全新Calibre xACT產(chǎn)品可滿足先進工藝廣泛的寄生電路參數(shù)提取需求

　　俄勒岡州威爾遜維爾，2015 年 4 月 22日—Mentor Graphics 公司（納斯達克代碼：MENT）今天宣布推出全新 Calibre? xACT? 寄生電路參數(shù)提取平臺，該平臺可滿足包括 14nm FinFET 在內(nèi)廣泛的模擬和數(shù)字電路參數(shù)提取需求，同時最大限度地減少 IC 設(shè)計工程師的猜測和設(shè)置功夫。 Calibre xACT 平臺可借由自動優(yōu)化電路參數(shù)提取技術(shù)，針對客戶特定的工藝節(jié)點、產(chǎn)品應(yīng)用、設(shè)計尺寸大小及電路參數(shù)提取目標，實現(xiàn)精準度和周轉(zhuǎn)時間（TAT）的最佳組合。采用 Calibre xACT 平臺進行電路寄生參數(shù)提取在滿足最嚴格的精準度要求的同時，還讓客戶體驗到了減少高達 10 倍的周轉(zhuǎn)時間。

　　Samsung 在用于 14nm 技術(shù)的 Calibre xACT 平臺的開發(fā)和認證方面與 MentorGraphics 有著廣泛的合作，并憑借該平臺的高精準度性能將其應(yīng)用于技術(shù)開發(fā)。Calibre xACT 產(chǎn)品能夠?qū)蝹€規(guī)則檔案應(yīng)用于一系列電路參數(shù)提取應(yīng)用，使客戶能夠兼顧精準度和快速 TAT（Turn Around Time），且無需手動修改其規(guī)則檔案或工具配置。

　　“我們在對領(lǐng)先的電路參數(shù)提取產(chǎn)品進行了仔細的基準檢驗后，選擇了將Calibre xACT作為簽核電路參數(shù)抽取工具標準并應(yīng)用到我們所有的新一代設(shè)計中，”Cypress Semiconductor 公司 CAD 總監(jiān) Dragomir Nikolic 說道。 “包括在90 nm和65 nm制程節(jié)點上的產(chǎn)品。我們發(fā)現(xiàn)，在眾多目標在最尖端工藝節(jié)點電路參數(shù)提取產(chǎn)品中，Calibre xACT 可提供高精準度和快速周轉(zhuǎn)時間的最佳組合。此外，我們也看到 Calibre xACT電路參數(shù)提取工具有能力在各種各樣的應(yīng)用（從晶體管級別到全芯片數(shù)字電路參數(shù)提?。┲挟a(chǎn)生最佳結(jié)果，這種能力是非常有價值的?！?/p>

　　在整個設(shè)計周期內(nèi)，電路設(shè)計工程師必須在性能和精準度之間權(quán)衡取舍。寄生電路參數(shù)提取也不例外。在使用較為復(fù)雜的FinFET組件的先進工藝節(jié)點上，設(shè)計工程師始終致力于追求更為嚴苛的精準度，也需要更高的性能和容量來實現(xiàn)十億級晶體管設(shè)計。事實上，在現(xiàn)代 IC 中，所有制程節(jié)點都隨著內(nèi)存、模擬電路、標準單元庫以及客制化數(shù)字內(nèi)容的混合變得日益復(fù)雜。這種復(fù)雜性為電路參數(shù)提取工具帶來了一系列不同的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，CalibrexACT平臺將精簡模型、解電磁場技術(shù)（Field Solver）以及高效的多 CPU 擴展（scaling）技術(shù)融為一體，以確保實現(xiàn)有可靠精準度并滿足計劃所要求的期限。

　　CalibrexACT電路參數(shù)提取平臺與整個Calibre產(chǎn)品線整合，實現(xiàn)了無縫驗證流程，其中包括用于完整晶體管級模型的CalibrenmLVS? 產(chǎn)品，以及用于針對極高精準度電路參數(shù)提取應(yīng)用的CalibrexACT 3D 產(chǎn)品。此外，它還納入了第三方設(shè)計環(huán)境和格式，以確保與現(xiàn)有的設(shè)計和仿真流程相兼容。

　　關(guān)于Mentor Graphics

　　Mentor Graphics公司是電子硬件和軟件設(shè)計解決方案（EDA）的全球領(lǐng)導者，為世界上最成功的通信、半導體，計算機，消費電子，汽車電子和國防軍工公司提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品、咨詢服務(wù)和支持，可加快客戶電子及機械產(chǎn)品的研發(fā)速度，提高產(chǎn)品質(zhì)量，增加成本效益。工程師可借助公司不斷推出的新產(chǎn)品及解決方案，應(yīng)對日趨復(fù)雜的電路板及芯片設(shè)計領(lǐng)域面臨的挑戰(zhàn)。Mentor Graphics公司擁有業(yè)內(nèi)最為豐富的頂級產(chǎn)品線，提供完整的SOC/IC/FPGA/PCB/SI設(shè)計工具和服務(wù)，并且是唯一一家擁有嵌入式軟件解決方案的EDA公司。公司成立于1981年，目前有超過70家分公司分布世界各地。

　　公司總部地址：8005 S.W. Boeckman Road， Wilsonville， Oregon 97070-7777。

　　? 上市公司（納斯達克代碼：MENT）

　　? 成立于1981年，總部位于俄勒岡州威爾遜維爾市

　　? 全球設(shè)有70多個分公司或辦事處

　　? 已在中國上海、北京、深圳設(shè)立分支機構(gòu)

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2011-08-04 14:14:05

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當頻率很高時，電容不再被當做集總參數(shù)看待，寄生參數(shù)的影響不可忽略。寄生參數(shù)包括Rs，等效串聯(lián)電阻（ESR）和

2017-11-17 15:10:33

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淺談怎樣選擇滿足FPGA設(shè)計需求的工藝

再如此。取而代之的是，當今的可編程邏輯供應(yīng)商必須研究各種工藝選擇，才能滿足采用FPGA的設(shè)計的各類需求。本文將介紹三類工藝特性，它們與現(xiàn)代FPGA內(nèi)部結(jié)構(gòu)的聯(lián)系，以及FPGA對采用了這些工藝的系統(tǒng)的影響。其中將特別介紹圍繞名為FinFET的晶體管

2017-12-05 13:42:16

無折衷的先進工藝寄生參數(shù)提取方法

對于先進納米制程，有必要結(jié)合基于規(guī)則的引擎和場解算器引擎，為FinFET等詳細3D結(jié)構(gòu)提供必不可少的參數(shù)提取精度，同時還能提供實現(xiàn)全芯片設(shè)計快速吞吐量所需的性能。Cal．bre@ xACTTM平臺

2018-03-02 16:24:04

A * STAR和Soitec宣布推出聯(lián)合計劃以開發(fā)全新先進封裝層轉(zhuǎn)移工藝

A * STAR和Soitec宣布推出聯(lián)合計劃，以開發(fā)全新先進封裝層轉(zhuǎn)移工藝，具備成本競爭力的全新晶圓到晶圓層轉(zhuǎn)移工藝可幫助實現(xiàn)，基于微電子研究院的晶圓級扇出封裝（FOWLP）和2.5D硅中介層

2019-03-27 12:25:00

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三星Foundry憑借最新工藝幫助客戶設(shè)計和制造最先進的IC產(chǎn)品

都已通過最新的三星Foundry的工藝認證，雙方的專業(yè)知識再次結(jié)合，幫助設(shè)計人員快速開發(fā)和驗證創(chuàng)新型 IC，以應(yīng)對各種高速增長的市場和應(yīng)用需求?！?/div>

2020-08-20 13:46:12

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全新高技術(shù)產(chǎn)品虎頭牌1.5伏可充鋰電池搭載全球最先進的電子充電技術(shù)

我們在這一屆的云廣交推出全新的高技術(shù)產(chǎn)品虎頭牌1.5伏可充鋰電池，這款新品搭載了全球最先進的消費類電子產(chǎn)品充電技術(shù)，可以實現(xiàn)1.8小時的快速充電，可充放循環(huán)1000次以上，還具備了1.5V恒壓放電

2020-10-22 10:34:42

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芯片大佬探索封裝技術(shù)，可滿足芯片發(fā)展需求

近年來，封裝技術(shù)在半導體領(lǐng)域發(fā)揮的作用越來越大，越來越多前道工藝需要完成的步驟被引入后道工藝當中，兩者的界限變得越來越模糊。隨之而來的是，越來越多超越傳統(tǒng)封裝理念的先進封裝技術(shù)被提出。滿足芯片發(fā)展

2020-10-26 17:43:26

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具有寄生提取功能的PDN阻抗分析（Q＆A）

盡管我們傾向于以不同的方式來考慮 PDN 阻抗和傳輸線的行為，但它們之間有著密切的聯(lián)系，甚至更合適的是使用類似的技術(shù)來提取用于電路模型的寄生效應(yīng)。讓我們更詳細地研究這個數(shù)學上豐富的主題。寄生提取

2020-11-04 19:45:36

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基于電磁法的InP-DHBT寄生參數(shù)提取及H波段驗證

基于電磁法的InP-DHBT寄生參數(shù)提取及H波段驗證

2021-04-07 09:14:41

IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)介紹

關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)，產(chǎn)品設(shè)計時對IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多，對于其標稱的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當然針對不同的應(yīng)用場合，所關(guān)注的方面都不不盡相同，比如

2021-06-12 10:29:00

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如何使用EMS for Solidworks提取PCB結(jié)構(gòu)的寄生參數(shù)

EMI 或電磁干擾是來自設(shè)備或系統(tǒng)的不良電磁噪聲，會干擾相鄰設(shè)備或系統(tǒng)的正常運行。EMI建模和預(yù)測的基本過程需要提取PCB和電路元件的寄生參數(shù)以建立高頻電路模型。

2022-04-24 15:46:01

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新思科技推出面向臺積公司N6RF工藝全新射頻設(shè)計流程

新思科技（Synopsys）近日推出面向臺積公司N6RF工藝的全新射頻設(shè)計流程，以滿足日益復(fù)雜的射頻集成電路設(shè)計需求。

2022-06-24 14:30:13

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可編程邏輯電路設(shè)計之寄生參數(shù)提取工具

寄生參數(shù)的提取通常有兩類方法：精確計算方法和快速模型方法。精確計算方法精度高，但其速度較慢，所以常用于規(guī)模較小但對精度要求較高的應(yīng)用，例如工藝分析、標準單元建庫，射頻電路分析等。快速模型方法相比精確計算方法精度較差，但由于其速度快上千倍，因此被廣泛應(yīng)用于全芯片級的寄生參數(shù)提取。

2022-08-30 10:15:05

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Quantus在數(shù)字電路設(shè)計上面對的挑戰(zhàn)

Quantus 是目前業(yè)界非常受信任的寄生參數(shù)抽取工具。在集成電路行業(yè)內(nèi)，處于領(lǐng)先地位的制造廠商和設(shè)計公司都會大規(guī)模地應(yīng)用該工具，尤其在工藝制程步入深亞微米的先進工藝領(lǐng)域（16 nm 及更先進的制程），Quantus 在模擬電路和數(shù)字電路上的優(yōu)異表現(xiàn)都備受客戶的廣泛好評。

2022-09-27 14:40:05

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優(yōu)化MOSFET以滿足特定應(yīng)用的需求

考慮到功率MOSFET的廣泛應(yīng)用范圍，很明顯，這種趨勢在越來越多的應(yīng)用中得到了體現(xiàn)。對于許多設(shè)計而言，這意味著僅僅選擇具有合適FOM的標準MOSFET無法再滿足所有應(yīng)用需求。這些需求包括管理電壓峰值

2023-02-08 09:22:39

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三個寄生參數(shù)對電路的影響

隨著半導體工藝的發(fā)展，由導線引起的寄生效應(yīng)產(chǎn)生的影響越來越大。三個寄生參數(shù)（電容、電阻和電感）對電路都有影響。

2023-02-13 10:38:02

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分立器件寄生參數(shù)模型與效應(yīng)

在電路設(shè)計中每個器件都有其寄生參數(shù)。例如，一個電感中還存在容性和阻性分量，電容中還存在感性和阻性分量。

2023-04-08 11:43:27

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西門子EDA Calibre 平臺獲臺積電先進N3E和N2工藝認證

西門子EDA Calibre 平臺獲臺積電先進N3E和N2工藝認證作為臺積電的長期合作伙伴西門子EDA一直在加強對臺積電最新制程的支持，根據(jù)西門子EDA透露的消息顯示，sign-off 物理驗證

2023-05-11 18:25:30

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寄生參數(shù)分析設(shè)計過程及更改

西門子EDA將XpeditionAMS與HyperLynx Advanced 3D電磁求解器集成在一起，將電路板級寄生參數(shù)分析帶入電路設(shè)計過程，從而最有效地進行設(shè)計更改。在設(shè)計過程的早期考慮布局寄生參數(shù)，從而減少了下游設(shè)計迭代的風險，并且是保持項目按時、按預(yù)算和按規(guī)范工作的關(guān)鍵。

2023-05-15 15:44:19

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3nm及以下的5D提取需求

模擬器件的時序特性。由于當今的2.5D寄生提取引擎是基于模式的，因此對于FinFET與平面晶體管技術(shù)，需要學習更多模式。需要為精度標準開發(fā)一套強大的模式，同時滿足不斷縮短的工藝推出周期，這給 EDA 和晶圓代工廠供應(yīng)商帶來了巨大的壓力。

2023-05-25 14:23:56

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如何從SYZ參數(shù)提取電容C和電感L—雙端口

上期解釋了單端口計算S參數(shù)，然后后處理很容易提取L或C，已經(jīng)滿足基本需求。

2023-06-20 11:15:40

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100分的Calibre只發(fā)揮了60分的作用？

Siemens的Calibre是業(yè)內(nèi)權(quán)威的版圖驗證軟件，被各大Foundry廠廣泛認可。用戶可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口，調(diào)用版圖驗證結(jié)果數(shù)據(jù)，使用起來極為方便。

2023-07-14 11:33:36

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EDA云實證Vol.13：暴力堆機器之王——Calibre

Siemens的Calibre是業(yè)內(nèi)權(quán)威的版圖驗證軟件，被各大Foundry廠廣泛認可。用戶可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口，調(diào)用版圖驗證結(jié)果數(shù)據(jù)，使用起來極為方便。今天，我們

2023-07-17 16:20:45

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EMI的PCB寄生參數(shù)有哪些

影響EMI的PCB寄生參數(shù)你都清楚嗎？

2023-07-18 12:57:15

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到底誰能提升Calibre的效率？

2023-07-25 10:30:14

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TDK MEMS麥克風第2代全新封裝滿足先進需求

情況的功能或錄音功能的電子設(shè)備對于MEMS麥克風的進一步小型化或音響特性的提高提出了更高的要求。此外，在聲音識別接口中，高性能麥克風也是必須產(chǎn)品。TDK為滿足此類先進需求，運用通過SAW設(shè)備等積累而來的CSMP(芯片尺寸MEMS封裝)技術(shù)，成功實現(xiàn)了MEM

2023-08-22 16:21:30

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什么是寄生電路？

寄生電路是一種隱蔽性的電路設(shè)計的缺陷，按正常的電路分析是不容易發(fā)現(xiàn)的，是在某種特定的情況下才會出現(xiàn) ，發(fā)生意外接通的電路。

2023-08-03 09:14:31

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如何提升跑Calibre效率呢？

2023-08-09 09:24:56

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重內(nèi)存、可拆分，暴力堆機器……Calibre技術(shù)向攻略

寄生參數(shù)提取（Parasitic Extraction）：將版圖中的寄生參數(shù)提取出來，在Virtuoso中反饋結(jié)果，前端工程師會進行后仿驗證，重新評估電路特性并進行修改，保證流片正確。

2023-08-16 16:19:56

1988

如何在Virtuoso界面集成Calibre接口呢？

2023-08-24 11:14:13

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PCB工藝制程能力介紹及解析（上）

2023-08-24 18:10:04

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如何減少導線的寄生電感？

如何減少導線的寄生電感？? 引言：隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，對于高速數(shù)據(jù)傳輸和高頻信號的傳輸要求也越來越高。然而電學特性的限制使得對導線的寄生電感逐漸成為制約高頻電路性能的瓶頸之一。降低寄生電感

2023-09-05 17:29:31

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寄生參數(shù)抽取只會StarRC不會QRC？

寄生參數(shù)抽取只會StarRC 不會QRC？本章節(jié)講解下QRC抽取寄生參數(shù)。

2023-10-11 16:01:07

7025

100分的Calibre只發(fā)揮了60分的作用是何原因？

2023-11-15 10:39:58

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calibre后仿真參數(shù)提取

進行后仿真時，可以提取一些重要的仿真參數(shù)，這些參數(shù)對于評估電路的性能非常重要。本文將詳細介紹在Calibre中提取后仿真參數(shù)的方法和意義。首先，讓我們了解一下Calibre的工作流程。Calibre的后仿真主要分為三個步驟：仿真設(shè)置、仿真運行和仿真結(jié)果提

2024-01-04 17:24:59

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Virtuoso Studio：寄生參數(shù)提取設(shè)計

基于 Cadence 30 年的行業(yè)知識和地位，全新人工智能定制設(shè)計解決方案 Virtuoso Studio 采用了多項創(chuàng)新功能和全新基礎(chǔ)架構(gòu)，能實現(xiàn)卓越的生產(chǎn)力，以及超越經(jīng)典設(shè)計界限的全新集成水平。

2024-05-09 14:35:23

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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC熱分析

的設(shè)計工具，能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù) 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出 Calibre 3DThermal軟件，可針對3D集成電路 (3D IC) 中的熱效應(yīng)進行分析、驗證與調(diào)試

2024-06-28 14:14:25

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MOS管寄生參數(shù)的影響

MOS（金屬-氧化物-半導體）管作為常見的半導體器件，在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，MOS管的性能并非僅由其基本電氣特性決定，還受到多種寄生參數(shù)的影響。

2024-10-10 14:51:22

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MOS管寄生參數(shù)的定義與分類

MOS（金屬-氧化物-半導體）管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等）外，由于制造工藝、封裝方式以及電路布局等因素而產(chǎn)生的額外參數(shù)。這些寄生參數(shù)對MOS管的性能和使用具有重要影響，是集成電路設(shè)計中不可忽視的重要因素。

2024-10-29 18:11:29

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半大馬士革工藝:利用空氣隙減少寄生電容

本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進入了3納米節(jié)點及更先進階段。在這個過程中，中道（MEOL）金屬互聯(lián)面臨著諸多新的挑戰(zhàn)，如寄生電容等

2024-11-19 17:09:31

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過孔寄生參數(shù)對PCB電路板性能有什么影響

過孔寄生參數(shù)對PCB電路板性能有著顯著的影響，主要體現(xiàn)在以下幾個方面。

2024-11-30 15:23:54

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一文詳解寄生參數(shù)對柵極震蕩的影響

在現(xiàn)代電子電路設(shè)計和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預(yù)期電氣參數(shù)。這些參數(shù)雖然不是設(shè)計之初所考慮的，但它們對電路的性能和行為有著不可忽視的影響。在本次研究中，重點探討寄生電感對柵極振蕩的影響，同時通過實驗來逐步驗證。

2025-03-14 13:47:57

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