本期，為大家?guī)淼氖恰妒褂没?GaN 的 OBC 應對電動汽車 EMI 傳導發(fā)射挑戰(zhàn)》，將深入回顧 CISPR 32 對 OBC 的 EMI 要求，同時詳細探討可靠數(shù)據(jù)測量的最佳做法、GaN 對 EMI 頻譜的影響，以及解決傳導發(fā)射問題的有效方案。
2025-05-24 15:46:00
4360 
驗證電源半橋拓撲是否正確交叉導通的常用方法是使用兩個探針同時驗證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動信號之間的死區(qū)時間。
2021-01-08 14:37:303034 
效應時會捕獲的電荷。因此，GaN器件提供了R?DSon（動態(tài)導通狀態(tài)電阻），這使得GaN半導體中的傳導損耗無法預測。捕獲的電荷通過偏置電壓V?off，偏置時間T?off以及開關狀態(tài)下電壓和電流之間的重疊來測量[4]。當設備打開時，處于關閉狀態(tài)的俘獲電荷被釋放，
2021-03-22 12:42:2312951 
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:092162 
電磁干擾 EMI 中電子設備產(chǎn)生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導干擾？
2023-07-25 11:09:587486 
AN170 - DC開關電源供應的直接交叉點溫度測量
2023-08-23 14:05:461814 
) 對電源端子傳導發(fā)射測量設備:測量接收機和工人電源網(wǎng)絡主要指標作出的規(guī)定,并通過測量設備校準結(jié)果進行驗證,保證了測量結(jié)果不確定評定的可信度。
2015-08-05 11:54:32
2KW開關電源傳導騷擾超標，開關電源主電路由2級組成，前級PFC，后級逆變電路，傳導騷擾圖見附件，輸入濾波器共模有三級，每級共模3mH，Y電容4.7nF,差模電容加到了5uf，都沒有效果。
2016-03-24 16:09:38
應用，實現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務器計算）GaN不斷突破新應用的界限，并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設計與GaN設計的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設計的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術的最新發(fā)展，以及改進的GaN器件和驅(qū)動器電路
2017-05-03 10:41:53
所示），以證明GaN用于硬開關時完全合格。我們還在實際工作條件下運行部件，以確定并修復新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)場故障機制。這使我們能證明GaN在電源轉(zhuǎn)換應用中是可靠的。圖1：符合JEDEC標準的測試工具適用于感應開關
2018-09-10 14:48:19
半導體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
。我會讓您自己決定哪些東西是正確的。因此，當我說“GaN已為數(shù)字電源控制做好準備”時，您懂我的意思嗎？測試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開發(fā)過程。多數(shù)情況下，電源設計人員使用數(shù)字控制來演示GaN
2018-08-30 15:05:41
在同樣的范圍內(nèi)。幸運的是，我們在數(shù)年前就已經(jīng)擁有具備這一功能的數(shù)字電源控制器了。并不是所有的數(shù)字電源控制器都能夠滿足這些需要，但至少電源設計人員有選擇的余地。那么，GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制中的使用做
2018-09-06 15:31:50
。雖然GaN器件在名義上仍存有價格上的劣勢，然而，它與磁控技術相比卻可以節(jié)約一些系統(tǒng)成本。它的電源可以簡化，無需采用回掃變壓器，也不再需要用馬達來旋轉(zhuǎn)食物承載盤。隨著GaN器件的價格在不斷的下降，這些在
2017-04-17 18:19:05
現(xiàn)今的標準火花塞技術，它能促進發(fā)動機燃燒室中油氣的更完全燃燒。這樣做將有可能將燃油效率提高10%，還可以減少氮氧化物和揮發(fā)性有機化合物氣體的排放。 在所有這些應用中的射頻能量器件必須能同時在性能、電源
2017-05-01 15:47:21
環(huán)路電感比較高時，柵極應力與器件關斷保持能力之間的均衡和取舍很難管理。你必須增加柵極應力，或者允許半橋直通，這會增加交叉傳導損耗和電流環(huán)路振鈴，并且會導致安全工作區(qū) (SOA) 問題。一個集成式GaN
2018-08-30 15:28:30
傳導發(fā)射電流法測試時，電源線為1700-2000mm，傳導發(fā)射電壓法測試時為什么要改成200-400mm ？
2019-03-20 15:51:33
EMI/EMC 設計講座：傳導式EMI 的測量技術「傳導式（conducted）EMI」是指部分的電磁（射頻）能量透過外部纜線（cable）、電源線、I/O 互連界面，形成「傳導
2009-05-15 11:37:26
傳導發(fā)射（Conducted Emission）測試通常也會被成為騷擾電壓測試，只要有電源線的產(chǎn)品都會涉及到，包括許多直流供電產(chǎn)品，另外，信號/控制線在不少標準中也有傳導發(fā)射的要求，通常用騷擾電壓或
2014-12-19 21:54:23
我們將介紹測試電源開關損耗和傳導損耗的各個步驟。 記住，經(jīng)過電源開關和磁性器件的開關損耗和傳導損耗對系統(tǒng)整體損耗有著巨大影響，正因如此，應盡可能精確地使這些損耗達到最小，這一點至關重要。 首先，記住
2016-09-02 14:39:38
如何去選擇合適開關頻率？LLC中為什么我們常在二區(qū)設計開關頻率？電源的傳導是怎么形成的？傳導的途徑有哪些？我們選擇拓撲時需要考慮哪些方面的因素？各種拓撲使用環(huán)境及優(yōu)缺點？
2021-11-10 06:35:53
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰(zhàn)等問題。 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
GaN技術融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規(guī)功率密度預期的限值?；跀?shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
EMI進行預測，定位開關電源傳導EMI傳播路徑的影響因素，在此基礎上給出開關電源PCB及其結(jié)構設計的基本原則。對開關電源EMI預測過程中需要注意的問題以及降低開關電源傳導EMI的方法策略進行了分析
2016-05-04 14:03:26
EMI進行預測，定位開關電源傳導EMI傳播路徑的影響因素，在此基礎上給出開關電源PCB及其結(jié)構設計的基本原則。對開關電源EMI預測過程中需要注意的問題以及降低開關電源傳導EMI的方法策略進行了分析和總結(jié)
2016-04-20 16:25:31
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
在電氣系統(tǒng)中產(chǎn)生的不希望有的輻射或傳導能量稱為電磁干擾 (EMI)。電力電子轉(zhuǎn)換器尤其是開關電源中的高速開關頻率可提高效率，但會導致 EMI。本文介紹了不同類型的傳導干擾、EMI 規(guī)定和傳導 EMI
2021-12-28 06:19:33
變電站傳導干擾特性分析和電源濾波器實驗研究通過對變電站開關操作在二次系統(tǒng)和抵押交流電源系統(tǒng)傳導測量結(jié)果的分析，確定了變電站低壓交流電源中傳導干擾的特征，利用分析儀器，研究了幾種典型電源濾波器的插入損耗和特性阻抗等頻譜特性，，，，。
2015-08-05 15:44:52
和電機控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應用場合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅(qū)動器件成功的關鍵并介紹了減小柵極驅(qū)動環(huán)耦合噪聲技術。
2019-06-21 08:27:30
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
GaN PA 設計？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個很好的起點。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設計？
2019-07-31 06:44:26
給大家分享一份資料教大家如何避免
傳導EMI問題(資深工程師
電源設計資料)序： 大部分
傳導 EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問題都是由
電源中的寄生電容導致的?！ ∥覀冎赜懻摦?/div>
2016-01-14 14:15:55
電磁干擾EMI中電子設備產(chǎn)生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導干擾？找對方法，你會發(fā)現(xiàn)，傳導干擾其實很容易解決，只要
2019-05-31 06:04:13
的電流，使串擾達到最小。 六 開關損耗和傳導損耗測試 經(jīng)過電源開關和磁性器件的開關損耗和傳導損耗是導致系統(tǒng)整體損耗的主要因素。必需使這些損耗達到最小，特別是現(xiàn)代高效設計?！ ⌒≠N士 1. 為測量
2016-01-12 11:08:55
PCB及其結(jié)構設計的基本原則。對開關電源EMI預測過程中需要注意的問題以及降低開關電源傳導EMI的方法策略進行了分析和總結(jié)。
2023-09-22 07:18:09
開關電源PCB及其結(jié)構設計的基本原則。對開關電源EMI預測過程中需要注意的問題以及降低開關電源傳導EMI的方法策略進行了分析和總結(jié)?！ ? 引言 隨著開關頻率的提高以及功率密度的增加，開關電源內(nèi)部的電磁
2011-11-01 17:56:53
下面是一個開關電源傳導、輻射處理案例，通過整改調(diào)整Layout布線設計，最后通過測試，給電源設計工程師參考。這是一款輸入寬電壓120-277V 60HZ，輸出48V，273mA的電源，采用Buck
2021-07-09 06:00:00
傳播的電磁干擾。在開關電源輸入電源線中向外傳播的騷擾，既有差模騷擾、又有共模騷擾，共模騷擾比差模騷擾產(chǎn)生更強的輻射騷擾。傳導騷擾的測試頻率范圍為 150KHz～30MHz，限值要求如下表 1 所示：
表 1
2025-03-07 15:31:09
開關電源EMI傳導與輻射講解
2016-07-09 17:06:52
開關電源的傳導測試法規(guī)，測試與量測方式，基本概念，抑制傳導干擾的濾波器設計，布線與變壓器設計等章節(jié)。
2021-02-25 08:15:52
摘要:針對工程中電網(wǎng)的射頻傳導干擾現(xiàn)象,研究了開關類設備的射頻傳導發(fā)射及其干擾抑制,分析了開關電源的射頻傳導干擾成因,并建立了射頻傳導發(fā)射數(shù)學模型以計算流回到電源線上的射頻傳導干擾。在此基礎上,通過使用軟件適當設計濾波器以仿真射頻傳導干擾的抑制效果,實現(xiàn)了對開關電源射頻傳導發(fā)射及其干擾影響的數(shù)值預測。
2013-07-14 11:02:37
數(shù)據(jù)中心應用服務器電源管理的直接轉(zhuǎn)換?！ 〈送?，自動駕駛車輛激光雷達驅(qū)動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時間做好了準備?！边@個聲明似乎預示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準備，或者說在大量的應用中，已經(jīng)可以使用GaN技術了。這也意味著GaN已經(jīng)是一項成熟的、不應
2022-11-18 07:30:50
描述此 PMP9398 參考設計是針對汽車應用的傳導 EMI 優(yōu)化 6.6W 電源設計。該設計采用 SIMPLE SWITCHER? LM46002 同步降壓穩(wěn)壓器，提供 3.3V（最大 2A）輸出
2018-11-07 14:32:54
的偏壓電源。較低的電源電壓可提供相同的GaN柵極至漏端電荷（Qgs），從而可降低功耗。這些功率效率差異在更高的開關頻率下會進一步放大。反向恢復Qrr損失對于共源共柵配置有效。這是因為在第三象限導通中
2023-02-14 15:06:51
來源：搜狐網(wǎng)在電磁干擾EMI中電子設備產(chǎn)生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導干擾？找對方法，你會發(fā)現(xiàn)，傳導干擾其實很
2020-10-22 14:23:26
`資深工程師電源設計策略：如何避免傳導EMI問題大部分傳導 EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導致的。 我們著重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入電線
2014-07-30 11:06:54
傳導式EMI 的測量技術「傳導式（conducted）EMI」是指部分的電磁（射頻）能量透過外部纜線（cable）、電源線、I/O 互連界面，形成「傳導波（propagation wave）」被傳送出去。本
2009-05-15 14:46:25
0 依據(jù)Bragg 光柵方程,從理論上分析了光纖光柵應變和溫度雙參量同時測量中引起交叉敏感的物理機理,對有交叉敏感和無交叉敏感兩種情況下的誤差進行了分析討論,并給出了數(shù)學表達
2009-07-17 08:55:1229 GaN的極性特征測量及應用: GaN 在(0001) 方向是一種極性極強的半導體材料,它具有極強的表面特征,是目前發(fā)現(xiàn)的最好的壓電材料,而GaN 的極性呈現(xiàn)出體材料的特征,它的測量要用一些特
2010-01-02 14:15:2610 「傳導式（conducted）EMI」是指部分的電磁（射頻）能量透過外部纜線（cable）、電源線、I/O互連界面，形成「傳導波（propagationwave）」被傳送出去。本文將說明射頻能量經(jīng)由電源線傳
2010-06-06 11:42:430 當測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您的測量設置和設備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進行準確測量的最佳實踐方法。
2017-04-18 12:34:043878 
開關電源中傳導差模EMI的抑制方法
2017-09-11 15:35:5917 經(jīng)由電源線傳送時，所產(chǎn)生的「傳導式噪聲」對 PCB 的影響，以及如何測量「傳導式 EMI」和 FCC、CISPR 的 EMI 限制規(guī)定。
2018-09-10 08:00:0012 GaN可以在電源應用中提供更高的頻率與效率，并可在僅有硅材料一半空間與功耗的條件下輸出同等的功率。
2018-12-12 15:32:224261 ADC中的電源設計如何測量ADC的電源抑制PSR(2)
2019-04-17 06:32:003124 本次演示介紹我們在脈沖電源設置中運行的高功率GaN放大器，其脈沖寬度經(jīng)過調(diào)整后可用于雷達應用。
2019-07-04 06:07:002824 隨著工藝的進步和缺陷率的不斷降低，GaN在交直流電力轉(zhuǎn)換、改變電壓電平、并且以一定數(shù)量的函數(shù)確保可靠電力供應的電子電源中的優(yōu)勢越來越明顯。
2019-08-01 15:01:2611025 
電磁干擾EMI中電子設備產(chǎn)生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導干擾？找對方法，你會發(fā)現(xiàn)，傳導干擾其實很容易解決，只要增加電源輸入電路中EMC濾波器的節(jié)數(shù)，并適當調(diào)整每節(jié)濾波器的參數(shù)，基本上都能滿足要求
2019-08-26 14:20:404341 
開關電源的傳導騷擾是通過電源的輸入電源線向外傳播的電磁干擾。在開關電源輸入電源線中向外傳播的騷擾，既有差模騷擾、又有共模騷擾，共模騷擾比差模騷擾產(chǎn)生更強的輻射騷擾。
2019-12-17 10:14:118758 
傳導發(fā)射測試是測量受試設備（EUT）通過電源線或信號線向外發(fā)射的騷擾。根據(jù)騷擾的性質(zhì)，傳導騷擾測試可分為連續(xù)騷擾電壓測量、騷擾功率測量、斷續(xù)騷擾喀嚦聲測量、諧波電流測量、電壓波動和閃爍測量。
2019-12-19 16:15:456714 
此外，與硅不同，GaN沒有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒有反向恢復電荷（QRR），使其非常適合硬開關應用。
2020-04-29 16:07:464215 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和RF 通信等嚴苛應用中。隨著效率的提高，對Si、SiC和GaN器件進行安全、精確的測試
2020-11-18 10:38:0028 反激式開關電源EMI傳導騷擾的抑制(通信電源技術怎么投稿)-反激式開關電源EMI傳導騷擾的抑制………………………………………………
2021-09-29 13:28:00113 對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效率設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:081408 
為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制，在半橋和全橋GaN 應用中必須具有互補驅(qū)動信號。為避免交叉傳導，有目的地將死區(qū)時間放置在驅(qū)動信號的高側(cè)和低側(cè)。對于快速開關，與死區(qū)時間相關的損耗實際上是不可
2022-08-04 11:21:264001 
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:541726 
DSon（動態(tài)導通狀態(tài)電阻），這使得 GaN 半導體中的傳導損耗不可預測。捕獲的電荷通過偏置電壓 V off、偏置時間 T off以及開關狀態(tài)下電壓和電流之間的重疊來測量。
2022-08-05 08:04:553214 
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:552235 
通過測試和測量持久力來評估電子設備的質(zhì)量和耐用性。評估氮化鎵 (GaN)價值的測試勢在必行，因為它自誕生以來就具有巨大的潛力，可以實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換，作為電力電子應用中的關鍵顛覆者?；?GaN
2022-08-05 10:56:301734 
電磁干擾 EMI 中電子設備產(chǎn)生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導干擾？
2022-10-18 15:46:182977 電源小貼士#78：同步整流可改善反激式電源的交叉調(diào)整率
2022-11-01 08:26:563 電源技巧：如何在隔離式電源中測量頻率響應
2022-11-04 09:51:390 BOSHIDA電源模塊 電磁噪聲的處理 傳導EMI 因為EMI的兩個主要類別(傳導和輻射噪聲)差異很大，所以分開討論首先，需要關注量化傳導噪聲測量的細節(jié)，即如何測量在導體中作為電流傳輸?shù)母哳l噪聲
2023-06-07 09:11:301081 
多路輸出的開關電源因其體積小、性價比高廣泛應用于小功率的各種復雜電子系統(tǒng)中。然而伴隨著現(xiàn)代電子系統(tǒng)發(fā)展，其對多路輸出電源的要求越來越高，如體積、效率、輸出電壓精度、負載能力（輸出電流）、交叉調(diào)整率
2023-06-08 10:00:427117 
、最直接的傳導測試方法。該方法通過使用萬用表或示波器等儀器，直接測量電路中的電壓和電流值，從而計算出電阻值。這種方法適用于簡單的電路和低電阻值的場合。 比較法 比較法是一種間接的傳導測試方法。該方法通過比較待測
2024-01-18 14:57:123069 
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展，SiC/GaN 功率器件的應用越來越廣泛，工程師經(jīng)常要測量頻率高達數(shù)百 kHz，電流高達數(shù)十安培的功率電路。
2024-03-13 10:50:201882 
在機器學習中，交叉驗證（Cross-Validation）是一種重要的評估方法，它通過將數(shù)據(jù)集分割成多個部分來評估模型的性能，從而避免過擬合或欠擬合問題，并幫助選擇最優(yōu)的超參數(shù)。本文將詳細探討幾種
2024-07-10 16:08:503613 生活中多路輸出電源應用廣泛，但是多路輸出電源的交叉調(diào)整率是個頭疼的問題。今天，我們就來討論一下交叉調(diào)整率的改善之道！
2024-10-24 11:15:153524 
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關速度，因此準確的測量技術對評估其性能至關重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411061 引言
在碳化硅襯底厚度測量過程中，探頭溫漂會嚴重影響測量精度。構建探頭溫漂的熱傳導模型并進行實驗驗證，有助于深入理解探頭溫漂的產(chǎn)生機理，為提高測量準確性提供理論依據(jù)與技術支持。
熱傳導模型構建
2025-06-04 09:37:59453 
特性，為產(chǎn)品的優(yōu)化設計和合規(guī)認證提供有力支持。 一、 傳導騷擾電流法的基本原理 傳導騷擾電流法旨在測量電子設備通過電源線、信號線等線纜傳導的電磁騷擾電流。其理論基礎源于安培定律，即當電流通過導線時，會在導線周圍產(chǎn)
2025-08-22 10:43:31725 
導言在追求更高效率、更高功率密度的電源轉(zhuǎn)換器設計中，寬禁帶半導體（GaN、SiC）器件扮演著越來越關鍵的角色。然而，理解這些器件在高速開關過程中的真實性能，特別是其動態(tài)導通電阻（RDS
2025-09-12 17:14:581026 
傳導干擾是電磁干擾（EMI）中通過 電源線、信號線、接地線等導體直接耦合 進入電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的干擾形式，其核心危害是 “直接侵入裝置測量鏈路”，導致信號失真、參考基準偏移或時序紊亂，最終
2025-09-19 16:17:25555 
抑制傳導干擾對電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置測量精度的影響，需針對傳導干擾的 三大核心路徑（電源線、采樣信號線、接地環(huán)路） 和 兩種干擾類型（差模、共模） ，從 “ 源頭阻斷、路徑削弱、敏感防護 ” 三個維度
2025-09-19 17:08:16723 
案例4:傳導騷擾測試中應該注意的接地環(huán)路【現(xiàn)象描述】某信息技術設備有外接信號電纜及供電電源線。電源口傳導測試時，EUT接地線就近接參考接地板，測試配置圖如圖2.24所示，測試結(jié)果如圖2.25所示。由
2025-11-21 14:43:09284 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論