一種簡單的可控硅好壞判斷方法
2009-07-28 08:17:03
6506 提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產(chǎn)生第一流體的彎液面?；逶诮咏^下方線性移動。還提供了單晶片清潔系統(tǒng)。
2022-03-22 14:11:042063 
多年來，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點，例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:044575 
晶片鍵合是指通過一系列物理過程將兩個或多個基板或晶片相互連接和化學(xué)過程。晶片鍵合用于各種技術(shù)，如MEMS器件制造，其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)用領(lǐng)域包括三維集成、先進(jìn)的封裝技術(shù)和CI制造業(yè)在晶圓鍵合中有兩種主要的鍵合，臨時鍵合和永久鍵合，兩者都是在促進(jìn)三維集成的技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2022-07-21 17:27:433881 在微電子封裝中，引線鍵合是實現(xiàn)封裝體內(nèi)部芯片與芯片及芯片與外部管腳間電氣連接、確保信號輸入輸出的重要方式，鍵合的質(zhì)量直接關(guān)系到微電子器件的質(zhì)量和壽命。針對電路實際生產(chǎn)中遇到的測試短路、內(nèi)部鍵合絲脫落
2023-11-02 09:34:052182 
芯片鍵合，作為切割工藝的后道工序，是將芯片固定到基板（substrate）上的一道工藝。引線鍵合（wire bonding）則作為芯片鍵合的下道工序，是確保電信號傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">一個過程。wire bonding是最常見一種鍵合方式。
2023-11-07 10:04:536291 
為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方案。首先，對選定樣品進(jìn)行正交試驗
2024-01-03 09:41:192467 
鍵合玻璃載板（Glass Carrier/Substrate）是一種用于半導(dǎo)體封裝工藝的臨時性硬質(zhì)支撐材料，通過鍵合技術(shù)與硅晶圓或芯片臨時固定在一起，在特定工序（如減薄、RDL布線）完成后通過紫外光
2026-01-05 09:23:37561 `3W 365nm 375nm 385nm 395nm 405nm 410nm 415nm 420nm 大功率紫外線UVLED ，45度和60度石英玻璃透鏡 3535尺寸 石英透鏡燈珠 特點
2019-03-01 17:49:23
晶片與工作臺面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對蝕刻液會形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳?！ 榱丝朔F(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
1917年，P. Langevin教授使用一些X切的石英晶片來產(chǎn)生并探測水中的聲波。他的目的是為了提供一種探測潛艇的方法，并且他的研究引導(dǎo)了聲納的發(fā)展。今天，這種技術(shù)仍然被用于超聲波成像。1923年
2008-11-24 16:20:40
石英晶體振蕩器一般由外殼、晶片、支架、電極板、引線等組成。外殼材料有金屬、玻璃、膠木、塑料等，外形有圓柱形、管形、長方形、正方形等多種。
2019-10-28 09:10:39
` 石英晶振也稱為石英晶體振蕩器(有源晶振),它是一種高穩(wěn)定度和高精度的電子元器件,一度被廣泛應(yīng)用于基站,衛(wèi)星,通訊系統(tǒng),GPRS導(dǎo)航系統(tǒng)等各種振蕩電路中,在通訊系統(tǒng)中一般用于頻率發(fā)生器,是為
2014-12-29 15:06:11
石英晶體振蕩器是利用石英晶體（二氧化硅的結(jié)晶體）的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件，它的基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個對應(yīng)面上
2012-11-19 10:34:03
石英晶體的結(jié)構(gòu) 利用石英晶體（Quartz-Crystal）的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件。石英本質(zhì)是礦物質(zhì)硅石的一種，化學(xué)成分是Sio2，從一塊晶體上按一定的方位角切割成的薄片稱為晶片 形狀
2021-03-15 14:11:14
石英晶體諧振器的外殼和壓電特性，你都了解嗎?今天讓我們跟著松季電子一起去了解一下?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一、保護(hù)晶片的外殼分為肢木殼、金屬殼和玻璃殼三種， 1、膠木殼由于沒有密封，只適合于氣管腳候干燥的環(huán)境下
2013-11-05 13:52:53
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
晶振與晶體的區(qū)別是什么？MEMS硅晶振與石英晶振區(qū)別是什么？晶振與晶體的參數(shù)有哪些？
2021-06-08 07:03:42
大多數(shù)均使用小巧的電子變壓器(即開關(guān)電源式的AC／AC電壓變換器)，與燈架整合在一起既方便又美觀。另有一種可調(diào)光型電子變壓器，這種電子變壓器與普通可控硅調(diào)光器組合，能實現(xiàn)對“12V”低壓燈杯的無級調(diào)光：以下通過雷士牌普通型與可調(diào)光型電子變壓器電路為例，分別介紹其電路原理，供參考。
2021-05-12 06:40:46
什么元件被稱為倒裝晶片（FC）？一般來說，這類元件具備以下特點?！ 、倩氖?b class="flag-6" style="color: red">硅； ②電氣面及焊凸在元件下表面； ③球間距一股為0.1～0.3 mm，球徑為0.06～0，.15 mm，外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
線鍵合連接至普通封裝的引腳上。普通封裝的設(shè)計原則要求鍵合焊盤位于芯片周界上。為避免同一芯片出現(xiàn)兩種設(shè)計(一種是普通封裝，另一種是CSP)，需要重新分配層連接焊球和鍵合焊盤。4 晶片級封裝器件的可靠性
2018-08-27 15:45:31
就結(jié)構(gòu)而言，PCF可以分為實心光纖和空心光纖。實心光纖是將石英玻璃毛細(xì)管以周期性規(guī)律排列在石英玻璃棒周圍的光纖。空心光纖是將石英玻璃毛細(xì)管以周期性規(guī)律排列在石英玻璃管周圍的光纖。
2019-10-18 09:01:22
哪些不同之處呢？“天然水晶”天然水晶是一種單晶體，亦稱合成水晶、壓電水晶。再生水晶是采用：水熱結(jié)晶法“模仿天然水晶的生長過程”，把天然硅礦石和一些化學(xué)物質(zhì)放在高壓釜內(nèi)，經(jīng)過1-3個月時間（對不同晶振而言
2012-11-16 18:53:31
中所見的現(xiàn)有技術(shù)難以實現(xiàn)該目的。需要其他電路來提供更高的精度和帶寬。一種可能的解決方案是使用大量數(shù)據(jù)濾波來降低很大一部分可能源于設(shè)備本身的噪聲[14]。我們注意到，如果目標(biāo)是在引單一線鍵合點剝離（即
2019-03-20 05:21:33
彩色石英玻璃管液位計選型，技術(shù)，特點知識：資料歸本人所有，請查閱后不得擅自傳播。謝謝，如有傳播，必追究法律責(zé)任。
2013-02-20 16:16:36
怎樣去設(shè)計一種基于STM32的負(fù)壓式玻璃清洗機(jī)器人呢？有哪些操作流程？
2021-10-14 08:47:00
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發(fā)性異常，找不出規(guī)律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
` 從人類發(fā)現(xiàn)天然水晶之后，在經(jīng)過不斷的研究發(fā)明，制作成壓電石英晶體了,以及石英晶體諧振器系列產(chǎn)品.那天然水晶與工藝水晶有哪些不同之處呢？ “天然水晶” 天然水晶是一種單晶體，亦稱合成水晶、壓電水晶
2013-01-04 20:50:54
本文針對我國石英玻璃管生產(chǎn)過程中存在的現(xiàn)狀和問題進(jìn)行了分析與研究，就嚴(yán)重影響其加工效率和精度的兩大主要問題，即手工檢測管徑和生產(chǎn)加工過程開環(huán)人工控制，結(jié)合
2009-06-13 08:52:02
17 超薄、平整的硅應(yīng)變薄膜對于制作低量程的電容式壓力傳感器是非常重要的。提出一種簡單的超薄薄膜制作方法，利用濃硼擴(kuò)散、F%G 自停止腐蝕和*H,32 等關(guān)鍵技術(shù)7 得到了厚度9!I左
2009-07-18 09:28:1613 一種新型陽極氧化多孔硅技術(shù):在適當(dāng)條件下氧化多孔硅是提高多孔硅發(fā)光強(qiáng)度的良好途徑,提出了一種新型陽極氧化方法,并探討了該方法所涉及的陽極氧化條件。采用含CH3CSNH2 的HF
2009-12-29 23:38:4713 線性硅光電池參數(shù)
PN XX X X
窗口形式：K光學(xué)玻璃 Q石英玻璃 L透鏡 E 環(huán)氧樹脂 V視覺函數(shù)濾色片
2009-12-01 10:59:521659 目前，日立宣布業(yè)已開發(fā)出了一種全新的石英玻璃數(shù)據(jù)存儲技術(shù)，使用這項技術(shù)數(shù)據(jù)的保存時間可以長達(dá)數(shù)億年之久。
2012-09-26 09:19:161574 Lumex 推出“倒裝晶片”式 TitanBrite 無線鍵合 LED ，亮度號稱比市場上任何其他 LED 高出15%。除了標(biāo)準(zhǔn)的3W和6W的LED， Lumex 的 TitanBrite 無線鍵合LED還可提供9W的規(guī)格，確保Lumex的無線鍵合LED能夠提供業(yè)內(nèi)最高亮度的光源。
2013-07-03 11:40:17868 單晶硅晶片及單晶硅的制造方法 本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法（CZ法）生長單晶硅晶片，其特征為：對全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過Cu淀
2017-09-28 16:35:3018 石英晶片外觀缺陷自動分選系統(tǒng)使用ARM處理器作為主控制器，通過控制步進(jìn)電機(jī)來實現(xiàn)對機(jī)械臂、料盤和出料桶的控制。采用ARM與PC機(jī)相結(jié)合的方式對石英晶片進(jìn)行定位和分選．ARM控制器與PC機(jī)之間采用
2017-11-14 10:00:493 石英晶體是一種重要的電子材料。沿一定方向切割的石英晶片，當(dāng)受到機(jī)械應(yīng)力作用時將產(chǎn)生與應(yīng)力成正比的電場或電荷，這種現(xiàn)象稱為正壓電效應(yīng)。反之，當(dāng)石英晶片受到電場作用時將產(chǎn)生與電場成正比的應(yīng)變，這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應(yīng)。
2018-04-10 16:15:5012 目前，全球高端石英玻璃市場（尤其是以半導(dǎo)體、光通訊為主的電子級石英玻璃市場），主要還是由賀利氏、邁圖、東曹、昆希等海外龍頭企業(yè)掌握，石英材料的國產(chǎn)化比例極低。
2018-06-05 16:31:4210583 
1969年，美國的Wallis和Pomerantz兩位研究人員首次提出了陽極鍵合技術(shù)，其鍵合方法如圖1所示。陽極鍵合目前在硅片與玻璃鍵合中得到了較為廣泛的應(yīng)用，技術(shù)發(fā)展相對較為成熟。其基本原理如圖2
2020-06-17 11:33:1414911 回流、BOE和10:1高頻/鹽酸蝕刻，表明一些處理改善了表面質(zhì)量，而另一些則惡化了表面質(zhì)量。微結(jié)構(gòu)表面粗糙度的改善與熔融石英玻璃諧振器品質(zhì)因數(shù)的改善直接相關(guān)。
2021-12-16 17:41:142040 
結(jié)合離子注入工藝、激光照射和去除犧牲層，晶片鍵合技術(shù)是將高質(zhì)量薄膜轉(zhuǎn)移到不同襯底上的最有效方法之一。本文系統(tǒng)地總結(jié)和介紹了蘇州華林科納的晶片鍵合技術(shù)在電子、光學(xué)器件、片上集成中紅外傳感器和可穿戴傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用。依次介紹了基于智能剝離技術(shù)
2021-12-21 16:33:293325 
到350°C，并允許硅與氮化鎵結(jié)合。 背景 許多半導(dǎo)體材料系統(tǒng)是彼此不相容的。由于晶格錯配，一些不能通過異質(zhì)外延一起生長，而對于另一些，在一個上產(chǎn)生器件所需的過程條件會破壞另一個。半導(dǎo)體晶片鍵合是這兩個問題的解決方案之一。粘結(jié)允許這兩種材料系統(tǒng)分別
2022-01-24 16:57:471419 
本文描述了我們?nèi)A林科納在LTCC（低溫共燒陶瓷）晶片與硅晶片之間同時建立的陽極鍵合的電連接。本研究首先研究了陽極鍵接前的甲酸蒸汽預(yù)處理，以去除鍵接墊上的錫表面氧化物，為了實現(xiàn)更小的芯片尺寸、更高的性能、更高的可靠性和更高的MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）的產(chǎn)量，薄片級的密封包裝技術(shù)是必不可少的。
2022-02-07 14:47:341710 
摘要 該公司提供了一種用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備 100，該方法和方法包括通過從裝載端口 110 中的盒中取出兩個或多個晶片來填充化學(xué)溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:031771 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07739 
晶片干洗系統(tǒng)，更詳細(xì)地說，是一種能夠提高對晶片干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。
2022-04-08 14:51:041388 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
本發(fā)明公開了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開的本發(fā)明的特點是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域，使其不與上述清潔組的入口相對、將上述對齊的半導(dǎo)體晶片浸入
2022-04-14 15:13:571071 為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:231124 
摘要 本文展示了一種通過兩步濕化學(xué)表面清洗來結(jié)合硅和石英玻璃晶片的簡易結(jié)合工藝。在200℃后退火后，獲得沒有缺陷或微裂紋的強(qiáng)結(jié)合界面。在詳細(xì)的表面和結(jié)合界面表征的基礎(chǔ)上，對結(jié)合機(jī)理進(jìn)行了探索和討論
2022-05-07 15:49:062029 
摘要 微流體和光學(xué)傳感平臺通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因為它們具有光學(xué)透明性和化學(xué)惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介質(zhì)，但是由于HF遷移穿過大多數(shù)掩模材料的侵蝕性
2022-05-23 17:22:142377 
在許多電氣和傳感器應(yīng)用中，SOI(絕緣體上硅)晶片已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的硅晶片，SOI晶片具有不同的掩埋氧化物(BOX)和SOI層厚度，粘合界面的強(qiáng)度通常用裂紋張開法測量，然而，當(dāng)一種或兩種結(jié)合材料是易碎
2022-06-28 17:04:231792 
堿金屬、堿土金屬氧化物的不同含量，又分為： 1、石英玻璃 石英玻璃的二氧化硅含量大于99.5%，其熱膨脹系數(shù)低、耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性好、透紫外光和紅外光、熔制溫度高、粘度大、成型較難。石英玻璃多用于半導(dǎo)體、電光源、光導(dǎo)通
2022-08-01 10:01:313067 
光纖已經(jīng)徹底改變了全球的高帶寬，長距離通信。承載所有這些信息的光纜主要由石英玻璃纖維制成。該材料堅固、靈活、柔軟，非常適合以光的形式低成本傳輸信息。但是由于光被材料散射，數(shù)據(jù)信號在到達(dá)其最終目的地之前逐漸減弱。
2022-08-30 10:53:451503 鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或化學(xué)反應(yīng)機(jī)制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)。
2022-10-11 09:59:576232 通過控制單一變量的試驗方法，研究了金絲變形度、超聲功率、超聲時間和鍵合壓力等參數(shù)對自動鍵合一致性和可靠性的影響，分析了每個參數(shù)對自動鍵合的影響規(guī)律，給出了自動鍵合參數(shù)的參考范圍。
2023-02-01 17:37:312964 Bonding)和硅穿孔(Through Silicon Via，簡稱TSV)正在成為新的主流。 加裝芯片鍵合也被稱作凸點鍵合(Bump Bonding)，是利用錫球(Solder Ball)小凸點進(jìn)行鍵合的方法。 硅穿孔則是一種更先進(jìn)的方法。
2023-03-13 15:49:587084 
這是一種晶圓鍵合方法，其中兩個表面之間的粘附是由于兩個表面的分子之間建立的化學(xué)鍵而發(fā)生的。
2023-04-20 09:43:575918 較大的材料進(jìn)行鍵合時，傳統(tǒng)的高溫鍵合方法已經(jīng)不再適用。如何在較低退火溫度甚至無需加熱的室溫條件下，實現(xiàn)牢固的鍵合是晶圓鍵合領(lǐng)域的一項挑戰(zhàn)。本文以晶圓直接鍵合為主題，簡單介紹了硅熔鍵合、超高真空鍵合
2023-06-14 09:46:273533 
一、概述石英玻璃片是用二氧化硅制造的特種工業(yè)技術(shù)玻璃，是一種非常優(yōu)良的基礎(chǔ)材料。石英玻璃片具有一系列優(yōu)良的物理、化學(xué)性能，如：1、耐高溫。石英玻璃的軟化點溫度約1730℃，可在1100℃下長時間
2022-01-05 16:53:381328 
（Through Silicon Via，簡稱TSV）正在成為新的主流。加裝芯片鍵合也被稱作凸點鍵合（Bump Bonding），是利用錫球（Solder Ball）小凸點進(jìn)行鍵合的方法。硅穿孔則是一種更先進(jìn)的方法。
2023-08-09 09:49:476419 
英特爾還計劃引入玻璃通孔技術(shù)（TGV），將類似于硅通孔的技術(shù)應(yīng)用于玻璃基板，還推出了Foveros Direct，這是一種具有直接銅對銅鍵合功能的高級封裝技術(shù)。
2023-10-08 15:36:432888 
引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連的常用方法，其中將細(xì)線從器件上的鍵合焊盤連接到封裝上的相應(yīng)焊盤（即引線）。此連接建立了從芯片內(nèi)部電路到連接到印刷電路板 (PCB) 的外部引腳的電氣路徑。
2023-10-24 11:32:133691 
本文將幫助您更好地理解合封芯片、芯片合封和SiP系統(tǒng)級封裝這三種不同的技術(shù)。合封芯片是一種將多個芯片或不同功能的電子模塊封裝在一起的定制化芯片，以實現(xiàn)更復(fù)雜、更高效的任務(wù)。合封芯片可定制組成方式包括CoC封裝技術(shù)、SiP封裝技術(shù)等。
2023-11-23 16:03:422538 銀鍵合絲作為一種先進(jìn)的微電子封裝材料，已經(jīng)在各種高性能電子產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。銀鍵合絲以其優(yōu)異的電導(dǎo)性和熱導(dǎo)性，成為了一種替代傳統(tǒng)金鍵合絲的有效選擇。然而，銀鍵合絲的力學(xué)性能對于鍵合質(zhì)量具有決定性的影響，這一點在微電子封裝領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注。以下內(nèi)容將深入探討銀鍵合絲的力學(xué)性能及其對鍵合質(zhì)量的影響。
2023-11-30 10:59:161245 
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，晶圓鍵合設(shè)備及工藝在微電子制造領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。晶圓鍵合技術(shù)是一種將兩個或多個晶圓通過特定的工藝方法緊密地結(jié)合在一起的技術(shù)，以實現(xiàn)更高性能、更小型化的電子元器件。本文將詳細(xì)介紹晶圓鍵合設(shè)備的結(jié)構(gòu)、工作原理以及晶圓鍵合工藝的流程、特點和應(yīng)用。
2023-12-27 10:56:383174 
共讀好書 姚友誼 吳琪 陽微 胡蓉 姚遠(yuǎn)建 （成都西科微波通訊有限公司） 摘要： 從鋁質(zhì)焊盤鍵合后易發(fā)生欠鍵合和過鍵合的故障現(xiàn)象著手，就鋁焊盤上幾種常見鍵合方式進(jìn)行了探討，得出鍵合的優(yōu)先級為硅鋁絲
2024-02-02 16:51:482911 
有密切關(guān)系，本文將從晶體結(jié)構(gòu)、晶體切割、晶體工藝等方面詳細(xì)討論，解釋導(dǎo)致石英晶振頻率高低與晶片相關(guān)的原因。 首先，我們先了解一下石英晶體的結(jié)構(gòu)。石英是一種硅氧化物(SiO2)，它的晶體結(jié)構(gòu)為三角晶系的六方晶體。石英
2024-01-26 14:07:321496 混合鍵合技術(shù)是近年來在微電子封裝和先進(jìn)制造領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注的一種新型連接技術(shù)。它通過結(jié)合不同鍵合方法的優(yōu)點，實現(xiàn)了更高的封裝密度、更強(qiáng)的機(jī)械性能和更好的熱穩(wěn)定性，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的微型化、高性能化提供了有力支持。
2024-02-18 10:06:194672 
共讀好書 熊化兵,李金龍,胡 瓊,趙光輝,張文烽,談侃侃 (中國電子科技集團(tuán)公司) 摘要: 研究了 18 、25 、 30 μ m 三種金絲和 25 、 32 、 45 μ m 三種硅鋁絲鍵合引線在
2024-02-25 17:05:571432 
晶圓鍵合是一種將兩片或多片半導(dǎo)體晶片通過特定的工藝條件，使其緊密結(jié)合并形成一個整體的技術(shù)。這種技術(shù)在微電子、光電子以及MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。晶圓鍵合工藝能夠?qū)崿F(xiàn)不同材料、不同功能層之間的集成，從而提高器件的性能和可靠性。
2024-02-21 09:48:443232 
在半導(dǎo)體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到襯底上。粘接可分為兩種類型，即傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接(或晶片連接)和電線連接，而先進(jìn)的方法包括IBM在60年代末開發(fā)的倒裝芯片連接。
2024-04-24 11:14:554673 
-芯片鍵合、引線-基板鍵合或內(nèi)引線一封裝引線鍵合，也可應(yīng)用于測量器件的外部鍵合，如器件外引線-基板或布線板的鍵合，或應(yīng)用于不采用內(nèi)引線的器件(如梁式引線或倒裝片器件)
2024-07-06 11:18:592227 
在微電子封裝領(lǐng)域，金絲鍵合（Wire Bonding）工藝作為一種關(guān)鍵的電氣互連技術(shù)，扮演著至關(guān)重要的角色。該工藝通過細(xì)金屬線（主要是金絲）將芯片上的焊點與封裝基板或另一芯片上的對應(yīng)焊點連接起來
2024-08-16 10:50:144901 
微流控PDMS芯片通常采用等離子體處理的方法，不同的處理參數(shù)會影響到PDMS芯片的鍵合強(qiáng)度。良好的鍵合牢固的芯片的耐壓強(qiáng)度可以達(dá)到3-5 bars的耐壓值。本文將簡要介紹PDMS-玻璃等離子體鍵合工藝過程中需要留意的注意事項。
2024-08-25 14:58:121377 類型，即傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接(或晶片連接)和電線連接，而先進(jìn)的方法包括IBM在60年代末開發(fā)的倒裝芯片連接。倒裝芯片鍵合是一種結(jié)合了模具鍵合和導(dǎo)線鍵合的方法，是通過在芯片襯墊
2024-11-01 11:08:072182 傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接和電線連接，而先進(jìn)的方法包括IBM在60年代末開發(fā)的倒裝芯片連接。倒裝芯片鍵合是一種結(jié)合了模具鍵合和導(dǎo)線鍵合的方法，是通過
2024-09-20 08:04:292714 
晶圓鍵合是十分重要的一步工藝，本文對其詳細(xì)介紹。???????????????????????????? ? 什么是晶圓鍵合膠？ 晶圓鍵合膠（wafer bonding adhesive）是一種用于
2024-11-14 17:04:443586 
利于微流控芯片規(guī)模化生產(chǎn)。針對超聲鍵合中的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)導(dǎo)能筋進(jìn)行了拓展設(shè)計，創(chuàng)新提出等腰梯形導(dǎo)能筋概念，避免了三角形導(dǎo)能筋鍵合效率低下缺點，較半圓形導(dǎo)能筋有更高制作效率。在多層鍵合方面，提出一種上三層為微導(dǎo)能陣
2024-11-19 13:58:001063 
去除晶圓鍵合邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種：
一、化學(xué)氣相淀積與平坦化工藝
方法概述：
提供待鍵合的晶圓。
利用化學(xué)氣相淀積的方法，在晶圓的鍵合面淀積一層沉積量大于一定閾值（如1.6TTV
2024-12-04 11:30:18584 
基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法主要包括以下幾個方面：
一、晶圓片制備優(yōu)化
多次減薄處理：
采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進(jìn)行多次減薄處理，可以制備出預(yù)設(shè)厚度小于70μm且厚度均勻性TTV
2024-12-06 14:11:58521 石英玻璃技術(shù)將為肖特的多樣化高科技產(chǎn)品組合帶來全新可能。 ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 為強(qiáng)化其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局， 肖特集 團(tuán) 已 簽署最終協(xié)議，收購 德國尖端科技企 業(yè)
2024-12-30 11:24:57807 
微流控芯片鍵合技術(shù)的重要性 微流控芯片的鍵合技術(shù)是實現(xiàn)其功能的關(guān)鍵步驟之一，特別是在密封技術(shù)方面。鍵合技術(shù)的選擇直接影響到微流控芯片的整體性能和可靠性。 不同材料的鍵合方式 玻璃材料：通常通過熱鍵合
2024-12-30 13:56:311243 引線鍵合是一種將裸芯片的焊墊與封裝框架的引腳或基板上的金屬布線焊區(qū)通過金屬引線（如金線、銅線、鋁線等）進(jìn)行連接的工藝。 這一步驟確保了芯片與外部電路的有效電氣連接和信號傳輸。 鍵合前的等離子體清洗 在引線鍵合之前，通常需
2025-01-02 10:18:012679 
線鍵合（WireBonding）線鍵合是一種使用細(xì)金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下，引線和基板間會發(fā)
2025-01-06 12:24:101966 
，貼膜后的清洗過程同樣至關(guān)重要，它直接影響到外延晶片的最終質(zhì)量和性能。本文將詳細(xì)介紹碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步驟、所用化學(xué)試劑及
2025-02-07 09:55:37317 鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合，所需的溫度更低，壓力也更小。帶金屬的中間層鍵合技術(shù)主要包括共晶鍵合、焊料鍵合、熱壓鍵合和反應(yīng)鍵合等。本文主要對共晶鍵合進(jìn)行介紹。
2025-03-04 17:10:522630 
芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)就是將裸芯片與外部材料連接起來的方法。鍵合可以通俗的理解為接合，對應(yīng)的英語表達(dá)是Bonding，音譯
2025-03-22 09:45:315449 
關(guān)鍵詞：鍵合晶圓；TTV 質(zhì)量；晶圓預(yù)處理；鍵合工藝；檢測機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而，鍵合過程中諸多因素會導(dǎo)致晶圓總厚度偏差（TTV
2025-05-26 09:24:36854 
玻璃基板是一種由高度純凈的玻璃材料制成的關(guān)鍵組件，常見的材料包括硅酸鹽玻璃、石英玻璃和硼硅酸鹽玻璃等。
2025-06-03 16:51:401655 
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2025-07-09 18:32:29
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅肖特基勢壘二極管：封裝、可鍵合芯片和光束引線相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有硅肖特基勢壘二極管：封裝、可鍵合芯片和光束引線的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，硅
2025-07-15 18:32:18
在MEMS中，玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性（如與硅陽極鍵合），常被用作襯底、封裝結(jié)構(gòu)或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構(gòu)的核心工藝，需根據(jù)精度要求、結(jié)構(gòu)尺寸及玻璃類型選擇合適的方法，玻璃刻蝕主要分為濕法腐蝕和干法刻蝕兩大類。
2025-07-18 15:18:011491 鍵合技術(shù)是通過溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵，實現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃）原子級結(jié)合的核心工藝，起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI制造、三維集成需求發(fā)展，涵蓋直接鍵合（如SiO
2025-08-01 09:25:591762 
在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162056 
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