芯片制程從微米級進入2納米時代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次架構(gòu)演進到底解決了哪些物理瓶頸呢?
2025-07-08 16:28:02
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8050的情況下,補碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術(shù)額定值通常是相同的。區(qū)別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電,從而為傳輸提供動力,并允許在用戶端實現(xiàn)多種功能
2023-02-16 18:22:30
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸?
2021-05-26 06:57:13
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負,由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時,當需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象,有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊,請各位大俠指點?。?!
2016-06-07 23:27:44
?5. 連續(xù)脈沖?單脈沖?6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下?功率計算的積分公式使晶體管工作會產(chǎn)生電氣負載和熱負載。對晶體管來講,負載太大壽命會縮短,最壞的情況下會導致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?! “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標,是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作,必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng),該系
2012-08-02 23:57:09
` 《晶體管電路設(shè)計(下)》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一,共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗,內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
1.反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時,將萬用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
題庫來源:特種作業(yè)??碱}庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
從事電子設(shè)計7年了,發(fā)覺這兩本書挺好的,發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(上)放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(下)FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍!`
2016-11-08 14:12:33
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時,實際功耗不允許超過PCM,通常還應(yīng)留有較大余量,因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
本文為大家介紹“Si晶體管”(之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管,例如SiC)。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首,電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V,應(yīng)有盡有.幾年前,晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前,它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力,改進了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首,電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1.晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極(用字母E或e表示)。如圖5-4所示,晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)(C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多,不同的電子設(shè)備與不同的電子電路,對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途,不同類型的晶體管。 1.一般高頻晶體管的選用一般小信號處理(例如
2012-01-28 11:27:38
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負,由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
率和低功耗已經(jīng)成為FPGA的發(fā)展重點,也對FPGA測試提出了新的需求。本文根據(jù)FPGA的發(fā)展趨勢,討論了FPGA測試面臨哪些挑戰(zhàn)?測試方案是什么?
2019-08-07 07:50:15
各不相同,包括器件系列、時鐘頻率、電源軌要求和資源利用率等?! §o態(tài)功耗主要是晶體管的漏電流引起,由源極到漏極的漏電流以及柵極到襯底的漏電流組成。隨著半導體工藝更加先進,晶體管尺寸不斷減小,泄漏電流也
2018-10-23 16:33:09
Finfet技術(shù)(3D晶體管)詳解
2012-08-19 10:46:17
運營商建設(shè)LTE網(wǎng)絡(luò)的基本策略之一為LTE網(wǎng)絡(luò)、2G和3G網(wǎng)絡(luò)將長期共存,共同發(fā)展,多模、多制式、多頻的融合。LTE網(wǎng)絡(luò)測試領(lǐng)域也在業(yè)界的持續(xù)努力與實驗網(wǎng)的驗證下取得了很大的進步。但在多網(wǎng)協(xié)同的發(fā)展方向上,仍面臨諸多挑戰(zhàn),需要進一步積極應(yīng)對。
2019-06-10 07:48:45
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中,兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn),使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
RFID原理是什么?RFID技術(shù)面臨哪些挑戰(zhàn)?
2021-05-26 06:06:21
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
眾所周知,電子系統(tǒng)芯片中的晶體管會隨著時間而逐漸老化。它們會慢慢變舊,反應(yīng)變得遲緩,毛病越來越多,甚至突然崩潰死機。不過凡事都有兩面性,雖然晶體管老化對電子產(chǎn)品不是好事,但其功耗卻隨著時間的推移而降
2017-06-15 11:41:33
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝,也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi),容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。(英特爾 3D 晶體管技術(shù))嚴格來說,晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件,包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
年代和 1960 年代,它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認識到這種設(shè)計對發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢,并為這一概念申請了專利。 達林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性,使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
鰭式場效應(yīng)晶體管優(yōu)勢 更好地控制通道 抑制短通道效應(yīng) 更低的靜態(tài)漏電流 更快的開關(guān)速度 更高的漏極電流(每個封裝的驅(qū)動電流更大) 更低的開關(guān)電壓 低功耗 鰭式場效應(yīng)晶體管缺點 難以
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
`<p>分析mos管未來發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn) 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高集成電路的集成度,同時提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS管的特征尺寸不斷縮小
2018-11-06 13:41:30
請教:單結(jié)晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
做了一個單結(jié)晶體管仿真(電力電子技術(shù)的初學者)。有個問題請教于各位高手。1:開關(guān)初始時刻是閉合的時候,點擊仿真,發(fā)光二極管不亮 。:2:初始時刻,開關(guān)打開,點擊仿真后,點擊開關(guān)閉合,二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎,為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手,小弟正在學習單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
基于能量采集技術(shù)的BLE傳感器節(jié)點設(shè)計面臨哪些挑戰(zhàn)?如何去應(yīng)對這些挑戰(zhàn)?
2021-05-17 06:03:02
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān),從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要,其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備(如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測晶體管的性能?怎樣去檢測特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
如何采用創(chuàng)新降耗技術(shù)應(yīng)對FPGA靜態(tài)和動態(tài)功耗的挑戰(zhàn)?
2021-04-30 07:00:17
實現(xiàn)超低功耗藍牙設(shè)計面臨的主要挑戰(zhàn)是什么?
2021-05-19 06:39:34
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?!鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
怎樣應(yīng)對Edge技術(shù)給無線手機平臺的設(shè)計挑戰(zhàn)?
2021-06-01 06:52:41
無線智能IP監(jiān)控面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)是什么?怎么解決?
2021-05-31 06:27:15
機器開發(fā)人員面臨哪些軟件挑戰(zhàn)以及硬件挑戰(zhàn)?如何去應(yīng)對這些挑戰(zhàn)?
2021-06-26 07:27:31
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個)、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
模塊化儀器應(yīng)對寬帶通信測試面臨的挑戰(zhàn)有哪些?數(shù)字預(yù)失真建模流程步驟是怎樣的?
2021-05-08 07:38:56
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位,但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率,但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器(如LLC)對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
高速串行總線的特點是什么?測試高速串行總線面臨哪些挑戰(zhàn)?如何應(yīng)對這些測試挑戰(zhàn)?
2021-05-10 07:00:10
設(shè)計工程師可以考慮的選項之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時,也帶來了電路設(shè)計層面的挑戰(zhàn)。 并聯(lián)晶體管的設(shè)計挑戰(zhàn) 在應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)時,首先需要考慮的是并聯(lián)晶體管的通態(tài)電阻
2021-01-19 16:48:15
請問如何應(yīng)對功耗挑戰(zhàn)?
2021-06-18 06:47:35
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷?新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在
美國國家標準與技術(shù)研究院的研究人員近日發(fā)出警告稱,傳統(tǒng)上對晶體管噪聲的理解存在根本上的缺陷,并
2009-05-27 09:27:43
1150 晶體管出現(xiàn)的意義
晶體管的出現(xiàn),是電子技術(shù)之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩?! ⊥娮?b class="flag-6" style="color: red">管相比,晶體管具有諸多優(yōu)越性: ?、?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的構(gòu)
2009-11-05 10:46:47
3960 晶體管分類
按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:53
4989 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:05
6814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成,它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:46
6586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:30
14825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:51
4129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM,是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:10
8979 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計、晶體管應(yīng)用(主要含晶體管收音機、晶體管測試儀)以及常見的晶體管(如:場效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等)。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬象,希望對各位有所幫助!
2012-08-03 09:12:48

在電費占運營成本 (OPEX) 很大一部分,而運營成本則占總成本約70%的情況下,降低功耗對運營商來說已刻不容緩。以前,芯片提供商想辦法通過晶體管和工藝技術(shù)來降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗
2017-11-24 18:37:33
1938 晶體管原理及應(yīng)用 晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor,BJT)又稱晶體三極管,簡稱三極管,是一種固體半導體器件,可用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號
2019-01-16 13:45:16
4296 本文首先闡述了晶體管的概念,其次介紹了晶體管的優(yōu)越性,最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:12
13941 當傳感器監(jiān)測到選定的壓力信號傳遞到晶體管時會產(chǎn)生響應(yīng),隨后傳導并放大這些信號進行檢測。近來,一種被稱為有機電化學晶體管(OECT)的新型晶體管技術(shù),在低電壓和低功耗下展現(xiàn)出了優(yōu)越的信號放大能力。
2021-03-17 13:59:58
15032 晶體管簡介
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如
2022-02-09 12:34:23
2 盡管有機半導體已經(jīng)在顯示技術(shù)中找到了應(yīng)用,但到目前為止,該技術(shù)所實現(xiàn)的晶體管只有有機場效應(yīng)晶體管(OFET)。雖然自O(shè)FET誕生以來的幾十年里,這項技術(shù)已經(jīng)取得了顯著的發(fā)展,但仍有一些挑戰(zhàn)阻礙了它們被主流采用。
2022-07-22 09:49:32
2478 如今芯片設(shè)計面臨著諸多挑戰(zhàn),成本與良率、晶體管效率、裸片尺寸限制以及功耗與性能的取舍等等。
2022-09-07 09:43:33
1881 芯片上集成晶體管的方法有很多,其中最常用的是封裝技術(shù),即將晶體管封裝在芯片上,使其成為一個整體,從而實現(xiàn)晶體管的集成。另外,還可以使用芯片上的晶體管模塊,將晶體管模塊連接到芯片上,從而實現(xiàn)晶體管的集成。
2023-02-19 14:02:15
5730 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:00
9544 通過改變溝道中的電場來控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 : 晶體管 :輸入阻抗相對較低,因為基極需要電流來控制。 場效應(yīng)管 :輸入阻抗非常高,因為柵極控制是通過電壓實現(xiàn)的,不需要電流。 功耗 : 晶體管 :在開關(guān)應(yīng)用中,晶體管的功耗
2024-12-03 09:42:52
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