超級(jí)電容器具有極高的功率密度，能快速充放電，適用于需要高功率場景，如電動(dòng)車、智能電網(wǎng)等。
2026-01-01 09:31:00
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執(zhí)行環(huán)節(jié)。其本質(zhì)是一個(gè)高動(dòng)態(tài)的閉環(huán)功率放大系統(tǒng)，完美融合了電子控制的靈活性與液壓傳動(dòng)的高功率密度、高剛性優(yōu)勢。
2025-12-31 09:46:55111 
燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01116 本文深入探討并提出了一種具有革新性結(jié)構(gòu)的慣性力平衡式二維燃油泵。該泵的設(shè)計(jì)理念旨在通過結(jié)構(gòu)集成與運(yùn)動(dòng)學(xué)創(chuàng)新，從根本上簡化系統(tǒng)、減少泄漏路徑、平衡慣性力，并提升功率密度
2025-12-29 10:08:54335 
隨著科技的發(fā)展,電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)越來越精致，電源體積要求越來越小，為滿足其更高的功率密度，各種轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞倪x擇與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)都是提高工作頻率，減小磁性器件體積，來滿足整個(gè)方案的要求。但是為了提高工作頻率對(duì)MOS管有哪些要求呢?
2025-12-22 17:13:11928 
EVAL_1K6W_PSU_CFD7_QD 1.6kW鈦金PSU.pdf 背景與系統(tǒng)概述 近年來，開關(guān)模式電源（SMPS）的發(fā)展趨勢是在優(yōu)化成本的同時(shí)提高功率密度。而實(shí)現(xiàn)更高功率密度的關(guān)鍵在
2025-12-19 11:30:06251 Neway電機(jī)方案的小型化設(shè)計(jì)Neway電機(jī)方案的小型化設(shè)計(jì)通過核心器件創(chuàng)新、電路優(yōu)化、封裝革新及散熱強(qiáng)化，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、功率密度提升至120W/in3的突破，具體設(shè)計(jì)要點(diǎn)如下：一、核心器件
2025-12-17 09:35:07
修復(fù)率遠(yuǎn)超同行？"答案：能修！且比換新更可靠！先搞懂：GPU服務(wù)器電源為何如此"嬌貴"？GPU服務(wù)器電源不是普通PC電源，它是整臺(tái)算力服務(wù)器的"心臟輸血系統(tǒng)"：功率密度極高：單電源1600W-3
2025-12-12 19:00:17383 
通過相同封裝體積和更高功率密度實(shí)現(xiàn)替代。l VTM48EF040T050B00：原用于高端計(jì)算系統(tǒng)，提供 50A 電流和 4V 輸出。MPN541382-PV 通過更高效率（>94
2025-12-11 10:02:24
的開關(guān)電源應(yīng)用中，功率MOSFET或新興的SiC/GaN器件的潛能能否完全釋放，極度依賴于門極驅(qū)動(dòng)器的性能。一個(gè)平庸的驅(qū)動(dòng)器會(huì)帶來過高的開關(guān)損耗、延遲和振鈴，從而拉低整機(jī)效率，限制功率密度提升，并威脅
2025-12-10 08:55:48
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-12-04 09:28:281692 
在電源系統(tǒng)追求更高效率、更小體積和更優(yōu)散熱的過程中，“高功率密度”成為設(shè)計(jì)的核心方向。 隨著新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)和AI服務(wù)器等應(yīng)用功率不斷提升、結(jié)構(gòu)愈發(fā)緊湊，線材的發(fā)熱與穩(wěn)定性及散熱挑戰(zhàn)等問題逐漸
2025-12-02 11:59:55239 
SiC器件具有低開關(guān)損耗，可以使用更小的散熱器，同時(shí)可以在更高開關(guān)頻率下運(yùn)行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度。三菱電機(jī)開發(fā)了一系列適合工業(yè)電源應(yīng)用的SiC MOSFET模塊，本章節(jié)帶你詳細(xì)了解。
2025-12-02 11:28:173354 
我們?cè)谠O(shè)計(jì) 11kW、800V平臺(tái)OBC 時(shí)，為實(shí)現(xiàn) 4kW/L 的高功率密度目標(biāo)，發(fā)現(xiàn) 傳統(tǒng)牛角電容體積過大 導(dǎo)致布局困難，請(qǐng)問 永銘LKD系列 是否有滿足 高耐壓 且 體積小 的解決方案？
2025-12-02 09:24:46
開關(guān)電源已經(jīng)普遍運(yùn)用到當(dāng)下的各類電子設(shè)備上，其單位功率密度也在不斷提升。 開關(guān)電源內(nèi)部的溫度過高，便會(huì)導(dǎo)致對(duì)溫度敏感的半導(dǎo)體器件、電解電容等元器件工作失效。
統(tǒng)計(jì)顯示，超過55%的電子器件失效源于
2025-11-27 15:04:46
換為負(fù)載所需的穩(wěn)定低電壓（如12V、5V、3.3V）。
提供電氣隔離： 通過高頻變壓器，將輸入側(cè)和輸出側(cè)完全隔離開，保障用戶安全。
實(shí)現(xiàn)高功率密度： 由于開關(guān)頻率可以做得更高，使用的磁性元件（變壓器
2025-11-21 08:37:13
全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率，從而
2025-11-20 16:33:20
這款 600 kW 三相逆變器采用六組 Wolfspeed XM3 半橋功率模塊，實(shí)現(xiàn)了卓越的系統(tǒng)級(jí)功率密度與效率。XM3 模塊的重量和體積僅為標(biāo)準(zhǔn) 62 mm 模塊的一半，其設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)功率密度最大化，同時(shí)降低回路電感，實(shí)現(xiàn)低損耗、高頻率工作，并簡化電源母線設(shè)計(jì)。
2025-11-20 09:16:571639 APx500軟件提供了頻響曲線的多種測量方法，對(duì)一個(gè)音頻產(chǎn)品的頻響特性進(jìn)行測量分析。如果只用一個(gè)測量對(duì)一個(gè)音頻產(chǎn)品進(jìn)行評(píng)價(jià)，那這個(gè)測量就是頻響曲線，APx500軟件提供了多種方法可以進(jìn)行頻響曲線測量
2025-11-14 11:29:37529 
下，電源轉(zhuǎn)換器需實(shí)現(xiàn)更高功率密度；二是第三代寬禁帶半導(dǎo)體的普及，雖通過極低開關(guān)損耗支撐了 MHz 級(jí)高頻運(yùn)行，卻帶來更復(fù)雜的控制邏輯與更快的實(shí)時(shí)計(jì)算需求；三是高頻開關(guān)與寬禁帶器件導(dǎo)致 dv/dt 數(shù)量級(jí)提升，電磁干擾（EMI）強(qiáng)度激增，對(duì)控制器的抗干擾
2025-11-14 09:15:092080 集成E-GaN技術(shù)的準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)U872XAHG，專為高功率密度應(yīng)用而生。采用先進(jìn)準(zhǔn)諧振控制方式，實(shí)現(xiàn)超低開關(guān)損耗與卓越能效；支持高達(dá)220kHz的開關(guān)頻率，大幅提升系統(tǒng)響應(yīng)速度與功率密度。
2025-11-07 16:26:341083 
自開關(guān)電源誕生以來，功率密度的提升一直是開關(guān)電源設(shè)備不斷演進(jìn)的方向之一。
2025-11-07 15:56:231054 
公斤的電機(jī)實(shí)現(xiàn) 750kW（超 1000 馬力）短期峰值功率，功率密度達(dá) 59kW/kg，較今夏初 13.1 公斤版本的 42kW/kg 提升 40%。 ? 圖源:YASA ? 同時(shí)YASA預(yù)計(jì)，該
2025-11-03 03:45:008931 
隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，直流充電樁作為能量補(bǔ)給的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，其性能和效率正成為產(chǎn)業(yè)競爭的焦點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的能效以及更小的體積，SiC(碳化硅)功率器件正逐步取代傳統(tǒng)的硅器件
2025-10-30 09:44:18355 
伴隨行業(yè)向更高功率密度和更優(yōu)能效的持續(xù)演進(jìn)，施耐德電氣正積極深化創(chuàng)新，通過整合電力變換、保護(hù)和計(jì)量的全面系統(tǒng)化方法，構(gòu)建更可靠、韌性、可擴(kuò)展、高效的供配電系統(tǒng)。
2025-10-22 14:32:10776 采用諧振電感與變壓器磁集成設(shè)計(jì)，配合GaN高頻特性，進(jìn)一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術(shù)實(shí)現(xiàn)體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway
2025-10-22 09:09:58
當(dāng)全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)為更快充電、更長續(xù)航激烈競逐，當(dāng)AI數(shù)據(jù)中心因算力成本反復(fù)測算，圍繞“功率密度”的技術(shù)革命正成為突破瓶頸的關(guān)鍵。近日在I.S.E.S.中國峰會(huì)上，安森美（onsemi）企業(yè)戰(zhàn)略
2025-10-20 15:34:372024 
納微半導(dǎo)體正式發(fā)布專為英偉達(dá)800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實(shí)現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。
2025-10-15 15:54:592482 
與電流路徑解耦"的核心設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級(jí)，標(biāo)志著我國在高功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域成功躋身國際先進(jìn)行列！ TOLT-16封裝圖 ?創(chuàng)新封裝，破解高功率散熱難題 VBGQTA1101采用的TOLT封裝，通過將散熱路徑與電流傳輸路徑分離，徹底解決了傳統(tǒng)封裝中熱管理與
2025-10-11 19:43:0019741 
MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無源元件體積與開關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:03
37 DSP控制的開關(guān)電源實(shí)現(xiàn)了數(shù)字控制，不僅可以得到穩(wěn)定的輸出電壓和輸出電流，還能克服模擬控制系統(tǒng)中元件老化、熱漂移等問題。但隨著開關(guān)頻率的提高和功率密度的增大所產(chǎn)生的電磁干擾EMI，對(duì)電源本身及周圍
2025-10-10 14:17:0812251 
隨著數(shù)據(jù)中心、5G基站及工業(yè)設(shè)備對(duì)功率密度與能效標(biāo)準(zhǔn)的要求持續(xù)攀升，傳統(tǒng)電源方案在效率、尺寸和成本層面面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
2025-09-26 17:07:401571 *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要400VSiCMOSFET技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。簡要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務(wù)器應(yīng)用的電源(PSU)中對(duì)其優(yōu)勢進(jìn)行了研究，該電源在
2025-09-24 19:05:30542 
為核心，小尺寸也能扛大電流，特別適合空間緊張的電子設(shè)備 。 LRP系列技術(shù)核心解析： 普通貼片電阻功率小，而光頡的LRP系列電阻在1206封裝尺寸下可以實(shí)現(xiàn)1W功率承載，2512封裝更可達(dá)3W，功率密度遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品，顯著優(yōu)化PCB空間利用率。其阻值覆
2025-09-24 16:48:39609 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:332066 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
隨著市場對(duì)緊湊型、高效且可靠的電源解決方案的需求持續(xù)增長，對(duì)可提供更高功率密度并簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的電源管理器件的需求也隨之增加。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布
2025-09-17 15:45:45914 ：隔離式溫度傳感器（NTC）實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控，防止過熱失效。應(yīng)用場景電動(dòng)汽車與充電基礎(chǔ)設(shè)施l 車載充電器（OBC）：XM3 模塊支持高功率密度設(shè)計(jì)，縮小充電器體積，提升充電效率。l 直流快速充電樁
2025-09-11 09:48:08
作為昂貴的傳統(tǒng)大型無源濾波器的出色替代品，有源電磁干擾濾波器 (AEF) 可以幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)不斷增加的 EMI 挑戰(zhàn)、提高功率密度以及降低電源解決方案的成本。
2025-09-08 13:46:434598 
，交通工具的電動(dòng)化至關(guān)重要。更輕、更高效的電子元器件在這一進(jìn)程中發(fā)揮著重要作用。車載充電器（OBC）便是其中一例。緊湊型傳遞模塑功率模塊如何滿足當(dāng)前車載充電器（OBC）的需求？ ? 正文 電動(dòng)交通領(lǐng)域的發(fā)展日新月異：為提高車輛的自主性和續(xù)航里程，電驅(qū)動(dòng)力總成系統(tǒng)變得越來越高效和緊湊。車載充電器（OBC）作為
2025-09-04 09:24:012612 
大功率電源市場前景經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展和工業(yè)化進(jìn)程加速，特別是新興科技領(lǐng)域如數(shù)據(jù)中心、通信基站、新能源汽車、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等對(duì)大功率電源的需求持續(xù)增長。永銘液態(tài)引線鋁電解電容作用由于具有大容量和高功率密度
2025-09-01 10:08:38439 
（Delta Electronics, Inc.）強(qiáng)化既有合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)高功率密度電源模塊，為超大型數(shù)據(jù)中心的AI處理器提供領(lǐng)先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心邁向低碳化與數(shù)字化
2025-08-29 17:50:301055 
加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時(shí)用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021599 8月26日，elexcon2025-第22屆深圳國際電子展正式拉開帷幕。為了表彰在“AI與雙碳”雙線技術(shù)創(chuàng)新的優(yōu)秀企業(yè)，elexcon聯(lián)手電子發(fā)燒友網(wǎng)現(xiàn)場頒發(fā)“2025半導(dǎo)體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎(jiǎng)”，MPS新一代超高功率密度 AI 電源模塊MPC24380斬獲”年度優(yōu)秀AI芯片獎(jiǎng)“。
2025-08-29 11:37:102128 
近年來，高功率密度車載充電系統(tǒng)和大型數(shù)據(jù)中心的廣泛應(yīng)用，推動(dòng)功率電子技術(shù)向更高功率密度、更高頻率、更小體積和更高效率發(fā)展。這促使配套的軟磁鐵氧體材料在高頻損耗控制、高溫穩(wěn)定性和薄型化設(shè)計(jì)方面不斷提升。
2025-08-26 17:26:46872 
YLB高功率密度PD快充芯片U8722SP快速安全散熱好日常生活和工作的需要，讓大家都希望在盡量短的時(shí)間內(nèi)給自己的手機(jī)充得足夠的電量?？斐湫酒娜蝿?wù)，就是把適配器的電壓轉(zhuǎn)換成電池的電壓，同時(shí)按照需要
2025-08-21 16:29:03660 
革新電源設(shè)計(jì)：B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET，賦能高效高密度電源系統(tǒng) ——傾佳電子助力OBC、AI算力電源、服務(wù)器及通信電源升級(jí) 引言：功率器件的代際革命 在
2025-08-15 09:52:38609 
隨著 AI 與高算力應(yīng)用的快速發(fā)展，系統(tǒng)需整合 DSP 或 FPGA 以支持實(shí)時(shí)運(yùn)算與數(shù)據(jù)處理，對(duì)電源管理也提出了更高電流輸出與高功率密度的嚴(yán)苛要求。如何在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高效的供電，已成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
2025-08-13 15:35:56983 
的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車充電
2025-08-01 17:05:091507 描述：
APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用電荷平衡技術(shù)
低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能
APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果
一般特性
2025-07-15 16:22:02
在通信與工業(yè)控制領(lǐng)域，穩(wěn)定、高效的電源是保障系統(tǒng)可靠運(yùn)行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借高功率密度、智能數(shù)字化控制及多重安全防護(hù)，成為通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及機(jī)器人等領(lǐng)域的理想選擇。
2025-07-10 17:30:42880 
描述：
APJ14N65F/P/T是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用電荷平衡技術(shù)，低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。
APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效率
一般
2025-07-09 13:35:13
環(huán)境下長期可靠運(yùn)行，助力清潔能源高效利用。
工業(yè)開關(guān)電源： 在高壓大功率AC/DC、DC/DC電源中，超快開關(guān)速度和低傳播延遲是提升開關(guān)頻率、實(shí)現(xiàn)高功率密度的核心；強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力支持更大功率輸出；簡化
2025-07-03 08:45:22
汽車電源設(shè)計(jì)人員必須選擇拓?fù)浜涂刂破?，除了滿足外形和效率等規(guī)格要求外，還需滿足國際標(biāo)準(zhǔn)化組織 26262 確定的汽車安全完整性等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。過去，設(shè)計(jì)人員使用在半橋拓?fù)渲信渲玫暮唵文M脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器。但是，對(duì)于需要高級(jí)保護(hù)或更高效率的系統(tǒng)，PWM 控制器無法滿足要求。
2025-06-30 14:26:471860 
。選用XM3系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)輕量化微型化，性能強(qiáng)大，寄生電容減少50%至6.5nH，諧波電流電感大幅度減少。EAB450M12XM3的高功率密度、高效化、高穩(wěn)定性，特別適合車規(guī)級(jí)技術(shù)應(yīng)用，滿足電動(dòng)汽車等高功率
2025-06-25 09:13:14
體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度（如AI服務(wù)器電源功率密度需達(dá)100W/立方英寸，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)服務(wù)器電源的50W/立方英寸）。
2025-06-24 10:07:01918 
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460 
【導(dǎo)讀】高功率密度 (100W/立方英寸) 如何實(shí)現(xiàn)？48V供電系統(tǒng)升級(jí)如何破局？國產(chǎn)核心器件能否完成替代？答案就在這場頂尖峰會(huì)！ ? AI電源是2025-2026年AI硬件確定的增量，英偉達(dá)超級(jí)
2025-06-17 10:36:151098 
一、新能源汽車高功率密度電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢開發(fā)超高功率密度電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力在于：相同體積或質(zhì)量下，輸出功率更大，超車加速能力和高速持續(xù)行駛能力更強(qiáng)，獲得優(yōu)異的動(dòng)力性能和駕駛體驗(yàn)；相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10949 
在 2000 年，服務(wù)器前端電源管理單元 (PSU) （通過交流輸入產(chǎn)生 12V/48V 直流軌） 達(dá)到了約 10W/in3 的功率密度，峰值效率約為 85%?，F(xiàn)在，許多服務(wù)器 PSU 都能夠符合
2025-06-12 10:27:0565522 
IT6600C 系列雙向可編程電源憑借高功率密度架構(gòu)、雙向能量管理功能及觸摸屏交互設(shè)計(jì)等獨(dú)特優(yōu)勢，為高電壓、大電流應(yīng)用場景提供了創(chuàng)新解決方案，在相關(guān)行業(yè)的測試環(huán)節(jié)中表現(xiàn)出顯著的技術(shù)領(lǐng)先性。
2025-06-03 16:39:40525 
本帖最后由 yuu_cool 于 2025-6-3 16:11 編輯
大綱
1、如何實(shí)現(xiàn)高功率密度的USB PD電源
2、基于強(qiáng)制諧振反激零電壓開通拓?fù)湓O(shè)計(jì)與分
3、基于不對(duì)稱半橋反激拓?fù)湓O(shè)計(jì)與分析
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2025-06-03 16:06:24
近日，納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì)，可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機(jī)架。
2025-05-27 16:35:011299 設(shè)計(jì)（封裝尺寸最小達(dá)6.8×3.0mm）和高功率密度（第三代GaN系列模塊功率密度提升至120W/in3）使其成為理想選擇。效果：Leadway電源模塊不僅節(jié)省了空間，還提高了系統(tǒng)的整體能效和可靠性。5.
2025-05-22 09:18:47
,開關(guān)電源的開關(guān)頻率與功率密度變得越來越高。然而,開關(guān)電源開關(guān)頻率不斷提高和功率密度不斷增大使開關(guān)電源內(nèi)部的電磁環(huán)境日趨復(fù)雜，帶來了開關(guān)電源PCB設(shè)計(jì)的EMC電磁兼容性問題。本文給出了開關(guān)電源
2025-05-21 16:00:08
當(dāng)今的
電源設(shè)計(jì)要求高效率和高
功率密度。因此，設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種
電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/div>
2025-05-19 09:29:571025 
。提升供電網(wǎng)絡(luò)（PDN）才能滿足這些飆升的需求。穩(wěn)健的供電不僅僅是配電，還包括系統(tǒng)的效率、尺寸和熱性能。Vicor的高功率密度模塊是具有頂級(jí)性能的DC-DC轉(zhuǎn)換器，易于配置，可以串聯(lián)使用，以快速擴(kuò)展適應(yīng)更高的功率需求。 不要錯(cuò)過Vicor在Mouser “
2025-05-16 13:34:01911 。裝置圖見圖3。連接HP346A ENR到RF的輸入。連接28V直流電壓到噪聲源頭。我們可以在頻譜儀上監(jiān)視輸出噪聲功率譜密度。開/關(guān)直流電源，噪聲譜密度從-90dBm/Hz變到-87dBm/Hz。所以Y
2025-05-07 10:18:06
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級(jí)控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案，支持通過Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率，最大功率可達(dá)1KW。這一設(shè)計(jì)結(jié)合了多種先進(jìn)架構(gòu)與技術(shù)，旨在實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度的小型化電源應(yīng)用。
2025-04-23 08:02:00803 
，安全可靠性的重要性愈發(fā)凸顯。 ? 德州儀器系統(tǒng)經(jīng)理游聲揚(yáng)表示，現(xiàn)代 AI 數(shù)據(jù)中心正驅(qū)動(dòng)云計(jì)算、人工智能、5G 等技術(shù)迅猛發(fā)展，隨之而來的是數(shù)據(jù)中心對(duì)電源需求的急劇攀升，更高的功率密度與效率成為行業(yè)核心挑戰(zhàn)。如何在高性能計(jì)
2025-04-22 00:12:002536 
化是國際電力電子界研究的熱點(diǎn)之一。電源的小型化、減輕重量對(duì)便攜式電子設(shè)備(如移動(dòng)電話，數(shù)字相機(jī)等)尤為重要。使開關(guān)電源小型化的具體辦法有：
一是高頻化。為了實(shí)現(xiàn)電源高功率密度，必須提高PWM變換器
2025-04-09 15:02:01
，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產(chǎn)品，并配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的管理能力與納微對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用的深刻理解，加速在AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁和電動(dòng)汽車商業(yè)化布局。作為戰(zhàn)略合作的重要組成部分，兆易創(chuàng)新還將與納微半導(dǎo)體攜手共建聯(lián)合
2025-04-09 09:30:43736 
，對(duì)封裝技術(shù)提出全新要求。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢，提升功率模塊的性能與可靠性，推動(dòng)電力電子系統(tǒng)向更高效率、更高功率密度方向發(fā)展。
2025-04-08 11:40:331493 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）隨著汽車電動(dòng)化、智能化進(jìn)程的加速，48V電源系統(tǒng)在汽車領(lǐng)域已從技術(shù)探索階段步入大規(guī)模應(yīng)用階段。48V系統(tǒng)通過提升電壓來降低電流，有效減少了線纜損耗，同時(shí)支持更高
2025-04-02 01:12:003533 
：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。專為高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)的全新XDP混合反激數(shù)字控制器系列，采用先進(jìn)的不對(duì)稱半橋（AHB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將反激轉(zhuǎn)換器的簡易性和諧振轉(zhuǎn)換器的效率相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。因此，該控制器系列適用于各類AC/DC應(yīng)用，包括二級(jí)市場和原廠充電器、
2025-03-28 16:42:13762 
Vicor 全新推出的DCM3717 和 DCM3735 DC-DC 電源模塊支持以 48V為中心的供電網(wǎng)絡(luò)（PDN）增長趨勢，與 12V 供電網(wǎng)絡(luò)相比，48V PDN 提供更高的電源系統(tǒng)效率和功率密度而且重量更輕。
2025-03-28 11:14:091383 ，變壓器的制作方法有兩種，一是采用分立磁芯，二是采用一只磁芯，前者不利于功率密度的提升，同時(shí)寄生參數(shù)和成本較高。為了保證變換器的性能，因此采用平面變壓器，將在一個(gè)磁性上實(shí)現(xiàn)磁集成。
軟磁鐵氧體的平面磁芯
2025-03-27 13:57:27
【2025年3月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模塊，該模塊將在實(shí)現(xiàn)AI
2025-03-19 16:53:22737 
及高效率需求的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。CAB450M12XM3在電動(dòng)汽車充電站、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及牽引驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。
主要特性
極致功率密度：得益于SiC技術(shù)
2025-03-17 09:59:21
TDK公司宣布推出全新FS160*系列microPOL(uPOL)電源模塊。FS160*系列uPOL直流-直流轉(zhuǎn)換器全部配備全遙測技術(shù)，具有更高的性能、最小的尺寸以及不同于一般的功率密度等優(yōu)點(diǎn)。該系列產(chǎn)品現(xiàn)已開始量產(chǎn)。
2025-03-12 16:12:061477 
??氮化鎵功率芯片 進(jìn)入長城電源供應(yīng)鏈 ，成功助力其打造 AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進(jìn)行計(jì)算，400V獨(dú)立機(jī)柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全新發(fā)展趨勢。小體積、高效率、更獨(dú)立的模塊電源將釋放出寶
2025-03-12 11:02:36726 
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334534 法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：1.電子設(shè)備：法拉電容可用于移動(dòng)設(shè)備、電子手表、智能手機(jī)等電子產(chǎn)品中，用于儲(chǔ)存短時(shí)間內(nèi)需要大量能量供應(yīng)的場景，如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:531028 
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-26 04:26:491183 / in3 的功率密度，并可用作公共冗余電源 （CRPS） 服務(wù)器電源的輸出級(jí)，用于評(píng)估兩個(gè)并聯(lián) LLC 級(jí)的控制方法，例如交錯(cuò)和電流平衡。
2025-02-25 11:20:511544 
此參考設(shè)計(jì)是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 （ACF），旨在實(shí)現(xiàn)最大功率密度。該電源旨在為服務(wù)器和電信電源單元 （PSU） 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610
2025-02-24 16:03:03872 
，有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。
2025-02-20 10:08:051344 
請(qǐng)問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少？如何查看？
2025-02-20 07:49:07
的應(yīng)用開拓了更多可能性。 金剛石基板工藝是瑞豐光電此次創(chuàng)新的核心所在。該工藝?yán)媒饎偸淖吭綗釋?dǎo)性能，有效提升了封裝產(chǎn)品的散熱效率，從而實(shí)現(xiàn)了更高功率密度的封裝。這一技術(shù)突破使得瑞豐光電的大功率封裝新品在性能上遠(yuǎn)
2025-02-19 14:44:211078 穩(wěn)定運(yùn)行，并實(shí)現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換，適用于各種高效率和高功率密度的應(yīng)用，例如焊接電源、開關(guān)電源、不間斷電源和電動(dòng)汽車電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)。 型號(hào)規(guī)格品牌：Mic
2025-02-14 11:06:50
在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源
2025-02-11 13:44:551178 
針對(duì)工業(yè)控制領(lǐng)域客戶對(duì)小型化、高效率電源模塊的迫切需求，金升陽公司近日推出了全新的URB24xxLN-10/15WR3G系列DC/DC模塊電源。該系列產(chǎn)品憑借超小的體積和高功率密度設(shè)計(jì)，成為市場上
2025-02-06 10:59:491264 帝奧微近期推出了其最新的DPM610X系列DCDC降壓電源模塊，標(biāo)志著高可靠性、高功率密度電源解決方案的新里程碑。該系列包括1A和3A兩種輸出電流規(guī)格，分別為DPM6101和DPM6103，專為滿足
2025-02-06 09:15:351110 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近期GaN在OBC上的應(yīng)用方案開始陸續(xù)推出市場， 在一 月初，陽光電動(dòng)力推出了一款全新的二合一OBC方案，采用GaN器件以及單級(jí)拓?fù)浼軜?gòu)，實(shí)現(xiàn)了超高功率密度和高充電效率
2025-02-05 07:55:0011358 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-20 17:33:501975 針對(duì)工業(yè)控制領(lǐng)域眾多客戶對(duì)小體積、高功率密度電源產(chǎn)品的共性需求，金升陽新推出10/15W DC/DC超小體積工業(yè)電源模塊——URB24xxLN-10/15WR3G。
2025-01-17 17:16:081483 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 已全部加載完成
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