嗯? 又堅(jiān)持了一天寫文章。在前面提到了很多關(guān)于互聯(lián)的問題。在電路中，互聯(lián)基本上就是焊盤的鏈接，還有就是電路中的線性器件。在信號(hào)的傳輸過程中，互聯(lián)主要是傳輸線、電阻、電容、電感之間連接。我們先從更本質(zhì)上來理解線性器件。。所有互聯(lián)的電氣描述都是基于三種理想的集總元器件（電阻電容電感）和一個(gè)分布元件（傳輸線）。因?yàn)檫@直接影響阻抗，其中傳輸線有傳輸線理論，必須和集總元件相區(qū)別和分開理解。

如何將物理設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為電氣性能，如前面提到的，用一個(gè)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和理想元件參考值來替代。因此也就是將物理設(shè)計(jì)的長(zhǎng)寬高和材料特性轉(zhuǎn)化成RLC的電氣描述形式。

電阻：R=ρd/A這個(gè)是電阻的定義（ρ電阻率d長(zhǎng)度A面積=w*t）。那么一個(gè)電阻器的電阻也是按照這個(gè)公式計(jì)算的。這就沒什么好說的了，當(dāng)然還有一些引申的定義比如單位長(zhǎng)度電阻，面電阻等等。但都可以從上面公式推導(dǎo)出來。電阻器最大特點(diǎn)就是信號(hào)沒有相位變化，不管是低頻還是高頻。在相同電壓下，只會(huì)影響電流大小，當(dāng)然只是說理想情況，不考慮寄生的電容和電感。

電容：C=Q/V 電容中的充放電概念相信大家一定狠狠清楚，也就是不同直流，能夠通交流。通過不斷的充放電從而有電流流動(dòng)。I=ΔQ/Δt=CdV/dt..兩個(gè)導(dǎo)體之間的電容量與連接兩個(gè)導(dǎo)體的電力線多少有關(guān)，那么電力線的多少也就和距離材料有關(guān)了。當(dāng)然如果形狀不一樣，電容量也會(huì)不一樣，球面電容和平面電容就不一樣，形狀的變化也就影響了電荷的積累也就會(huì)影響電力線的多少。一提到電容也就要提到材料的介電常數(shù)，因?yàn)榻殡姵?shù)也是影響電荷的存儲(chǔ)能力，介電常數(shù)越大電容越大，存儲(chǔ)電荷能力越強(qiáng)，自然電力線也就越多。所有這幾個(gè)參數(shù)都是相互影響的。但是在整個(gè)過程中我們應(yīng)該抓住電荷量Q的變化，在其他條件一樣的時(shí)候，介電常數(shù)ε越大，電荷存儲(chǔ)能力越大。一些具體的形狀的電容計(jì)算公式可以百度一下，或者直接用二維場(chǎng)求解器。

TMD今天這網(wǎng)站抽風(fēng)居然上不了圖，真是煩人。講到電容，順便也就講講電容器（集總器件）在整個(gè)電阻中的作用，一般是作為去耦、濾波這兩個(gè)作用。雖然電路中有很多的什么旁路電容、去耦電容、濾波電容、儲(chǔ)能電容等各種名稱，不要被各種名稱嚇到了，說的太好聽，它其實(shí)都只是一個(gè)跟頻率有關(guān)的充放電器件（充放的電能，電感充放的是磁能）。但是在整個(gè)過程中電容的工作原理是不變的，而且歸結(jié)起來也就是充放電，從而就能夠達(dá)到去耦和濾波的作用。比如電源去耦電容，也就是減小軌道塌陷，信號(hào)變化過程中，電流不斷變化，當(dāng)電源和地之間的電壓沒有足夠的電壓去維持正常時(shí)，如果有個(gè)電容在電源旁邊，當(dāng)電流不夠時(shí)能夠及時(shí)的補(bǔ)充。濾波，一樣的我們知道當(dāng)電流變化快的時(shí)候，通過不斷的充放電也就能夠把不想要的頻率導(dǎo)入地平面，而有用的頻率對(duì)其充放電不能及時(shí)導(dǎo)走。如果要從數(shù)學(xué)上來了解，那就參考濾波的電路的公式推導(dǎo)。說回去耦：為減小電源分配系統(tǒng)中的電源軌道塌陷，在電源和地之間有足夠的去耦電容，也就是在δt時(shí)間內(nèi)，電容C可以阻止電源電壓的下沉。如果芯片的功耗為P,由于去耦電容，電壓向下沉幅達(dá)到電源電壓5%的時(shí)間近似

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? δt=C*0.05*V2/P

這個(gè)公式可用于估計(jì)電源去耦電容大小。至于C的大小就要看，需要提供多久的充電時(shí)間了，通常情況下要提供5μs的時(shí)間，算出來C=10μF。也就是106。因此很多電源旁邊都要用106電容，當(dāng)然有時(shí)候還要加個(gè)nF級(jí)別的小電容，也一樣如果所需充電時(shí)間要更快更短，所以通常并一個(gè)小的電容。