電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）芯片，一直被譽(yù)為 人類智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者 ，而制造芯片的重要設(shè)備光刻機(jī)就是 雕刻這個(gè)結(jié)晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機(jī)還不夠，還需要光刻膠、掩膜版以及
2025-10-28 08:53:35
6234 光罩是半導(dǎo)體制造中光刻工藝所使用的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，它承載著設(shè)計(jì)圖形，通過光刻過程將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過刻蝕等步驟轉(zhuǎn)移到襯底上，是集成電路、微電子制造的關(guān)鍵組件，其存放條件直接影響到生產(chǎn)的良
2026-01-05 10:29:0041 
鉻銳特實(shí)業(yè)|東莞三防漆廠家|三防漆與電子灌封膠是電子元器件保護(hù)的兩種常見方式。本文詳細(xì)對比兩者區(qū)別，并重點(diǎn)介紹如何通過“三防漆+灌封膠”的協(xié)同保護(hù)方案，實(shí)現(xiàn)更全面的防潮、防塵、防震及防腐保護(hù)，幫助您在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中做出更優(yōu)選擇。
2025-12-25 02:28:44109 
光刻膠涂覆不均勻或者曝光參數(shù)有偏差，會(huì)導(dǎo)致圖案模糊或偏移。這會(huì)直接影響到后道工序中的布線等操作。在芯片封裝這種后道工序中，若前道工序給出的芯片尺寸不準(zhǔn)確，可能會(huì)導(dǎo)
2025-12-22 15:18:33339 
能否詳細(xì)介紹一下MOSFET在電機(jī)控制中的作用？
2025-12-22 13:11:42
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在芯片制造領(lǐng)域，光刻膠用光引發(fā)劑長期被美日韓企業(yè)壟斷，成為制約我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵“卡脖子”技術(shù)。近日，這一局面被打破——湖北興福電子材料股份有限公司以4626.78萬元
2025-12-17 09:16:275950 在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓去膠工藝之后確實(shí)需要進(jìn)行清洗和干燥步驟。以下是具體介紹：一、清洗的必要性去除殘留物光刻膠碎片：盡管去膠工藝旨在完全去除光刻膠，但在實(shí)際操作中，可能會(huì)有一些微小的光刻膠顆粒殘留
2025-12-16 11:22:10110 
半導(dǎo)體晶圓去膠機(jī)自動(dòng)控制系統(tǒng)是確保高效、精準(zhǔn)去除光刻膠的關(guān)鍵，以下是其核心功能的介紹：高精度參數(shù)控制動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)能力：通過PLC或DCS系統(tǒng)集成PID算法，實(shí)時(shí)監(jiān)控溫度（±0.5℃）、壓力及藥液濃度等
2025-12-16 11:05:19210 
SPM（SulfuricPeroxideMixture，硫酸-過氧化氫混合液）作為一種高效強(qiáng)氧化性清洗劑，在工業(yè)清洗中應(yīng)用廣泛，以下是其主要應(yīng)用場景及技術(shù)特點(diǎn)的綜合分析：1.半導(dǎo)體制造中的核心應(yīng)用光刻膠
2025-12-15 13:20:31201 
的關(guān)鍵作用：在真空腔室中，它以0.01Pa的感知精度維持10?3Pa級高真空，且憑借穩(wěn)定晶體結(jié)構(gòu)，在輻射與溫度波動(dòng)下精度長期可控，遠(yuǎn)超硅、陶瓷材質(zhì)；在光刻膠涂布環(huán)節(jié)，其將氣路壓力誤差鎖定在±0.05kPa，避免膜厚偏差導(dǎo)致芯片故障；在晶圓固定與設(shè)備防護(hù)中，它精準(zhǔn)控制吸附壓力并監(jiān)測微泄漏，實(shí)現(xiàn)預(yù)警保護(hù)。
2025-12-12 13:02:26424 晶圓清洗是半導(dǎo)體制造中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，直接影響芯片良率和性能。其工藝要點(diǎn)可歸納為以下六個(gè)方面：一、污染物分類與針對性處理顆粒污染：硅粉、光刻膠殘留等，需通過物理擦洗或兆聲波空化效應(yīng)剝離。有機(jī)污染
2025-12-09 10:12:30236 
、有機(jī)物及金屬離子污染。方法：采用化學(xué)溶液（如SPM混合液）結(jié)合物理沖洗，通過高溫增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)效率，溶解并剝離表面殘留的光刻膠等物質(zhì)。二、核心清洗步驟有機(jī)溶劑處理
2025-12-08 11:24:01236 
在芯片制造這場微觀世界的雕刻盛宴中，光刻膠（PR）如同一位技藝精湛的工匠手中的隱形畫筆，在硅片這片“晶圓畫布”上勾勒出億萬個(gè)晶體管組成的復(fù)雜電路。然而，這支“畫筆”卻成了中國芯片產(chǎn)業(yè)最難突破的瓶頸之一：
2025-11-29 09:31:004626 
晶圓邊緣曝光（WEE）作為半導(dǎo)體制造關(guān)鍵精密工藝，核心是通過光刻膠光化學(xué)反應(yīng)去除晶圓邊緣多余膠層，從源頭減少污染、提升產(chǎn)品良率。文章聚焦其四階段工作流程、核心參數(shù)要求及光機(jī)電協(xié)同等技術(shù)難點(diǎn)。友思特
2025-11-27 23:40:39243 
ADSP-21060LCW-160內(nèi)容介紹： 今天我要向大家介紹的是 Analog Devices 的一款數(shù)字信號處理
2025-11-19 11:27:30
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，我國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來重大突破。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面
2025-10-27 09:13:046180 
顆粒物附著 ：空氣中懸浮的微塵落在涂覆光刻膠的晶圓表面，形成掩膜圖案外的異常散射中心。 有機(jī)揮發(fā)物（VOCs） ：光刻膠溶劑殘留或環(huán)境中的有機(jī)物吸附于晶圓邊緣，導(dǎo)致顯影不完全或線寬失真。 靜電吸附 ：干燥環(huán)境下積累的靜電荷會(huì)吸引周圍粒子至晶圓表面
2025-10-21 14:28:36688 系列。該系列產(chǎn)品主要面向mini/micro LED光電器件、光芯片、功率器件等化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，可靈活適配硅片、藍(lán)寶石、SiC等不同襯底材料，滿足多樣化的膠厚光刻工藝需求。 WS180i系列光刻機(jī)優(yōu)勢顯著。其晶圓覆蓋范圍廣，可處理2~8英寸的晶圓；分
2025-10-10 17:36:33929 中產(chǎn)生空化效應(yīng)，形成微小氣泡破裂時(shí)釋放的能量可剝離晶圓表面的顆粒物和有機(jī)膜層。該方法對去除光刻膠殘?jiān)葹橛行?，且能穿透?fù)雜結(jié)構(gòu)如溝槽和通孔進(jìn)行深度清潔。高壓噴淋沖洗
2025-10-09 13:46:43472 
在芯片封裝生產(chǎn)的精細(xì)流程中，有一個(gè)看似簡單卻至關(guān)重要的環(huán)節(jié)——銀膠烘焙。這道工序雖不像光刻或蝕刻那樣備受關(guān)注，卻直接決定著芯片的穩(wěn)定性和壽命。銀膠烘焙定義銀膠烘焙，專業(yè)術(shù)語稱為EpoxyCuring
2025-09-25 22:11:42494 
頑固雜質(zhì)。例如，光刻后的未曝光區(qū)域需要?jiǎng)冸x殘余的光刻膠及底層聚合物；刻蝕工序產(chǎn)生的金屬碎屑或反應(yīng)副產(chǎn)物也可能附著在晶圓表面。腐蝕清洗機(jī)通過特定化學(xué)試劑（如硫酸、雙氧
2025-09-25 13:56:46497 
濕法去膠工藝中出現(xiàn)化學(xué)殘留的原因復(fù)雜多樣，涉及化學(xué)反應(yīng)、工藝參數(shù)、設(shè)備性能及材料特性等多方面因素。以下是具體分析：化學(xué)反應(yīng)不完全或副產(chǎn)物生成溶劑選擇不當(dāng)：若使用的化學(xué)試劑與光刻膠成分不匹配（如堿性
2025-09-23 11:10:12497 
、金屬屑），優(yōu)先選擇物理作用強(qiáng)的超聲波或兆聲波模塊；針對有機(jī)殘留（光刻膠、樹脂）、油污等，則需化學(xué)溶解能力強(qiáng)的噴淋系統(tǒng)配合溶劑（如丙酮、NMP）。對于金屬離子污染，
2025-09-22 11:04:05464 
圖1 肘形圖形為目標(biāo)圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團(tuán)隊(duì)在全息光刻研究方面取得進(jìn)展。相關(guān)成果以
2025-09-19 09:19:56443 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
在半導(dǎo)體制造過程中，若濕法去膠第一次未能完全去除干凈，可能引發(fā)一系列連鎖反應(yīng)，對后續(xù)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量造成顯著影響。以下是具體后果及分析：殘留物導(dǎo)致后續(xù)工藝缺陷薄膜沉積異常：未清除的光刻膠殘留會(huì)作為異物
2025-09-16 13:42:02447 
隨著汽車行業(yè)快速增長，全球芯片市場對高性能芯片的需求大幅上漲。這一增長主要源于高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、電動(dòng)汽車(EV)和智能網(wǎng)聯(lián)汽車的普及。這些技術(shù)需要快速數(shù)據(jù)處理、增強(qiáng)傳感器融合以及更優(yōu)
2025-09-12 16:08:00524 
提高光刻膠殘留清洗效率需要結(jié)合工藝優(yōu)化、設(shè)備升級和材料創(chuàng)新等多方面策略，以下是具體方法及技術(shù)要點(diǎn)：1.工藝參數(shù)精準(zhǔn)控制動(dòng)態(tài)調(diào)整化學(xué)配方根據(jù)殘留類型（正膠/負(fù)膠、厚膜/薄膜）實(shí)時(shí)匹配最佳溶劑組合。例如
2025-09-09 11:29:06629 
引言 晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度，進(jìn)而影響器件性能。傳統(tǒng)
2025-09-03 09:25:20650 
在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn)，為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應(yīng)機(jī)制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準(zhǔn)度等方面實(shí)
2025-08-17 00:03:004220 澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)（EBL）是一款高性能、高精度的光刻設(shè)備，專為半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用先進(jìn)的場發(fā)射電子槍，結(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)，確保光刻質(zhì)量優(yōu)異且
2025-08-15 15:14:01
管理效率。本文將探討如何利用京東 API 打造一個(gè)高效、可靠的訂單處理系統(tǒng)。 京東 API 接口簡介 京東 API 是一組基于 RESTful 架構(gòu)的接口，允許開發(fā)者通過編程方式訪問京東平臺的訂單、商品、物流等數(shù)據(jù)。核心功能包括： 訂單查詢 ：獲取實(shí)時(shí)
2025-08-14 14:49:33582 
電子束光刻（EBL）是一種無需掩模的直接寫入式光刻技術(shù)，其工作原理是通過聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進(jìn)行納米級圖案直寫。
2025-08-14 10:07:212552 
制造過程中至關(guān)重要的一步，它通過曝光和顯影過程，在光刻膠層上精確地刻畫出幾何圖形結(jié)構(gòu)，隨后利用刻蝕工藝將這些圖形轉(zhuǎn)移到襯底材料上。這一過程直接決定了最終芯片的性能與功能。芯上微裝已經(jīng)與盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）有限公司等企業(yè)達(dá)成合作
2025-08-13 09:41:341988 
當(dāng)您尋找可靠的國產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時(shí)，一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381162 半導(dǎo)體濕法去膠是一種通過化學(xué)溶解與物理輔助相結(jié)合的技術(shù)，用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關(guān)鍵機(jī)制的詳細(xì)說明：化學(xué)溶解作用溶劑選擇與反應(yīng)機(jī)制有機(jī)溶劑體系：針對正性光刻膠
2025-08-12 11:02:511506 
“研發(fā)+量產(chǎn)”雙軌并行模式，總產(chǎn)能達(dá)萬噸級，是目前國內(nèi)規(guī)模領(lǐng)先的KrF光刻膠生產(chǎn)基地。產(chǎn)線集成了高自動(dòng)化控制系統(tǒng)，從原料配比到成品檢測的全流程實(shí)現(xiàn)智能化管控，不僅大幅提升了生產(chǎn)效率，更確保了產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。 ? 研發(fā)線專注于新
2025-08-10 03:26:009092 光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級，傳統(tǒng)檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43944 
→光阻去除核心目的：清除完成圖案轉(zhuǎn)移后剩余的光刻膠層，暴露出需要進(jìn)一步加工（如蝕刻、離子注入或金屬沉積）的芯片區(qū)域。承上啟下作用：連接前期的光刻圖案化與后續(xù)的材料
2025-07-30 13:33:021121 
）、乳酸乙酯等強(qiáng)極性溶劑溶脹并溶解光刻膠分子鏈。適用于傳統(tǒng)g線/i線正膠體系。優(yōu)勢：成本低、設(shè)備簡單；可配合噴淋或浸泡模式批量處理。局限：對新型化學(xué)放大型抗蝕劑（C
2025-07-30 13:25:43916 
于：光刻工藝后清洗：去除光刻膠殘留及顯影液副產(chǎn)物?？涛g后清潔：清除蝕刻副產(chǎn)物及側(cè)壁顆粒。先進(jìn)封裝：TSV（硅通孔）、Bumping（凸點(diǎn)）等3D結(jié)構(gòu)的窄縫污染物清除。
2025-07-23 15:06:54
在瞬間膠點(diǎn)膠加工過程中，膠閥漏膠是一個(gè)常見且棘手的問題。它不僅會(huì)導(dǎo)致膠水浪費(fèi)，增加生產(chǎn)成本，還會(huì)污染產(chǎn)品和設(shè)備，影響產(chǎn)品的粘接質(zhì)量和外觀，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐缮a(chǎn)中斷。不過，只要找到漏膠的根源，就能采取
2025-07-21 09:50:31920 
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面
2025-07-15 15:00:221224 晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時(shí)避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011622 
污染物。 方法：濕法化學(xué)清洗（如SC-1溶液）或超聲波清洗。 硅片拋光后清洗 目的：清除拋光液殘留（如氧化層、納米顆粒），避免影響后續(xù)光刻精度。 方法：DHF（氫氟酸）腐蝕+去離子水沖洗。 2. 光刻工序 光刻膠涂覆前清洗 目的：去除硅
2025-07-14 14:10:021016 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材，尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷，國外企業(yè)對原料和配方高度保密，我國九成以上光刻膠依賴進(jìn)口。不過近期，國產(chǎn)光刻膠領(lǐng)域捷報(bào)頻傳——從KrF
2025-07-13 07:22:006083 光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下，溶解度會(huì)發(fā)生變化，主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
2025-07-11 15:53:24430 
一、涂膠顯影設(shè)備：光刻工藝的“幕后守護(hù)者” 在半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)里，涂膠顯影設(shè)備與光刻機(jī)需協(xié)同作業(yè)，共同實(shí)現(xiàn)精密的光刻工藝。曝光工序前，涂膠機(jī)會(huì)在晶圓表面均勻涂覆光刻膠；曝光完成后，顯影設(shè)備則對晶
2025-07-03 09:14:54772 
的應(yīng)用。 改善光刻圖形線寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線寬的關(guān)鍵步驟。精確控制曝光劑量，可避免因曝光過度導(dǎo)致光刻膠過度反應(yīng)，使線寬變寬；或曝光不足造成線寬變窄。采用先進(jìn)的曝光設(shè)備，如極紫外（EUV）光刻機(jī)
2025-06-30 15:24:55740 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形的垂直度對器件的電學(xué)性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準(zhǔn)控制光刻圖形垂直度是保障先進(jìn)制程工藝精度的關(guān)鍵。本文將系統(tǒng)介紹改善光刻圖形垂直度的方法，并
2025-06-30 09:59:13489 、蝕刻、薄膜沉積等工序，每個(gè)環(huán)節(jié)均需準(zhǔn)確溫控。以下以典型場景為例，闡述半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller的技術(shù)需求與解決方案：1、光刻工藝中的溫度穩(wěn)定性保障光刻膠涂布與曝
2025-06-26 15:39:09820 
引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 在半導(dǎo)體制造的整個(gè)過程中，有一個(gè)步驟比光刻還頻繁、比刻蝕還精細(xì)，那就是清洗。一塊晶圓在從硅片變成芯片的全過程中，平均要經(jīng)歷50到100次清洗，而每一次清洗的失敗，都有可能讓整個(gè)批次報(bào)廢。你可能會(huì)
2025-06-24 17:22:47688 
引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 在 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay（套刻精度），則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過程中，前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對準(zhǔn)精度。
2025-06-18 11:30:491557 
至關(guān)重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液 配方設(shè)計(jì) 低銅腐蝕光刻膠剝離液需兼顧光刻膠溶解能力與銅保護(hù)性能。其主要成分包括有機(jī)溶
2025-06-18 09:56:08693 一、產(chǎn)品概述全自動(dòng)Mask掩膜板清洗機(jī)是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機(jī)物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆
2025-06-17 11:06:03
測量對工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關(guān)重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法，并介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法 配方組成 低含量 NMF 光刻膠剝離液主要由低濃度 NMF、助溶劑、堿性物質(zhì)、緩蝕劑
2025-06-17 10:01:01678 通過使用光掩膜和光刻膠在基板上復(fù)制流體圖案的過程?；鍖⑼扛补瓒趸瘜咏^緣層和光刻膠。光刻膠在被紫外光照射后可以容易地用顯影劑溶解，然后在腐蝕后，流體圖案將留在基板上。無塵室(Cleanroom)排除掉空間范圍內(nèi)空氣中的微
2025-06-16 14:36:251070 介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的作用。 金屬低刻蝕的光刻膠剝離液 配方設(shè)計(jì) 金屬低刻蝕光刻膠剝離液需平衡光刻膠溶解能力與金屬保護(hù)性能。其核心成分包括有機(jī)溶劑、堿性物質(zhì)和緩蝕劑。有機(jī)溶劑（如 N - 甲基吡咯烷酮）負(fù)責(zé)溶
2025-06-16 09:31:51586 ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 全息圖樣對應(yīng)的物光源。加密過程中，讓兩束光干涉疊加得到干涉圖樣，并用膠片或者光刻膠記錄下來，得到一個(gè)全息圖；解密時(shí)，只使用復(fù)雜的隨機(jī)圖樣照射前面形成的全息圖就可以獲得物光源信息。
圖1是加密過程示意圖
2025-06-13 08:42:59
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162127 通過單晶生長工藝獲得的單晶硅錠，因硅材質(zhì)硬脆特性，無法直接用于半導(dǎo)體芯片制造，需經(jīng)過機(jī)械加工、化學(xué)處理、表面拋光及質(zhì)量檢測等一系列處理流程，才能制成具有特定厚度和精度要求的硅片。其中，針對硅錠的晶片切割工藝是芯片加工流程中的關(guān)鍵工序，其加工效率與質(zhì)量直接影響整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)產(chǎn)能。
2025-06-06 14:10:09715 
如果說最終制造出來的芯片是一道美食，那么光刻膠就是最初的重要原材料之一，而且是那種看起來可能不起眼，但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠（photoresist），在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑
2025-06-04 13:22:51992 與良品率，因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測量方法意義重大。 影響機(jī)制 工藝應(yīng)力引發(fā)變形 在金屬陽極像素制作時(shí)，諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會(huì)引入工藝應(yīng)力。光刻中，光刻膠的涂覆與曝光過程會(huì)因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段，蝕刻氣體或液體對晶圓表面的作用若不均
2025-05-29 09:43:43589 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108 
各種不同的組件中，具體取決于預(yù)期用途。在這種情況下，我們將堆棧加載到一般光學(xué)設(shè)置中的一個(gè)光柵組件中，以便模擬整個(gè)系統(tǒng)。有關(guān)詳細(xì)信息，請參閱：用于通用光學(xué)系統(tǒng)的光柵元件
微結(jié)構(gòu)晶片的角度響應(yīng)
該光柵組件
2025-05-28 08:45:08
優(yōu)勢，為光刻圖形測量提供了可靠手段。 ? Micro OLED 陽極像素定義層制備方法 ? 傳統(tǒng)光刻工藝 ? 傳統(tǒng) Micro OLED 陽極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽極材料，接著旋涂光刻膠，通過掩模版曝光使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，隨后
2025-05-23 09:39:17628 出現(xiàn)誤差。傳統(tǒng)聚焦手段已不能滿足電子直寫光刻機(jī)對電子束質(zhì)量的要求。
只有對聚焦電極改進(jìn)才是最佳選擇，以下介紹該進(jìn)后的電極工作原理。通過把電子束壓縮到中心線達(dá)到縮束的目的，使電子束分布在一條直線
2025-05-07 06:03:45
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進(jìn)行掩模版加工制造，在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺，在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10
：去除硅片表面的顆粒、有機(jī)物和氧化層，確保光刻膠均勻涂覆。 清洗對象： 顆粒污染：通過物理或化學(xué)方法（如SC1槽的堿性清洗）剝離硅片表面的微小顆粒。 有機(jī)物殘留：清除光刻膠殘?jiān)蚯暗拦に嚵粝碌挠袡C(jī)污染物（如SC2槽的酸性清洗）
2025-04-30 09:23:27478 光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337833 
及應(yīng)用的詳細(xì)介紹： 一、技術(shù)原理 化學(xué)反應(yīng)機(jī)制 氨水（NH?OH）：提供堿性環(huán)境，腐蝕硅片表面的自然氧化層（SiO?），使附著的顆粒脫離晶圓表面。 過氧化氫（H?O?）：作為強(qiáng)氧化劑，分解有機(jī)物（如光刻膠殘留）并氧化硅片表面，形成新的親水性
2025-04-28 17:22:334239 刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備?？涛g的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層，具體而言，是通過物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452200 
第9章 集成電路制造工藝概況 第10章 氧化 第11章 淀積 第12章 金屬化 第13章 光刻：氣相成底膜到軟烘 第14章 光刻：對準(zhǔn)和曝光 第15章 光刻：光刻膠顯影和先進(jìn)的光刻技術(shù) 第16章
2025-04-15 13:52:11
數(shù)據(jù)中介的示意圖。
光刻膠
正性光刻膠中感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉，未感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解；復(fù)姓光刻膠的感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解，未感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉。如下圖所示
2025-04-02 15:59:44
，三合一工藝平臺，CMOS圖像傳感器工藝平臺，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。 正性和負(fù)性。 光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻
2025-03-27 16:38:20
微流控芯片制造過程中，勻膠是關(guān)鍵步驟之一，而勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速會(huì)在多個(gè)方面對微流控芯片的精度產(chǎn)生影響： 對光刻膠厚度的影響 勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速與光刻膠厚度成反比關(guān)系。旋轉(zhuǎn)速度影響勻膠時(shí)的離心力，轉(zhuǎn)速越大，角速度越大
2025-03-24 14:57:16751 光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液
2025-03-18 13:59:533008 
在本示例中，模擬了衰減相移掩模。 該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。 掩模的單元格如下圖所示：
掩模的基板被具有兩個(gè)開口的吸收材料所覆蓋。在其中一個(gè)開口的下方，位于相移區(qū)域。
由于這個(gè)例子是所謂
2025-03-12 09:48:30
所需的厚度。在微流控領(lǐng)域，勻膠機(jī)主要用于光刻膠的涂覆，以確保光刻過程的均勻性和質(zhì)量。 勻膠機(jī)的主要組成部分 旋轉(zhuǎn)平臺：承載基片的平臺，通過高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生離心力。 滴膠裝置：控制膠液的滴落量和位置。 控制系統(tǒng)：調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)速
2025-03-06 13:34:21678 哪家底部填充膠廠家比較好？漢思底填膠優(yōu)勢有哪些？漢思底部填充膠作為電子封裝領(lǐng)域的重要材料供應(yīng)商，憑借其技術(shù)創(chuàng)新和多樣化的產(chǎn)品線，在行業(yè)中具有顯著優(yōu)勢。以下是其核心特點(diǎn)及市場表現(xiàn)的詳細(xì)分析：一、核心
2025-02-20 09:55:591170 
，貼膜后的清洗過程同樣至關(guān)重要，它直接影響到外延晶片的最終質(zhì)量和性能。本文將詳細(xì)介紹碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步驟、所用化學(xué)試劑及
2025-02-07 09:55:37317 
光學(xué)操控技術(shù)已成為諸多應(yīng)用領(lǐng)域中的有力工具，它的蓬勃發(fā)展也使得學(xué)界對光學(xué)器件小型化的需求日益增長。因此，以超表面和衍射光學(xué)元件為代表的平面透鏡技術(shù)由于其相對傳統(tǒng)衍射光學(xué)器件極小的厚度而得到廣泛關(guān)注。然而這些小型化器件的制造工藝紛繁復(fù)雜且價(jià)格昂貴，這使得平面透鏡的產(chǎn)業(yè)化與批量化生產(chǎn)受到很大的限制。??????
2025-02-06 10:16:491422 
光刻機(jī)用納米位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2025-02-06 09:38:031028 
環(huán)形線定子電機(jī)灌封膠 動(dòng)磁電機(jī)灌封膠 磁懸浮電機(jī)灌封膠新能源電車IGBT灌封膠 高壓接觸器灌封膠 新能源無線充電灌封膠盤式電機(jī)灌封膠 扁平電機(jī)灌封膠 無框力矩電機(jī)灌封膠 人形機(jī)器人關(guān)節(jié)手臂
2025-02-05 16:39:00
盤式電機(jī)灌封膠 扁平電機(jī)灌封膠 無框力矩電機(jī)灌封膠 人形機(jī)器人關(guān)節(jié)手臂電機(jī)環(huán)形線定子電機(jī)灌封膠 動(dòng)磁電機(jī)灌封膠 磁懸浮電機(jī)灌封膠新能源電車IGBT灌封膠 高壓接觸器灌封膠 新能源無線充電
2025-02-05 16:25:52
光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:003591 
今天我們再詳細(xì)看看Underfill工藝中所用到的四種填充膠：CUF，NUF，WLUF和MUF。 倒裝芯片的底部填充工藝一般分為三種：毛細(xì)填充（流動(dòng)型）、無流動(dòng)填充和模壓填充，如下圖所示， 目前看來
2025-01-28 15:41:003970 
)、程序控制系統(tǒng)等部分組成。 在光刻工藝中，涂膠/顯影設(shè)備則是作為光刻機(jī)的輸入(曝光前光刻膠涂覆)和輸出(曝光后圖形的顯影)設(shè)備，通過機(jī)械手使晶圓在各系統(tǒng)之間傳輸和處理，從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅(jiān)膜等工
2025-01-20 14:48:52678
在運(yùn)放和ADC芯片的數(shù)據(jù)手冊中經(jīng)?？吹絫rack-and-hold，誰能詳細(xì)介紹一下track-and-hold？
2025-01-20 09:10:12
本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片光刻機(jī)和面板光刻機(jī)。面板光刻機(jī)的工作原理和芯片光刻機(jī)相似
2025-01-16 09:29:456359 
適用于內(nèi)窺鏡鏡頭模組的環(huán)氧樹脂封裝膠適用于內(nèi)窺鏡鏡頭模組的環(huán)氧樹脂封裝膠是一種高性能的膠粘劑，它結(jié)合了環(huán)氧樹脂的優(yōu)異特性和內(nèi)窺鏡鏡頭模組的特殊需求。以下是對這種環(huán)氧樹脂封裝膠的詳細(xì)解析：一、環(huán)氧樹脂
2025-01-10 09:18:161119 
，nanoimprint lithography），它能夠繪制出小至14納米的電路特征——使邏輯芯片達(dá)到與英特爾、超微半導(dǎo)體（AMD）和英偉達(dá)現(xiàn)正大量生產(chǎn)的處理器相當(dāng)?shù)乃健?納米壓印光刻系統(tǒng)具有的優(yōu)勢可能對當(dāng)今主導(dǎo)先進(jìn)
2025-01-09 11:31:181280 用先進(jìn)材料項(xiàng)目等。 恒坤新材成立于2004年12月，是中國境內(nèi)少數(shù)具備12英寸集成電路晶圓制造關(guān)鍵材料研發(fā)和量產(chǎn)能力的創(chuàng)新企業(yè)之一。據(jù)其股東廈門市產(chǎn)業(yè)投資基金披露，恒坤新材是國內(nèi)12英寸晶圓制造先進(jìn)制程上出貨量最大的光刻膠企業(yè)。 根據(jù)弗若斯特沙利文市
2025-01-07 17:38:55843 一、烘膠技術(shù)在微流控中的作用 提高光刻膠穩(wěn)定性 在 微流控芯片 制作過程中，光刻膠經(jīng)過顯影后，進(jìn)行烘膠（堅(jiān)膜）能使光刻膠結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。例如在后續(xù)進(jìn)行干法刻蝕、濕法刻蝕或者LIGA等工藝時(shí)，烘膠可以讓
2025-01-07 15:18:06824 納米級別的分辨率。本文將詳細(xì)介紹光刻機(jī)的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機(jī)的心臟，負(fù)責(zé)提供曝光所需的能量。早期的光刻機(jī)使用汞燈作為光源，但隨著技術(shù)的進(jìn)步，目前多采用深紫外（DUV）或極紫外（EUV）光源，
2025-01-07 10:02:304530 
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