE: KEYS ）開發(fā)了一種光隔離差分探頭系列，專門用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導(dǎo)體等快速開關(guān)器件的效率和性能測試。新的電壓探頭將在 2025 年應(yīng)用電力電子會議（APEC）上展示，是德科技的展位號為 829，同時展示的還有是德科技的 MXR B 和 HD3 系列示波器。
2025-03-11 17:15:531045 本書介紹了開關(guān)電源的基本原理，DC-DC變換器設(shè)計與磁學(xué)基礎(chǔ)，離線式變換設(shè)計與磁學(xué)技術(shù)，拓步FAQ，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，反饋環(huán)路分析及穩(wěn)定性，EMI基礎(chǔ)從麥克斯韋方程到CISPR標(biāo)準(zhǔn)，傳導(dǎo)EMI限值及測量，實(shí)際的電源輸入EMI濾波器，開關(guān)電源的DM和CM噪聲，電磁難題的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)知識。
2025-03-08 16:21:41
和 DC 損耗。開關(guān)電壓和電流均為非零時，AC 開關(guān)損耗出現(xiàn)在開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷之間的過渡期間。圖 2 中高亮部分顯示了這種情況。根據(jù)方程式 4），降低這種損耗的一種方法是縮短開關(guān)的升時間和降時間。通過選擇一個
2025-03-08 10:27:46
在電動汽車電驅(qū)動系統(tǒng)中，逆變器中的高頻開關(guān)動作是產(chǎn)生開關(guān)損耗影響逆變器效率的主要因素，特別是為適應(yīng)驅(qū)動電機(jī)高速化的趨勢，不得不采用較高的開關(guān)頻率，從而在低速時產(chǎn)生不必要的開關(guān)損耗，使逆變器效率偏低
2025-03-07 14:57:35
LLC諧振轉(zhuǎn)換器的核心優(yōu)勢在于 軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的高效率、寬輸入適應(yīng)性及高功率密度 ，其典型應(yīng)用涵蓋消費(fèi)電子、工業(yè)電源、新能源、醫(yī)療等高要求領(lǐng)域。與SiC MOSFET結(jié)合后，LLC在高頻、高溫、高可靠性
2025-03-07 07:30:51843 
擴(kuò)大。為了滿足節(jié)能和降低系統(tǒng)功率損耗的需求，需要更高的能源轉(zhuǎn)換效率，這些與時俱進(jìn)的設(shè)計規(guī)范要求，對于電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計者會是日益嚴(yán)厲的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對前述之規(guī)范需求，除使用各種新的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?topology
2025-03-06 15:59:14
老款2000V器件兩電平MPPT升壓方案。結(jié)合飛跨電容三電平拓?fù)洌山档?0%以上的開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率至98%以上。 零反向恢復(fù)電流 ：B3D80120H2 SiC二極管無反向恢復(fù)電
2025-03-03 17:01:16935 
本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關(guān)損耗
1 開通過程中
2025-02-26 14:41:53
在硬件電路設(shè)計領(lǐng)域，每一個細(xì)微的環(huán)節(jié)都對產(chǎn)品的性能起著至關(guān)重要的作用，尤其是在高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀這樣的高精度設(shè)備中。為了確保測試儀能夠穩(wěn)定、精準(zhǔn)地運(yùn)行，在硬件電路設(shè)計上采用了一系列先進(jìn)且
2025-02-25 09:08:36636 
BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)SiC模塊BMF240R12E2G3并聯(lián)ANPC拓?fù)湓?25kW儲能變流器PCS中的損耗分析及方案優(yōu)勢 1. 損耗分析 1.1 導(dǎo)通損耗
2025-02-25 06:58:421063 
KDYD-JZ介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀是武漢凱迪正大設(shè)計用于測定無機(jī)金屬氧化物、板材、瓷器、云母、玻璃和塑料等材料介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的多用途測試儀器。
2025-02-21 17:09:32690 
MOS管損耗的8個組成部分在器件設(shè)計選擇過程中需要對MOSFET的工作過程損耗進(jìn)行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預(yù)計波形，套用
2025-02-11 10:39:334786 
在電力電子領(lǐng)域，同步整流DC-DC變換器因其高效能和低損耗而得到廣泛應(yīng)用。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，死區(qū)損耗成為影響變換器性能的重要因素。本文將深入探討死區(qū)損耗的概念、分類及其影響。
2025-01-29 16:31:001493 (Si) 二極管而言，這些開關(guān)損耗來自二極管關(guān)斷時二極管結(jié)內(nèi)存儲的電荷產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流。要將這些損耗降到最低，通常需要一個具有更高平均正向電流的 Si 二極管，但這會導(dǎo)致更大的尺寸和更高的成本。 在 CCM PFC 電路中，碳化硅 (SiC) 二極管是更好的選擇，因其反向恢復(fù)電流本質(zhì)上只是
2025-01-26 22:27:001634 
HVAC系統(tǒng)是現(xiàn)代建筑中不可或缺的一部分，它負(fù)責(zé)維持室內(nèi)環(huán)境的舒適度，確?？諝赓|(zhì)量，并節(jié)約能源。溫度探頭作為HVAC系統(tǒng)中的一個關(guān)鍵組件，通過精確測量和控制溫度，幫助系統(tǒng)高效運(yùn)行。 溫度探頭的作用
2025-01-20 10:04:06957 、開關(guān)損耗、電壓和電流波形等關(guān)鍵參數(shù)，進(jìn)而優(yōu)化電機(jī)控制器的設(shè)計。但在雙脈沖測試中，上管Vgs的測量是一個技術(shù)難點(diǎn)，它要求我們的測量系統(tǒng)不僅需要具有高帶寬特性，還需要更高的共模抑制能力。
測試實(shí)例 ● 被
2025-01-09 16:58:30
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