看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲HBM不再是唯一熱門，更多存儲芯片與AI推理芯片結(jié)合，擁有了市場機會。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機存取存儲器（Static
2025-03-03 08:51:57
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SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持數(shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應及時的特點，廣泛應用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57443 
使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM
下載示例
演示AT32F系列使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的使用方法。
注：本例程對應的代碼是基于雅特力提供的V2.x.x 板級支持包
2025-12-03 16:26:37
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計與明確
2025-12-02 13:50:46869 Cypress賽普拉斯512Kbit FRAM憑借微秒級寫入、10^14次擦寫壽命及151年數(shù)據(jù)保留，為車載黑匣子EDR提供高可靠數(shù)據(jù)存儲。其-40℃~105℃車規(guī)級工作范圍確保碰撞數(shù)據(jù)完整記錄，滿足汽車安全法規(guī)嚴苛要求。
2025-12-01 09:47:00246 
MRA、MRB、SAR、DAR、CRA和CRB這些都是屬于DTC內(nèi)部的寄存器，它們是無法通過CPU直接訪問的。這些DTC內(nèi)部寄存器中設(shè)置的值作為傳輸信息放置在SRAM區(qū)域中。當生成激活請求時，DTC
2025-11-28 15:50:584483 
運動控制領(lǐng)域，通常需要外擴FPGA實現(xiàn)高速脈沖收發(fā)、高速探針鎖存、比較輸出等功能，ARM和FPGA之間的接口通常選擇并口（Localbus）或SPI接口。
FET153-S核心板引出了并口接口，但
2025-11-28 14:13:39
在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 VS Code運行 pytest_hello_world.py
2025-11-24 00:33:33442 DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過周期性刷新來維持數(shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復用設(shè)計，提高了存儲密度，但增加了控制復雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景，如計算機內(nèi)存。
2025-11-18 11:49:00477 在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來的重要
2025-11-18 11:13:01244 富士通16Kbit FRAM憑借微秒級寫入速度與10萬億次擦寫壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲。其SPI接口與工業(yè)級溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無人機、安防監(jiān)控等場景的實時數(shù)據(jù)記錄需求。
2025-11-18 09:48:00317 
在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲單元，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）承擔著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當前
2025-11-12 13:58:08457 PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應用。
2025-11-11 11:39:04499 我目前正在使用EZ-USB? CX3（MIPI CSI-2 到超高速USB橋接控制器）開發(fā)固件。
我想知道如何檢查或估算該設(shè)備的SRAM 使用量。
由于 CX3不支持 JTAG 訪問，我無法使用典
2025-11-11 06:33:59
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 上一篇文章介紹了如何在VS code中使用瑞薩官方插件為RA芯片創(chuàng)建項目與項目調(diào)試，相信大家對RA在VS code中的開發(fā)有了基礎(chǔ)的了解。
2025-11-05 14:46:311250 
大家好，本團隊此次分享的內(nèi)容為可實現(xiàn)數(shù)據(jù)全復用高性能池化層設(shè)計思路，核心部分主要由以下3個部分組成；
1.SRAM讀取模塊；——池化使用的存儲為SRAM
基于SRAM讀與寫時序，約束池化模塊讀與寫
2025-10-29 07:10:56
PSRAM全稱為pseudo SRAM，一般叫偽靜態(tài)SRAM,串行PSRAM具有類似SRAM的接口協(xié)議，給出地址，讀、寫命令，就可以實現(xiàn)存取，不同于DRAM需要用到memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新
2025-10-27 16:04:47450 非揮發(fā)性存儲器，如NAND、NOR Flash，數(shù)據(jù)在掉電后不會丟失。這類存儲器通常速度比較慢，可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲。
2025-10-27 15:14:39310 在存儲解決方案中，外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越，但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸：不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 本篇將詳細介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點。在FPGA中實現(xiàn)SRAM讀寫測試，包括設(shè)計SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
電機驅(qū)動EMC整改：傳統(tǒng)VS智能，性價比之爭｜深圳南柯電子
2025-10-21 10:13:33354 CIU32D695x8 ARM Cortex-M0+ 32-bit MCU，64KB Flash ，6KB SRAM ， DMA ，2x UART ， I2C ，2x SPI ， Timers
2025-10-20 11:37:02801 
ADSP-21060LCW-160內(nèi)容介紹： 哈嘍，朋友們，今天我要向大家介紹的是一款處理器——ADSP-21060LCW-160。 它擁有一個令人驚嘆的計算核心，能夠以每秒 4000 萬條指令（40 MIPS）的速度運行，更令人矚目的是，它每秒可以完成高達 1.6 億次浮點運算（160 MFLOPS）。這
2025-10-15 12:01:31
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級FRAM，150ns極速寫入、1萬億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點提供高可靠非易失存儲。
2025-10-10 09:45:00307 Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機存取存儲器器件，可通過兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問的隨機存取存儲器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55561 富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲方案，支持納秒級寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲器延遲高、壽命短問題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應與可靠性。
2025-09-11 09:45:00481 
在此前的文章《SRAM PUF：為每顆芯片注入“不可復制的物理指紋”，守護芯片安全》中，我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟
2025-09-05 10:46:161153 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計，支持-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍，適用于車載導航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場景。
2025-09-04 10:00:00534 8月29日，廣汽集團發(fā)布2025年半年度報告。報告期內(nèi)，公司合并口徑營業(yè)總收入約426.11億元。公司資產(chǎn)負債率為44.65%，財務健康水平進一步提高。
2025-09-01 10:50:551265 Cypress 64Kbit FRAM以納秒寫入、萬億次擦寫、微瓦功耗，破解手持檢測器數(shù)據(jù)丟幀、壽命及續(xù)航痛點，覆蓋-40℃~85℃，50G抗震，直接替代EEPROM，30天續(xù)航，零掉電丟數(shù)。
2025-08-28 09:45:00434 使用 NUC505 時如何將代碼放入 SRAM 中執(zhí)行？
2025-08-28 08:25:40
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復位時不初始化？
2025-08-25 06:09:44
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復位時不初始化？
2025-08-21 07:17:17
如何在Keil開發(fā)環(huán)境中查看代碼大小和SRAM使用情況？
2025-08-20 06:38:41
兩個總線能不能同時使用，用了華邦的SDRAM發(fā)現(xiàn)SDRAM數(shù)據(jù)高概率讀寫錯誤，但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
2025-08-12 06:56:57
如今我們所生活的互聯(lián)世界依賴于數(shù)以億計的芯片。社會正常運轉(zhuǎn)所需的芯片數(shù)量之大，令人驚嘆，因此保護芯片安全的技術(shù)至關(guān)重要。
2025-08-11 16:18:131127
AD7606BSTZ引腳配置：OS0/OS1/OS2=0;RANGE=0; REF SEL=0; STBY=0;REFIN外接5v，采樣頻率10khz，并口模式，STM32F103fsmc讀取，采集5v基準得到數(shù)值0X76F6,而不是0X7FFF,采集其它電壓，等比例縮小，請問什么原因呢？
2025-07-28 08:20:47
賽普拉斯2 Mbit FRAM FM25V20A-DG以40 MHz SPI總線、1012次擦寫壽命和100 krad(Si)抗輻射能力，取代呼吸機中EEPROM與SRAM加電池的傳統(tǒng)方案，為智能生命支持系統(tǒng)提供原子級可靠的數(shù)據(jù)存儲基石。
2025-07-24 11:25:44521 
= 0x102a26db, LR = 0x7ffffff
同樣的邏輯在SRAM0,SRAM1,SRAM2,和code flash的ecc inject測試暫時都沒有出現(xiàn)過這類問題。 work flash需要做什么特殊的操作嗎？
2025-07-18 06:19:51
各位大佬，我們實驗室有一臺設(shè)備，以一個單片機作為微型計算機，有一個db25并口輸出接口用來連接針式打印機，我現(xiàn)在想把它跟工控機連接起來讀取其輸出數(shù)據(jù)，聯(lián)系過廠家說他們沒有做這種功能，但是既然可以連接
2025-07-15 17:42:52
一般我們開發(fā)MCU自帶的SRAM，對一般應用來說，已經(jīng)夠用了，但是對于內(nèi)存需求較高的場合，比如跑GUI或者算法等，自帶的內(nèi)存會就不夠用，這個時候就要外擴SRAM或SDRAM。
2025-07-15 09:33:091781 
客戶要求Flash driver不能存儲在Flash中，需要在升級的時候，由CAN FBL發(fā)送到SRAM中，再運行SRAM中的Flash driver
我應該如何實現(xiàn)這個要求？如何能把Flash driver分離成一個單獨的部分，再由CAN FBL加載到SRAM中?你們有相關(guān)的文檔和示例程序嗎？
2025-07-15 07:22:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，Marvell 美滿電子當?shù)貢r間 17 日宣布推出業(yè)界首款 2nm 定制 SRAM，可為 AI xPU 算力設(shè)備提供至高 6Gb（即 768MB）的高速片上緩存。Marvell
2025-06-21 00:57:007264 CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點及核心優(yōu)勢：核心特點接口與模式支持 SPI（單線） 和 QPI（四線） 模式，默認上電為 SPI 模式，可通過指令切換至
2025-06-06 15:01:36
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后， 通過對SRAM芯片的深入研究，對測試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶直觀地看到失效點分布位置。 通過多個失效芯片圖像的疊加，客戶可以看到多個芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45862 
我對 PMG1 閃光燈有疑問。
1.微控制器讀取閃存中的軟件信息時，軟件信息部署在哪里？ 是 SRAM 嗎？
2.微控制器加載軟件時，在部署之前是否檢查 SRAM 是否復位？
2025-05-23 06:22:31
在工業(yè)通信領(lǐng)域，技術(shù)革新與突破始終是推動行業(yè)發(fā)展的核心動力。今天，為大家?guī)砘贒SMC/FlexBus并口的RK3576J與FPGA通信方案，核心板國產(chǎn)化率高達100%，為工控場景帶來高效、穩(wěn)定的通信新體驗。
2025-05-21 11:51:051687 
為大家?guī)砘贒SMC/FlexBus并口的RK3576J與FPGA通信方案
2025-05-20 11:45:184103 
你好。我是CYUSB3的初學者。
我想創(chuàng)建一個使用 CYUSB3KIT-003 使用 GPIO 訪問 SRAM 的應用程序。
目前我已經(jīng)在我的電腦上安裝了SDK，但是有什么參考資料嗎？
2025-05-14 06:51:40
DeepCover 嵌入式安全方案采用多重先進的物理安全機制保護敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級的密鑰存儲安全保護。
DeepCover安全管理器(DS3640)是一款具有1024字節(jié)加密SRAM的安全
2025-05-13 11:22:05618 
規(guī)格型號：T19264M02外形尺寸：120.0mm*62.0mm視窗尺寸：104.0mm*39.0mm控制芯片：7920帶中文字庫接口方式：并口/串口工作電壓：5.0V或3.3V規(guī)格型號
2025-04-28 10:50:33
規(guī)格型號：T12864C065A外形尺寸：65mm*41mm，視窗尺寸：61.5*31.5mm，控制芯片：ST7565，接口方式：并口或SPI串口，工作電壓：3.3V，顯示效果：白底黑字、綠底黑字
2025-04-28 10:43:03
產(chǎn)品型號：T12232M6529A外形尺寸：65.4*29.0*5.8MM視窗尺寸：60.0*19.0MM通訊接口：并口/SPI/3.3V/5V/排線接口控制芯片：ST7565工作電壓
2025-04-27 16:33:02
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
我有 NXP S32G3 板。我有 .map 文件。有沒有辦法從 .map 文件確定 SRAM 使用情況。
非常感謝幫助。
2025-04-08 06:00:58
中小尺寸彩屏TFT-LCD顯示控制器RA8889ML3N電路原理圖，最高驅(qū)動1366*2048分辨率，支持并口/串口（SPI）主控接口，支持圖形繪圖引擎，支持JPEG視頻硬解碼. 原理圖和PCB圖資料如下:*附件：RA8889_EV_Board_202006118.zip
2025-04-03 14:33:52
如何使用 S32 Design Studio for ARM 將自定義數(shù)據(jù)放入 SRAM 中以進行S32K146？
2025-04-01 08:27:32
我在定制硬件中使用S32K312 IC （單核）。我已使用 RTD SDK 創(chuàng)建了該項目。
我看到有以下 RAM（大分區(qū)）可供我們使用（根據(jù)生成的鏈接器文件）：
int_dtcm
int_sram
2025-03-27 07:16:12
除了運算、控制和存儲部件，海波闊系統(tǒng)需要的一些通用的外部接口，如中斷控制器、看門狗、計數(shù)器、串口和并口等。
MCU主要應用于要求不高的場合。
中央處理器(CPU)
中央處理器(CPU)是通用
2025-03-23 09:47:39
PT5F2306 是一款 51 內(nèi)核的觸控 A/D 型 8 位 MCU，內(nèi)置 16K*8bit FLASH、內(nèi)部 256*8bitSRAM、外部 512*8bit SRAM、觸控檢測、12 位高精度
2025-03-17 17:25:28
0 采用STM32F427+FPGA+Flash。
STM32通過FMC總線訪問FPGA內(nèi)部SRAM，起始地址為0x60000000；
Flash中存儲FPGA的配置數(shù)據(jù)，STM32和FPGA均可
2025-03-12 07:59:54
SRAM16 KB RTC SRAM最大 8 MB Quad SPI flash2 MB 嵌入式 PSRAM（僅 ESP32 - S3FH4R2 芯片）Wi -
2025-03-07 14:46:59
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
兩塊SRAM分別位于不同的基地址，有什么方法可以使這兩塊區(qū)域SRAM當成一塊使用
2025-03-07 08:59:10
，520KB SRAM，16KB RTC SRAM模組集成元件40MHz 晶振4/8/16MB SPI flash（可選），ESP32-DOWDR2-V3 芯片另內(nèi)置 2
2025-03-06 19:42:35
MSP430?超低功耗（ULP）FRAM平臺將獨特的嵌入式FRAM和整體超低功耗系統(tǒng)架構(gòu)組合在一起，從而使得創(chuàng)新人員能夠以較少的能源預算增加性能。FRAM技術(shù)以低很多的功耗將SRAM的速度、靈活性和耐久性與閃存的穩(wěn)定性和可靠性組合在一起。
2025-03-04 17:11:151075 
P1032BF1是一款基于ARM Cortex-M3的單片機，專為Wi-Fi /藍牙通信控制而設(shè)計；能夠?qū)崿F(xiàn)指紋的圖像采集、特征提取、特征比對，可應用于智能鎖；支持大型程序代碼和擁有大型嵌入式SRAM，也可用于一般的MCU應用。
2025-03-04 09:27:09762 帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實時時鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43995 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58891 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41748 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50932 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54821 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951 
我們項目里面只用到了mipi接口，請問下如何處理不用的并口輸入呢？
規(guī)格書中在第7頁有描述PDM_CVS_TE,VSYNC_WE,HSYNC_CS,DATAEN_CMD需要下拉，但沒有明確說PCLK和PDATA【0~23】該如何處理，
請問下PCLK和PDATA【0~23】該如何處理呢？
2025-02-27 08:43:29
DS3232是低成本溫度補償晶體振蕩器(TCXO)，內(nèi)置精度極高的溫度補償實時時鐘(RTC)以及236字節(jié)電池備份SRAM。此外，DS3232還具有電池輸入，可在器件主電源掉電時保持精確計時。集成晶
2025-02-26 15:05:231007 
DS3232M是一款低成本、極其精確的I2C實時時鐘（RIC），具有236字節(jié)的電池支持SRAM。該設(shè)備集成了電池輸入，并在設(shè)備主電源中斷時保持精確的計時，微機電系統(tǒng)（MEMS）諧振器的集成提高了
2025-02-26 13:58:471055 
問下我如果只用到DLPC3433的mipi輸入，將并口進行接地處理（如下圖）會不會對mipi-dsi的使能有影響呢？
2025-02-26 06:54:29
請問如果僅僅使用MIPI DSI，并口不用。那么如果有些并口引腳懸空，那么會影響MIPI的使能嗎?
2025-02-26 06:01:27
結(jié)果變化，因此RGB并口上發(fā)出的兩幀圖片間隔可能會比較長（下圖Frame TIme時間）。請問這種情況下DLPC900對VSYNC的間隔是否有最小時間要求？比如必須固定60Hz之類的？
另外，請問如果我們?nèi)サ鬍VM的IT6535的話，是否不能直接使用官網(wǎng)上的FW和GUI？
2025-02-24 06:45:02
3.5英寸高清智能串口屏 8位MCU并口通信的COG裸屏 或帶驅(qū)動板232串口通信的智能屏
2025-02-18 14:49:36824 
),
通過并口傳輸，在RGB888模式下，圖片大小為1920*1080*24bit， 如果時鐘頻率是100MHz，需要多久能傳輸完畢？和速度1440 Hz (1-bit) and 180 Hz (8-bit)有何關(guān)系？多謝
2025-02-18 07:21:58
規(guī)格型號：T160160C027B分 辨 率：160*160外形尺寸：65.5*71.5視窗尺寸：60.0*60.0顯示模式：FSTN工作電壓：3.3V通訊接口：SPI或8位并口，F(xiàn)PC焊接"
2025-02-17 13:58:401
你好。我選用的是TI的ths1230與DSP2812之間直接并口連接，進行數(shù)據(jù)采集，時鐘頻率為12.5MHZ，也即采樣率為12.5MHZ，XINTF選用的是ZONE6。但DSP讀AD的數(shù)據(jù)
2025-02-11 06:55:58
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設(shè)計。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應用
2025-02-09 22:38:10
這次采用ads8548作為AD芯片，采用pdf上的電路，用的是硬件模式，采集電壓給的都是1V，busy信號也出來了，為什么從并口讀出來的數(shù)都是全0呢？
2025-02-05 07:19:59
時的頻率PWM正常、產(chǎn)生500K頻率時在上升沿和下降沿有些尖脈沖、達到10M時PWM波直接失真變形成了類似正弦波）；二是告訴ADC的并口輸出的數(shù)據(jù)處理問題（我們目前使用的ADC12040為12位并口輸出
2025-01-24 06:51:37
實踐ADS1605
因為設(shè)計要做ADS解碼專用，所以找來找去用到了ADS1605這個芯片，并口設(shè)計，信號可以識別小信號的。
因為買的是專業(yè)板子，所以上面都集成好了。
板子流程圖。
用到解碼流程圖
效果還不錯，就是數(shù)據(jù)容易受到干擾的。
2025-01-21 07:58:03
軟件設(shè)置，并口。內(nèi)部參考電壓。REFIO 和 REFN 引腳通過0.47uF電容，REFN接地。配置寄存器為0X8C0083FF。
BUSY引腳監(jiān)測讀取數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)不正確。測量REFIO引腳電壓為0.
看手冊，REFIO引腳應該是內(nèi)部參考的輸出啊。請問哪兒出問題了。
2025-01-16 06:47:28
交流充電樁VS直流充電樁，您真的清楚它們的區(qū)別嗎？
2025-01-14 11:24:502863 
的內(nèi)部存儲器進行指令獲取，F(xiàn)-CBUS的目標是內(nèi)部Flash、外部存儲器（QSPI_flash）、BLE和內(nèi)部SRAMs SRAM0 SRAM1 SRAM2和SRAM3。類似的 SBUS是RISC-V
2025-01-11 23:26:36
需要2個單片機同時都能訪問SRAM,需要把2個單片機的總線通過開關(guān)進行切換，查了SN74CBTLV16292 芯片，是屬于FET multiplexer/demultiplexer ，頭一次用這個
2025-01-09 08:24:26
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