系統(tǒng):通過機(jī)械臂將多片晶圓同步浸入清洗槽體,實現(xiàn)批量化污染物剝離,適用于量產(chǎn)階段。電解清洗模塊:利用電場驅(qū)動離子定向遷移,高效去除深孔底部的金屬污染,在3DNAN
2025-12-29 13:27:19
202 
環(huán)節(jié)拆解材料成本GaN器件:GaN外延片成本占比較高,目前主流仍采用硅或碳化硅(SiC)異質(zhì)襯底,其中硅基GaN成本較低(約50?100/片,6英寸),但性能受限;SiC基GaN性能更優(yōu),但成本高昂
2025-12-25 09:12:32
: Murata Power Solutions MGN1直流-直流轉(zhuǎn)換器.pdf 產(chǎn)品概述 MGN1系列DC - DC轉(zhuǎn)換器專為橋接電路中的GaN“高端”和“低端”柵極驅(qū)動電路供電而設(shè)計。它提供
2025-12-18 09:45:03
170 (HPA)單片微波集成電路(MMIC),主要面向 4.5-6.8GHz 頻段應(yīng)用,采用 GaN-on-SiC HEMT 工藝并帶濕度保護(hù),封裝為 QFN 塑封。具備高功率輸出、高效率及寬電壓工作范圍等
2025-12-12 09:40:25
、LED 驅(qū)動、鍵盤掃描等電路。SEG腳接LED陰極,GRID腳接LED陽極,可支持7SEGx4GRID的點(diǎn)陣LED顯示。最大支持7x1按鍵。本芯片性能優(yōu)良,適用于電磁爐、微波爐及小家電產(chǎn)品的顯示屏驅(qū)動
2025-11-25 17:49:30
型號:FZH119FZH119是一種LED(發(fā)光二極管顯示器)驅(qū)動控制與用電路,內(nèi)部集成有MCU 數(shù)字接口、數(shù)據(jù)鎖存器、 LED 驅(qū)動等電路。本產(chǎn)品性能優(yōu)良,質(zhì)量可靠。主要應(yīng)用于電子產(chǎn)品LED顯示屏
2025-11-20 09:55:40
)FZH114 是一款LED(發(fā)光二極管、數(shù)碼管、點(diǎn)陣屏)驅(qū)動控制專用芯片,內(nèi)部集成了數(shù)字通訊電路、解碼電路、數(shù)據(jù)鎖存器、震蕩器、LED驅(qū)動電路。通訊方式采用異步串口通信(UART)協(xié)議,因芯片只接收單片機(jī)發(fā)來
2025-11-19 11:13:26
中的性能差異源于材料物理特性,具體優(yōu)劣勢如下: 1. GaN(氮化鎵)功放芯片 優(yōu)勢: 功率密度高:GaN 的擊穿電場強(qiáng)度(3.3 MV/cm)是硅的 10 倍以上,相同面積下可承受更高電壓(600V+)和電流,功率密度可達(dá)硅基的 3-5 倍(如 100W 功率下,GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3)。 高
2025-11-14 11:23:57
3097 LED驅(qū)動芯片通過內(nèi)部電路精確調(diào)節(jié)電流,使其穩(wěn)定在LED所需的數(shù)值。這通常涉及使用一個電流傳感器來監(jiān)測輸出電流,并將實際電流與設(shè)定的目標(biāo)電流進(jìn)行比較,通過反饋機(jī)制保持LED的恒定電流輸出?。
2025-11-12 10:01:26
243 
;上限達(dá)+85℃(部分型號+93℃),遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件的125℃耐溫極限,適用于高溫工業(yè)場景(如冶金、化工設(shè)備內(nèi)部)或戶外暴曬環(huán)境。溫度循環(huán)穩(wěn)定性
在-40℃至+85℃的寬溫范圍內(nèi),模塊內(nèi)部材料(如
2025-11-12 09:19:03
芯品發(fā)布高可靠GaN專用驅(qū)動器,便捷GaN電源設(shè)計GaN功率器件因為其高工作頻率和高轉(zhuǎn)化效率的優(yōu)勢,逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強(qiáng)型GaN功率器件的驅(qū)動電壓一般在5~7V,驅(qū)動窗口相較于傳統(tǒng)
2025-11-11 11:46:33
687 
STMicroelectronics X-NUCLEO-LED12A1 LED驅(qū)動器擴(kuò)展板用于STM32 Nucleo,具有四個LED1202器件,可驅(qū)動多達(dá)48個LED。LED1202是一款12
2025-10-31 15:13:16
409 
STMicroelectronics EVLMG4-500WIBCK評估板為具有基于GaN(氮化鎵)的同步整流反向降壓拓?fù)涞目烧{(diào)光LED驅(qū)動器電路提供參考設(shè)計。電路的開關(guān)元件和二極管由安裝在子板上
2025-10-29 10:46:55
407 
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允許用戶評估STDRIVEG600高速半橋柵極驅(qū)動器。STDRIVEG600經(jīng)過優(yōu)化,可驅(qū)動高壓增強(qiáng)模式GaN HEMT。該器件具有集成自舉二極管,可提供高達(dá)20V的外部開關(guān),并具有專為GaN HEMT定制的欠壓保護(hù)。
2025-10-24 14:11:19
397 
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心,通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計,實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機(jī)器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
自從氮化鎵(GaN)器件問世以來,憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢,GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 14:56:44
2575 
? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)肖特基勢壘二極管(SBD)因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢展現(xiàn)出巨大潛力。然而,Si與GaN材料之間嚴(yán)重的晶格失配導(dǎo)致外延層中存在高密度缺陷
2025-09-26 16:48:58
1017 
可以使得電機(jī)驅(qū)動電路使用體積更小的無源器件,讓整體系統(tǒng)功率密度得到提升。 ? 根據(jù)TI的白皮書,GaN FET的損耗相比硅基IGBT和MOSFET更低,原因包括: ? l?GaN 提供零反向恢復(fù)。通過零反向恢復(fù),可以非常高的電流壓擺率 (di/dt) 和電壓壓擺
2025-09-21 02:28:00
7546
太陽能逆變器的 DC/AC 轉(zhuǎn)換模塊
電動汽車充電系統(tǒng)及車載電源管理
適用于 MOSFET/IGBT/SiC/GaN 功率器件的隔離驅(qū)動場景
SLMi8232BDCG-DG是一款高隔離耐壓、低延遲的雙通道
2025-09-18 08:20:40
近年來,隨著LED照明市場的快速擴(kuò)張,越來越多的企業(yè)加入LED研發(fā)制造行列。然而行業(yè)繁榮的背后,卻隱藏著一個令人擔(dān)憂的現(xiàn)象:由于從業(yè)企業(yè)技術(shù)實力參差不齊,LED驅(qū)動電路質(zhì)量差異巨大,導(dǎo)致燈具失效事故
2025-09-16 16:14:52
829 
TLC5921是一個電流吸收恒流驅(qū)動器,集成了移位寄存器和數(shù)據(jù)鎖存器。恒流輸出時的電流值可由一個外部寄存器設(shè)置。該器件還集成了熱關(guān)斷 (TSD) 電路,當(dāng)結(jié)溫超過限制時,該電路會關(guān)閉恒流輸出,以及用于報告 LED 斷開的 LED 開路檢測 (LOD) 電路。
2025-09-09 09:21:33
689 
匹配。LED 驅(qū)動器電流源分為兩個獨(dú)立控制的組。主組(4 個 LED)可用于為主手機(jī)顯示屏提供背光。第二組(3 個 LED)可用于為輔助顯示器提供背光或提供其他照明功能(例如鍵盤 LED)。兩組的亮度可以通過脈寬調(diào)制 (PWM) 數(shù)字信號獨(dú)立調(diào)節(jié)。
2025-09-08 10:48:33
780 
。
LED 驅(qū)動器電流吸收器分為三個獨(dú)立控制組。主組可以配置有 4 或 5 個 LED,用于背光更大的主顯示器,第二組可以配置 2 或 3 個 LED,用于背照較小的輔助顯示器。提供了一個額外的獨(dú)立控制
2025-09-08 09:54:47
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出色的所有 LED 中的電流匹配。
LED 驅(qū)動器電流源分為兩個獨(dú)立控制組。 這 主組(4 個 LED)可用于主手機(jī)顯示屏的背光,第二組(2 個LED)可用于為輔助顯示器背光。單個鍵盤 LED 驅(qū)動
2025-09-05 15:24:05
820 
驅(qū)動器電流吸收器分為三個獨(dú)立控制組。主組(A 組)可以配置為驅(qū)動四個、五個或六個 LED 以用于主電話顯示屏,而輔助組(B 組)可以配置為驅(qū)動一個、兩個或三個 LED 來驅(qū)動輔助顯示器、鍵盤和/或指示燈 LED。提供了一個額外的驅(qū)動器 D1C,用于額外的指示燈照明功能。
2025-09-04 18:05:32
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近日,由國際星閃無線短距通信聯(lián)盟(iSLA)主辦的「2025國際星移日本產(chǎn)業(yè)論壇」在日本名古屋召開,銀基科技聯(lián)合創(chuàng)始人韓毅受邀出席并發(fā)表題為《星閃數(shù)字鑰匙:讓連接更可信》的主題演講。
2025-08-28 17:23:25
1207 器、LED 驅(qū)動、鍵盤掃描等電路。SEG腳接LED陽極,GRID腳接LED陰極,可支持8SEGx4GRID的點(diǎn)陣LED顯示。最大支持7x4按鍵。本芯片性能穩(wěn)定質(zhì)量可靠,抗干擾能力強(qiáng),適用于24小時
2025-08-13 17:27:10
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護(hù),適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在
2025-08-13 14:56:51
759 
在現(xiàn)代生活中,氮化鎵(GaN)基LED應(yīng)用廣泛,其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響。科研人員通過HVPE與MOCVD結(jié)合技術(shù),在藍(lán)寶石襯底上制備了不同緩沖層厚度的LED。美能顯示作為專注顯示行業(yè)精密
2025-08-11 14:27:33
4942 
在半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管(LED)憑借其卓越性能,長期占據(jù)研究焦點(diǎn)位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英寸藍(lán)寶石基板上,基于六方氮化硼(h-BN)模板
2025-08-11 14:27:24
1615 
增強(qiáng)型GaN HEMT具有開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、功率密度高等特點(diǎn),正廣泛應(yīng)用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換和射頻電路中。但由于其柵極電容小,柵極閾值電壓低(通常在1V到2V之間)、耐受電壓低(通常-5V到7V)等特點(diǎn),使得驅(qū)動電路設(shè)計時需格外注意,防止開關(guān)過程中因誤導(dǎo)通或振蕩而導(dǎo)致器件失效。
2025-08-08 15:33:51
2702 
PC0340是占空比可調(diào)的LED顯示控制驅(qū)動電路。由16根段輸出、8根位輸出、數(shù)字接口、數(shù)據(jù)鎖存器、顯示存儲器、鍵掃描電路及相關(guān)控制電路組成了一個高可靠性的單片機(jī)外圍LED驅(qū)動電路。串行數(shù)據(jù)通過4線
2025-08-07 14:26:31
0 驅(qū)動芯片,具有16階電流調(diào)節(jié)功能。由8根段輸出、16根位輸出、數(shù)據(jù)鎖存器、顯示存儲器、LED恒流驅(qū)動模塊及相關(guān)控制電路組成了一個高可靠性的單片機(jī)外圍LED驅(qū)動電路?。?串?行?數(shù)?據(jù)?通?過 I2C?接?
2025-08-01 17:36:31
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于高強(qiáng)度 LED 相機(jī)閃光燈的 2A 驅(qū)動器 IC相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有用于高強(qiáng)度 LED 相機(jī)閃光燈的 2A 驅(qū)動器 IC的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
2025-07-28 18:33:12

微盟/ME原裝正品SOT89 L7135線性恒流LED驅(qū)動電路
2025-07-18 17:00:33
2 內(nèi)容提要本書以LED光源及其驅(qū)動技術(shù)為主線,全面系統(tǒng)地介紹了LED的特性、LED驅(qū)動電路及其相關(guān)技術(shù),并結(jié)合實例介紹了各種LED驅(qū)動電路的詳細(xì)設(shè)計方法,加深讀者對LED驅(qū)動電源設(shè)計過程的理解。本書
2025-07-18 15:26:51
LED顯示作為復(fù)雜的電子系統(tǒng),容易受到各種干擾。從供電噪聲到空間電磁波,甚至接地不良都會影響顯示效果。干擾導(dǎo)致的故障直接影響用戶體驗。LED驅(qū)動電路本身是高頻開關(guān)設(shè)計,EMI特性就敏感,如果長距離傳輸信號,極易容易受到干擾的影響。
2025-07-14 10:37:30
2787 
逆變器。此類第四代增強(qiáng)型(Gen IV Plus)產(chǎn)品專為多千瓦級應(yīng)用設(shè)計,將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合,
2025-07-08 17:30:10
553 采用了DK8924AN這顆針對隔離型LED驅(qū)動的低THD、高PF的原邊控制的準(zhǔn)諧振、恒壓輸出、集成GAN的合封芯片,內(nèi)置的高壓啟動電路實現(xiàn)快速啟動、THD補(bǔ)償線路
2025-07-01 16:21:00
659 
納芯微推出專為增強(qiáng)型 GaN 設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片 NSD2622N,集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高 dv/dt 抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動能力,可簡化 GaN 驅(qū)動電路設(shè)計,提升可靠性并降低成本,適用于 AI 數(shù)據(jù)中心電源、車載充電機(jī)等高壓大功率場景。
2025-06-27 17:01:46
714 
產(chǎn)品型號:VK1620
產(chǎn)品品牌:永嘉微電/VINKA
封裝形式:SOP20
概述
VK1620B是一種數(shù)碼管或點(diǎn)陣LED驅(qū)動控制專用芯片,內(nèi)部集成有3線串行接口、數(shù)據(jù)鎖存器、LED 驅(qū)動等電路
2025-06-17 17:19:01
TP8756 是一款工作在固定關(guān)斷時間控制模式的降壓型LED 恒流驅(qū)動器,用于高效地驅(qū)動多顆 LED。TP8756 采用平均電流型的閉環(huán)恒流方式,系統(tǒng)應(yīng)用時輸出電流對電感變化不敏感。這極大的提高了輸出電流的恒流精度,特別適用于 5~100V 輸入電壓范圍的非隔離降壓 LED 恒流驅(qū)動電路。
2025-06-13 16:19:45
1 一種用于重?fù)诫sn型接觸的選擇性刻蝕工藝實現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖:原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學(xué)的工程師們宣稱,他們已經(jīng)打開了一扇大門,有望制備出
2025-06-12 15:44:37
799 
電源開關(guān)的驅(qū)動。
圖1展示了開關(guān)模式降壓轉(zhuǎn)換器(降壓技術(shù))中常用的半橋配置功率級。在此配置中使用GaN開關(guān)時,必須考慮到,與硅基開關(guān)相比,GaN開關(guān)的最大柵極電壓耐受值通常較比較低。因此,在驅(qū)動
2025-06-11 10:07:24
團(tuán)隊開發(fā)了 GaN基VCSEL的動態(tài)物理模型 ,揭示了器件內(nèi)部載流子輸運(yùn)行為對激光器動態(tài)特性的影響規(guī)律。 GaN材料固有的極化特性導(dǎo)致GaN基VCSEL有源區(qū)中產(chǎn)生了量子限制斯塔克效應(yīng)(QCSE),這一效應(yīng)不僅會降低器件的受激復(fù)合效率,還會引發(fā)嚴(yán)重
2025-06-05 15:58:20
440 
? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“ BM6GD11BFJ-LB ”。通過與本產(chǎn)品組合使用,可使GaN器件
2025-06-04 14:11:46
46763 
目錄
1,整機(jī)線路架構(gòu)
2,初次極安規(guī)Y電容接法
3,PFC校正電路參數(shù)選取及PCB布具注意事項
4,LLC環(huán)路設(shè)計注意事項
5,GaN驅(qū)動電路設(shè)計走線參考
6,變壓器輸出整流注意事項
一,整體線路圖
獲取完整文檔資料可下載附件哦?。。?!如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、評論支持一下哦~
2025-05-28 16:15:01
FZH186 是深圳市方中禾科技有限公司(Premier Chip Limited)推出的一款LED驅(qū)動控制專用芯片,集成了鍵盤掃描、顯示驅(qū)動、數(shù)據(jù)鎖存等功能,適用于VCR、VCD、DVD及家庭影院
2025-05-23 11:00:16
0 UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動器系列,設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分離輸出,可單獨(dú)控制上升
2025-05-19 13:44:54
695 
適用于電動工具/馬達(dá)驅(qū)動的2.5A全橋驅(qū)動電路AiP2180
2025-04-30 09:46:54
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD(肖特基二極管)的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5,該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率
2025-04-28 00:19:00
3055 
TPS68470 器件是一種先進(jìn)的電源管理單元,可為緊湊型相機(jī)模塊 (CCM) 供電,為圖像傳感器生成時鐘,驅(qū)動用于閃光燈的雙 LED,并集成兩個用于通用指示燈的 LED 驅(qū)動器。TPS68470 能夠在 CCM 中生成所有需要的電源軌。
2025-04-26 14:57:02
739 
適用于智能臺燈的LED陰極PWM驅(qū)動AiP33216/AiP33216E
2025-04-23 10:22:04
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電子發(fā)燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān),即GaN BDS(Bidirectional Switch,雙向開關(guān))。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品,顧名思義,雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:00
1348 各位大佬,請教下,當(dāng)前我需要使用單片機(jī)驅(qū)動控制20路并聯(lián)LED燈,需要PWM驅(qū)動實現(xiàn)呼吸燈的效果,目前我是直接使用三極管驅(qū)動,這種電路會有什么問題?跟有些使用三極管控制MOS來驅(qū)動LED燈有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
2025-04-11 14:24:30
恒流直驅(qū)型LED芯片是一種高度集成化芯片,其內(nèi)部通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化實現(xiàn)了直接連接LED燈到電源或者地即可工作的特性,內(nèi)置限流模塊無需外接驅(qū)動電路或限流元件。通過芯片自身設(shè)計實現(xiàn)電流控制,大幅簡化外部電路,降低成本與體積,適用于裝飾燈帶、簡易照明等對空間和成本敏感的場景。
2025-04-10 16:41:56
807 ? ? ?NS4115是一款外圍電路簡單的連續(xù)電流模式的降壓型 LED 恒流驅(qū)動芯片。在輸入電壓高于 LED電壓時,可以有效地用于驅(qū)動一顆或者多顆串聯(lián)LED。輸出電流可調(diào),最大可達(dá) 1A。適用于
2025-04-09 16:59:08
0 驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實踐性很強(qiáng)。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能,本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景
2025-04-07 18:06:11
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TPS92023 是一款高性能諧振開關(guān) LED 驅(qū)動器控制器。是的 設(shè)計用于更高功率的 LED 照明系統(tǒng)。TPS92023 在 LLC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)的半橋轉(zhuǎn)換器相比,可實現(xiàn)非常高的效率。
可編程死區(qū)時間可實現(xiàn)零電壓開關(guān)和最小磁化 電流,最大限度地提高各種應(yīng)用的系統(tǒng)效率。
2025-03-26 11:11:30
687 
驅(qū)動、鍵盤掃描等電路。SEG腳接LED陽極,GRID腳接LED陰極,可支持13SEGx4GRID、12SEGx5GRID、11SEGx6GRID、10SEGx7GRID的點(diǎn)陣LED顯示面板,最大支持
2025-03-25 17:13:33
請問有沒有LED驅(qū)動芯片類似的芯片用來驅(qū)動單個LD照明?電流可能要到10A以上,如果沒有的話是不是必須用精密運(yùn)放來設(shè)計驅(qū)動電路?
2025-03-25 06:40:08
產(chǎn)品型號:VK1618
產(chǎn)品品牌:VINKA/永嘉微電/
封裝形式:SOP18
VK1618是一種帶鍵盤掃描接口的數(shù)碼管或點(diǎn)陣LED驅(qū)動控制專用芯片,內(nèi)部集成有3線串行接口、數(shù)據(jù)鎖存器、LED 驅(qū)動
2025-03-20 10:17:02
TM1637 是一種帶鍵盤掃描接口的LED(發(fā)光二極管顯示器)驅(qū)動控制專用電路,內(nèi)部集成有MCU 數(shù)字 接口、數(shù)據(jù)鎖存器、LED 高壓驅(qū)動、鍵盤掃描等電路。本產(chǎn)品性能優(yōu)良,質(zhì)量可靠。主要應(yīng)用于電磁爐、微波 爐及小家電產(chǎn)品的顯示屏驅(qū)動。采用DIP/SOP20的封裝形式。
2025-03-18 16:37:37
4 GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
2025-03-13 18:06:00
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LED驅(qū)動電源是用于為LED燈提供穩(wěn)定電流或電壓的電子裝置,確保LED能夠安全、穩(wěn)定、長時間地工作。它的核心作用是將輸入的交流電或直流電轉(zhuǎn)換成適合LED的恒定電流或恒定電壓。咱們來拆解一下它
2025-03-08 10:56:24
一)簡介:RT9293是一款高頻、異步的Boost升壓型LED定電流驅(qū)動控制器,其工作原理如下:1)基本電路結(jié)構(gòu)及原理Boost電路核心原理:基于電感和電容的特性實現(xiàn)升壓功能。當(dāng)驅(qū)動信號使能,增強(qiáng)型
2025-03-04 19:33:09
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SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn),可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。
2025-02-26 15:07:38
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LMG3411R150氮化鎵 (GaN) 電源模塊,集成 FET 和柵極驅(qū)動器,安裝在 1.95mm 絕緣金屬基板 (IMS) 板上,可實現(xiàn)高效散熱。隔離和控制電路安裝在單獨(dú)的 FR-4 板上
2025-02-25 15:22:31
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LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用中的 75W 有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器<。該LMG2610通過在 9mm x 7mm QFN 封裝
2025-02-24 15:07:01
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LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28
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LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:01
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LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47
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LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23
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LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器,簡化了設(shè)計,減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。
2025-02-21 14:14:05
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Ω,LMG3100R044為 46A/4.4mΩ。該器件由一個由高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動的 100V GaN FET 組成。LMG3100 包含一個高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉電路,因此可以使用兩個 LMG3100 器件來形成一個半橋,而無需額外的電平轉(zhuǎn)換器。
2025-02-21 11:19:52
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高功率放大器采用堅固的帶狀線電路架構(gòu),并精選GaN器件,確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能,CNP GaN系列窄帶高功率放大器已成為現(xiàn)代射頻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件,廣泛應(yīng)用于
2025-02-21 10:39:06
此參考設(shè)計展示了采用三個具有集成式 GaN FET、驅(qū)動器和自舉二極管的 100V、35A GaN 半橋 LMG2100R044 的高功率密度 12V 至 60V 三相功率級,專門用于電機(jī)集成式伺服
2025-02-21 10:34:56
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LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器,簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57
881 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器,簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36
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LED驅(qū)動芯片 - WD10-3111是一款高壓浮動電流
驅(qū)動器IC,
用于調(diào)節(jié)流過
LED串的電流。WD10-3111可以配置各種
LED驅(qū)動拓?fù)?,如系列、并行或混合類型?/div>
2025-02-20 09:31:33
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8通道LED陽極行驅(qū)動電路——AiP3318
2025-02-18 09:49:36
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在做DLP4500項目時,采用TPS54020作為LED 驅(qū)動, 每次上電,DLP工作在VIDEO模式下,都會有嘯叫聲,采用DLPLCR4500GUI-4.4.1進(jìn)行控制, 進(jìn)入到基它模式(如
2025-02-17 07:50:11
用于 GaN 功率開關(guān)的高壓和高速半橋柵極驅(qū)動器產(chǎn)品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強(qiáng)型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅(qū)動器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:16
0 組成,分別是電路層(銅箔)、絕緣層和金屬基層。用于高端使用的也有設(shè)計為雙面板,結(jié)構(gòu)為電路層、絕緣層、鋁基、絕緣層、電路層。極少數(shù)應(yīng)用為多層板,可以由普通的多層板與絕
2025-02-11 22:23:34
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)AIP6932/32P 中微愛芯 3線串口共陰極8段16 位LED 驅(qū)動控制專用電路,原裝現(xiàn)貨 3線串口共陰極8段16 位LED 驅(qū)動控制專用電路AiP6932
2025-02-11 14:39:56
中的未來前景。 如今,電源管理設(shè)計工程師常常會問道: 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎? 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體,可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:55
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如何為LED驅(qū)動電路選擇二極管
2025-02-07 13:29:49
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一文讀懂:LED 驅(qū)動電路二極管挑選要點(diǎn)
2025-02-06 14:47:07
1209 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的GaN功率IC創(chuàng)新.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:59:04
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《變速電機(jī)驅(qū)動器受益于集成GaN.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:51:21
0 近日,日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術(shù)突破:成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm(8英寸)氮化鎵(GaN)單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:06
1301 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的系統(tǒng)成本.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 08:30:37
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于800V OBCM應(yīng)用的基于GaN和SiC的500kHz諧振雙向DC/DC設(shè)計.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 14:53:06
39 關(guān)于LED驅(qū)動電源的分類是怎么樣的呢?應(yīng)該如何區(qū)分LED驅(qū)動電源?
按驅(qū)動方式
(1)恒流式
a、恒流驅(qū)動電路輸出的電流是恒定的,而輸出的直流電壓卻隨著負(fù)載阻值的大小不同在一定范圍內(nèi)變化,負(fù)載阻值
2025-01-17 10:24:34
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:52
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隨著LED技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用,越來越多的人開始研究LED驅(qū)動電路。交流LED驅(qū)動電路是一種將交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源,并通過適當(dāng)?shù)?功率放大器 來驅(qū)動LED的電路。這種電路的基本原理是將輸入交流電
2025-01-13 10:10:45
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1月8日消息,日本豐田合成株式會社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化鎵 (GaN)單晶晶圓。 據(jù)介紹,與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:22
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