芯片燒錄失敗多源于細(xì)節(jié)疏漏，使用編程器需規(guī)避常見(jiàn)錯(cuò)誤。首要確保芯片與編程器適配，核查封裝、電壓協(xié)議并驗(yàn)證芯片 ID；重視環(huán)境與連接，做好靜電防護(hù)、保障電源穩(wěn)定及觸點(diǎn)清潔；規(guī)范文件流程，嚴(yán)格版本核對(duì)
2025-12-30 10:59:35
102 Utility軟件下載會(huì)出現(xiàn)“Can not read memory！Disable Read Out Protection and retry” 可以看到能讀出芯片ID，但是依然會(huì)報(bào)錯(cuò) 出現(xiàn)的原因 讀保護(hù)：是由于CH340亂觸發(fā)DTR和RTS導(dǎo)致寫入的時(shí)候異常，進(jìn)入讀保護(hù)的
2025-12-30 10:10:18276 
方案1、分配兩個(gè)獨(dú)立顯存區(qū)——A和B,顯示A區(qū)時(shí)寫B(tài)區(qū)準(zhǔn)備，完成B區(qū)準(zhǔn)備后，設(shè)定控制器顯示B區(qū),交替循環(huán)更新
方案2、客戶MCU 的TFT控制器資源是否有類似的 “TE”信號(hào)可以監(jiān)測(cè)，根據(jù)“TE
2025-12-29 09:07:56
RISC-V 作為開源、模塊化的精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)，其異常中斷機(jī)制是保障系統(tǒng)可靠運(yùn)行、響應(yīng)外部事件與處理內(nèi)部錯(cuò)誤的核心支撐。
2025-12-28 14:41:011062 
本文聚焦芯片燒錄環(huán)節(jié)，盤點(diǎn)了十大常見(jiàn)且易被忽視的錯(cuò)誤，包括輕視編程器選擇、盲目使用新算法、忽視電源接地質(zhì)量、芯片接觸不良、跳過(guò)空白檢查與校驗(yàn)、忽略環(huán)境溫度影響等。強(qiáng)調(diào)可靠燒錄并非孤立動(dòng)作，而是涵蓋物料、設(shè)備、流程、環(huán)境的質(zhì)量控制系統(tǒng)，核心在于對(duì)細(xì)節(jié)的執(zhí)著和規(guī)范的敬畏，為工程師規(guī)避燒錄陷阱提供參考。
2025-12-25 14:49:33198 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 防錯(cuò)插設(shè)計(jì)是指通過(guò)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效避免連接器在插合過(guò)程中可能出現(xiàn)的對(duì)插錯(cuò)誤，這個(gè)設(shè)計(jì)也常被稱為“防呆設(shè)計(jì)”。
2025-12-01 15:09:32305 
環(huán)境兼容性差（溫度、濕度、振動(dòng)、鹽霧、電磁干擾等不匹配）會(huì)通過(guò) 侵蝕硬件結(jié)構(gòu)、干擾電路工作、破壞供電穩(wěn)定 ，導(dǎo)致電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置出現(xiàn)從 “輕微數(shù)據(jù)異?！?到 “完全停機(jī)” 的遞進(jìn)式故障，且故障多
2025-11-27 18:02:561716 
客戶咨詢KT6368A 藍(lán)牙芯片在1.5s 廣播間隔的低功耗模式下，每 1.5s 出現(xiàn)一次電源 “打嗝” 現(xiàn)象是否正常，文檔說(shuō)明該現(xiàn)象因芯片廣播 + 休眠的循環(huán)工作模式導(dǎo)致（廣播約 10ms、功耗
2025-11-26 20:55:22330 
一段時(shí)間，但是我們給它帶來(lái)了全新的能力，通過(guò)軟件和配置的升級(jí)，讓它們做到以前做不到的新的應(yīng)用場(chǎng)景。 這次重磅官宣的核心亮點(diǎn)在于，大顯存跑贏大模型?？犷ltra9 285H高達(dá)128GB系統(tǒng)統(tǒng)一內(nèi)存，其中超過(guò)120GB可作為可變共享顯存，助力包括輕薄本、mini PC、
2025-11-23 08:00:009026 
支持密鑰的安全生成、存儲(chǔ)和銷毀，確保密鑰的生命周期安全。?
安全啟動(dòng)機(jī)制：芯源半導(dǎo)體安全芯片具備完善的安全啟動(dòng)機(jī)制。設(shè)備上電啟動(dòng)時(shí)，安全芯片會(huì)首先對(duì)設(shè)備的固件進(jìn)行完整性和合法性驗(yàn)證，只有通過(guò)驗(yàn)證的固件
2025-11-13 07:29:27
，高速內(nèi)存接口芯片正迅速成為芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)注熱點(diǎn)。何為內(nèi)存接口芯片？內(nèi)存接口芯片是內(nèi)存模組（俗稱內(nèi)存條）的核心器件，作為CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路，其主要作用是提
2025-10-31 16:28:172959 
全球超導(dǎo)量子計(jì)算領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)IQM Quantum Computers今日宣布，將在其量子計(jì)算機(jī)中集成NVIDIA的NVQLink技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)量子糾錯(cuò)的規(guī)?；?。量子糾錯(cuò)是實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算實(shí)際
2025-10-31 10:30:08279 在編寫Verilog代碼時(shí)，我一般都是先在編輯器上寫完，因?yàn)榫庉嬈鱲scode或者notepad++可以提供語(yǔ)法高亮和自動(dòng)補(bǔ)全等功能，然后用仿真器跑仿真，但是在編寫過(guò)程中不可避免的會(huì)有一些語(yǔ)法的錯(cuò)誤
2025-10-27 07:07:03
本文描述在進(jìn)行指令集測(cè)試的一種糾錯(cuò)方法
1.打開測(cè)試指令集對(duì)應(yīng)的dump文件
dump文件是指由匯編文件進(jìn)行反匯編之后，可以供人閱讀指令的反匯編文件。其包含了每一條指令的具體操作的信息。指令集測(cè)試
2025-10-24 14:04:08
在構(gòu)建高性能、長(zhǎng)周期運(yùn)行的 WebGL/Canvas 應(yīng)用（如 3D 編輯器、數(shù)據(jù)可視化平臺(tái)）時(shí)，內(nèi)存管理是一個(gè)至關(guān)重要且極具挑戰(zhàn)性的課題。 開發(fā)者通常面臨的內(nèi)存泄漏問(wèn)題，其根源遠(yuǎn)比簡(jiǎn)單
2025-10-21 11:40:25272 
隨著模型規(guī)模邁入百億、千億甚至萬(wàn)億參數(shù)級(jí)別，如何在有限顯存中“塞下”訓(xùn)練任務(wù)，對(duì)研發(fā)和運(yùn)維團(tuán)隊(duì)都是巨大挑戰(zhàn)。NVIDIA Megatron-Core 作為流行的大模型訓(xùn)練框架，提供了靈活高效的并行化
2025-10-21 10:55:59970 
【EMC技術(shù)案例】芯片下方電源走線導(dǎo)致ESD測(cè)試Fail案例
2025-10-20 17:02:22547 
分析負(fù)載特性時(shí)，很多人會(huì)因 “想當(dāng)然套用經(jīng)驗(yàn)”“忽略實(shí)際場(chǎng)景細(xì)節(jié)” 或 “混淆概念” 導(dǎo)致判斷偏差，進(jìn)而讓報(bào)警閾值調(diào)整失效（如誤報(bào)、漏報(bào)）。以下是 6 個(gè)最常見(jiàn)的錯(cuò)誤 / 誤區(qū)，附錯(cuò)誤表現(xiàn)、危害
2025-10-10 17:03:34632 國(guó)巨電容出現(xiàn)漏液現(xiàn)象，可能是由密封結(jié)構(gòu)失效、電化學(xué)腐蝕、機(jī)械損傷、材料老化、環(huán)境應(yīng)力以及制造缺陷等多種因素導(dǎo)致的，以下是對(duì)這些原因的詳細(xì)分析： 密封結(jié)構(gòu)失效 焊接不良 ：國(guó)巨電容的金屬外殼與密封蓋
2025-09-29 14:21:40419 
消防設(shè)備過(guò)負(fù)荷監(jiān)控設(shè)備是消防設(shè)備電源監(jiān)控系統(tǒng)的重要組成部分，主要用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)消防設(shè)備電源的運(yùn)行狀態(tài)，防止因過(guò)負(fù)荷等故障導(dǎo)致消防設(shè)備無(wú)法正常工作。以下是關(guān)于它的詳細(xì)介紹： 功能特點(diǎn) 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) ：能夠
2025-09-17 14:54:51535 
銅纜(如網(wǎng)線、電話線等)是網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕A(chǔ)設(shè)施，但在安裝過(guò)程中，由于操作不當(dāng)或忽視細(xì)節(jié)，常出現(xiàn)各種錯(cuò)誤，導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)性能下降甚至故障。以下是常見(jiàn)的銅纜安裝錯(cuò)誤及預(yù)防措施，幫助您避免踩坑： 一、線纜
2025-09-16 10:42:45539 (guider_ui.monitor_label_pressure_now, "1");
rt_mutex_release(lv_mutex); // 釋放互斥鎖
使用lv_label_set_text導(dǎo)致釋放內(nèi)存沒(méi)對(duì)齊是什么問(wèn)題
已經(jīng)加了互斥鎖
2025-09-16 06:44:49
? ?在電子商務(wù)領(lǐng)域，退貨率高是許多平臺(tái)面臨的挑戰(zhàn)，其中地址錯(cuò)誤導(dǎo)致的退貨占比不小。唯品會(huì)作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的時(shí)尚電商平臺(tái)，通過(guò)集成訂單地址API（Application Programming
2025-09-11 15:47:14435 升級(jí)成功，不知道是哪里問(wèn)題？這個(gè)錯(cuò)誤提示是因?yàn)槲夷睦锊僮麇e(cuò)了導(dǎo)致的，還是就是正常現(xiàn)象？雖然表面上看不影響我使用OTA升級(jí)，但我想明白一下，原因是什么？有沒(méi)有大神，指導(dǎo)一下，謝謝。
2025-09-10 06:57:24
功能”，甚至誤認(rèn)為其僅用于生產(chǎn)階段的缺陷篩查。然而，BIST機(jī)制的核心價(jià)值遠(yuǎn)不止于此：它不僅是芯片功能安全的“第一道防線”，更是實(shí)時(shí)檢測(cè)潛伏故障、保障系統(tǒng)可靠運(yùn)行的
2025-09-05 17:00:007578 
BIST機(jī)制的深度解析寫在前面：在安全芯片的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證過(guò)程中，工程師常會(huì)遇到一個(gè)關(guān)鍵概念——BIST（Built-InSelf-Test，內(nèi)置自檢測(cè)）。初次接觸這一術(shù)語(yǔ)時(shí)，許多人容易將其簡(jiǎn)單理解為
2025-09-05 16:17:4129 
國(guó)巨貼片電容的電壓標(biāo)識(shí)在識(shí)別和使用過(guò)程中可能存在一些常見(jiàn)錯(cuò)誤，這些錯(cuò)誤可能源于標(biāo)識(shí)本身的模糊性、不同系列產(chǎn)品的差異、對(duì)標(biāo)識(shí)規(guī)則的誤解，或使用環(huán)境的影響。以下是具體分析： 一、標(biāo)識(shí)模糊或缺失導(dǎo)致的錯(cuò)誤
2025-08-28 16:51:15583 如何解決在 Keil 中編譯時(shí)出現(xiàn) FILE DOES NOT EXSIT 錯(cuò)誤？
2025-08-25 08:25:47
“config.ini”丟失或目標(biāo)芯片的 PDID 未列在“config.ini”中，則 ISP 編程工具或部件號(hào)上會(huì)出現(xiàn)“芯片 ID 無(wú)效”錯(cuò)誤消息。顯示未知。
2025-08-18 07:23:11
變壓器是電力系統(tǒng)中非常重要的設(shè)備之一，用于電壓變換，但在實(shí)際使用時(shí)，變壓器會(huì)遇到負(fù)荷的情況，若不及時(shí)處理，會(huì)導(dǎo)致變壓器過(guò)熱，縮短其使用壽命，甚至引起變壓器損壞，那么當(dāng)變壓器過(guò)負(fù)荷時(shí)，我們應(yīng)該采取哪些應(yīng)對(duì)措施呢？本文將詳細(xì)介紹變壓器過(guò)負(fù)荷時(shí)應(yīng)采取的各種措施，以確保變壓器的安全運(yùn)行。
2025-08-15 15:10:501029 
英特爾? 酷睿? Ultra 200H處理器和32GB內(nèi)存的AI PC上，英特爾可變顯存技術(shù)（Intel Variable VRAM Technology）可以將VRAM分配比例從57%提升到87%1
2025-08-14 15:39:451226 產(chǎn)品簡(jiǎn)介經(jīng)世智能檔案存取復(fù)合機(jī)器人，在智慧檔案庫(kù)房行業(yè)主要應(yīng)用于檔案自動(dòng)存取與轉(zhuǎn)運(yùn)、涉密檔案管理等環(huán)節(jié)，通過(guò)“AGV移動(dòng)底盤+協(xié)作機(jī)械臂+視覺(jué)系統(tǒng)”一體化控制方案實(shí)現(xiàn)高效自動(dòng)化作業(yè)。機(jī)器人機(jī)械臂末端
2025-08-13 13:36:24
精準(zhǔn)抓取檔案盒/卷宗，無(wú)需末端視覺(jué)相機(jī)二次定位，存取效率提升30%-50%。加密檔案庫(kù)房中精準(zhǔn)取出指定檔案，避免人工翻找導(dǎo)致的錯(cuò)漏。車身姿態(tài)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)車
2025-08-12 16:21:291539 
自 2023 年《智能物聯(lián)電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)技術(shù)指標(biāo)》正式發(fā)布以來(lái)，其中一項(xiàng)重要變化尤為關(guān)鍵： “內(nèi)置開關(guān)的動(dòng)觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)之間的電氣間隙不小于 5.5mm?！??這一標(biāo)準(zhǔn)的提升雖增強(qiáng)了智能電表
2025-08-11 16:49:284140 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種抗輻射加固檢錯(cuò)糾錯(cuò)電路的設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-08-11 15:38:41
0 ZBUFF庫(kù)深度融合了智能內(nèi)存分配算法與實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)機(jī)制，能夠自動(dòng)適應(yīng)不同場(chǎng)景下的內(nèi)存需求。其自適應(yīng)碎片整理功能和錯(cuò)誤檢測(cè)模塊，不僅保障了內(nèi)存使用的高效性，更大幅降低了調(diào)試難度，助力開發(fā)者快速構(gòu)建穩(wěn)定
2025-08-11 13:27:48487 
。那么，沒(méi)有強(qiáng)大糾錯(cuò)機(jī)制支撐的固態(tài)硬盤，真的配得上“工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤”的稱號(hào)嗎？ ? 天碩工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤：憑何宣稱“碾壓級(jí)糾錯(cuò)”？ 在琳瑯滿目的工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品中，天碩（TOPSSD）G55 Pro M.2 NVMe SSD宛如一顆璀璨的明星，
2025-08-02 10:32:31791 內(nèi)存消耗
支持 INT8/FP32/FP16 模型，實(shí)驗(yàn)性地支持 FP8 模型，支持 keras h5 或 tflite 模型轉(zhuǎn)換
支持多種芯片架構(gòu)的專用指令優(yōu)化: ARM SIMD/NEON
2025-07-25 16:35:05
我在測(cè)試 MBIST 時(shí)觀察到 總線錯(cuò)誤 。為了測(cè)試所有SRAM，我使用 ECCMAP 寄存器觸發(fā)故障，但這導(dǎo)致了帶有陷阱4 和 2類的 總線錯(cuò)誤 。我還觀察到，訪問(wèn)損壞的內(nèi)存時(shí)會(huì)報(bào)告 ALM7
2025-07-25 06:49:15
應(yīng)答信號(hào)，影響數(shù)據(jù)傳輸確認(rèn)機(jī)制；也可能會(huì)引發(fā)數(shù)據(jù)采樣錯(cuò)誤，導(dǎo)致發(fā)送與接收位不一致，產(chǎn)生位錯(cuò)誤。本文將在不考慮其它影響下，對(duì)傳播延遲過(guò)大造成的應(yīng)答錯(cuò)誤現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)解析。相
2025-07-15 11:47:51688 
NCS放大器DAD3350在工業(yè)應(yīng)用中可能出現(xiàn)的錯(cuò)誤碼及解決方案如下： ? 一、常見(jiàn)錯(cuò)誤碼及原因 ? ? 過(guò)載報(bào)警（如LV低電壓報(bào)警、OVC過(guò)電流報(bào)警） ? ? 原因 ?： 電源電壓異常（如過(guò)低或
2025-07-12 09:41:04763 ? 在電商平臺(tái)開發(fā)中，API集成是連接系統(tǒng)、實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換的核心環(huán)節(jié)。然而，許多開發(fā)者在集成過(guò)程中常遇到錯(cuò)誤，導(dǎo)致項(xiàng)目延遲、數(shù)據(jù)丟失或用戶體驗(yàn)下降。本文將逐步介紹常見(jiàn)錯(cuò)誤類型、排查方法以及預(yù)防策略
2025-07-11 14:21:491873 
過(guò)程中需要占用大量顯存，導(dǎo)致推理速度變慢，甚至無(wú)法進(jìn)行。
計(jì)算量過(guò)大：大模型的計(jì)算量較大，導(dǎo)致推理速度慢，難以滿足實(shí)時(shí)性要求。
為了解決這些問(wèn)題，本文將針對(duì)大模型推理顯存和計(jì)算量的估計(jì)方法進(jìn)行研究。
二
2025-07-03 19:43:59
Flash、ROM (只讀存儲(chǔ)器)、新興存儲(chǔ)器 (如 MRAM, PCM, ReRAM/FeRAM)。
3. 主流存儲(chǔ)芯片技術(shù)詳解
3.1 DRAM - 電腦/手機(jī)的內(nèi)存條/運(yùn)行內(nèi)存
原理：利用
2025-06-24 09:09:39
menuconfig后，編譯出現(xiàn)錯(cuò)誤，提醒我缺少文件導(dǎo)致make失敗
編譯項(xiàng)目示例正常（比如YOLO），但是編譯MPP里面的示例出現(xiàn)問(wèn)題
這里的Enable userapps samples
退出后編譯出現(xiàn)
2025-06-20 06:25:33
芯片以及串口線也是同樣的問(wèn)題。更改波特率至9600也時(shí)校驗(yàn)錯(cuò)誤，Programmer換成2.8版本的也是一樣的校驗(yàn)錯(cuò)誤問(wèn)題
同樣的MCU在其他電腦上就沒(méi)問(wèn)題，就只有在我的電腦上會(huì)出現(xiàn)這樣的錯(cuò)誤
2025-06-16 06:09:26
芯片以及串口線也是同樣的問(wèn)題。更改波特率至9600也時(shí)校驗(yàn)錯(cuò)誤，Programmer換成2.8版本的也是一樣的校驗(yàn)錯(cuò)誤問(wèn)題
同樣的MCU在其他電腦上就沒(méi)問(wèn)題，就只有在我的電腦上會(huì)出現(xiàn)這樣的錯(cuò)誤
2025-06-11 07:29:51
測(cè)試結(jié)果出現(xiàn)偏差。下面為你詳細(xì)剖析高溫電阻率測(cè)試中的 5 個(gè)常見(jiàn)錯(cuò)誤，并提供有效的規(guī)避方法。? 一、樣品制備不當(dāng)? 常見(jiàn)錯(cuò)誤? 樣品的形狀、尺寸和表面狀態(tài)對(duì)高溫電阻率測(cè)試結(jié)果影響顯著。部分檢測(cè)人員在制備樣品時(shí)，未
2025-06-09 13:07:42739 
求助，第一次運(yùn)行程序，提示“region `FLASH' overflowed by 14736 bytes”，修改了Optimization level后，又出現(xiàn)下列錯(cuò)誤
2025-06-09 08:18:27
一、使用purgeable優(yōu)化C++內(nèi)存
Purgeable Memory是HarmonyOS中native層常用的內(nèi)存管理機(jī)制，可用于圖像處理的Bitmap、流媒體應(yīng)用的一次性數(shù)據(jù)、圖片等
2025-05-24 17:20:00
一、 概述
用戶功能的不斷增強(qiáng)，應(yīng)用越來(lái)越復(fù)雜，占用的內(nèi)存也在不斷膨脹，而內(nèi)存作為系統(tǒng)的稀缺資源比較有限，當(dāng)應(yīng)用程序占用過(guò)多內(nèi)存時(shí)，系統(tǒng)可能會(huì)頻繁進(jìn)行內(nèi)存回收和重新分配，導(dǎo)致應(yīng)用程序的性能下降，甚至
2025-05-21 11:27:08
在使用STM32F103芯片的2個(gè)定時(shí)器捕獲2路PWM波時(shí)，當(dāng)2路信號(hào)同時(shí)輸入時(shí)，會(huì)出現(xiàn)捕獲的頻率不準(zhǔn)確，但是分開一路一路的輸入捕獲時(shí)，捕獲的PWM頻率是正確的，這是什么原因導(dǎo)致的呢？
2025-05-14 06:24:00
通道、USB 端點(diǎn)和傳感器。 重置后，控制器從傳感器接收幀，但 USB 傳輸仍然無(wú)法從 EP0 獲取 UVC 探測(cè)器并提交控制數(shù)據(jù)。 在某些時(shí)候，它會(huì)導(dǎo)致超時(shí)錯(cuò)誤。 即使我們多次執(zhí)行重置，此問(wèn)題仍然
2025-05-07 07:09:18
CAN節(jié)點(diǎn)的穩(wěn)定性、可靠性和安全性得益于其強(qiáng)大的錯(cuò)誤管理機(jī)制。上一篇文章我們介紹了CAN控制器的錯(cuò)誤管理機(jī)制的工作原理。本文將基于其工作原理及ISO16845-1：2016標(biāo)準(zhǔn)，為大家介紹
2025-04-30 18:24:15702 
在嵌入式軟件開發(fā)領(lǐng)域，MCU芯片軟件的架構(gòu)設(shè)計(jì)與內(nèi)存布局的精細(xì)規(guī)劃對(duì)系統(tǒng)性能和穩(wěn)定性起著關(guān)鍵作用。本文檔聚焦于IAR Embedded Workbench環(huán)境下，為自研MCU芯片軟件提供了一套詳盡
2025-04-30 16:38:27652 
摘要： 本文深入剖析了芯片軟錯(cuò)誤概率問(wèn)題，結(jié)合 AEC-Q100 與 IEC61508 標(biāo)準(zhǔn)，以 130 納米工藝 1Mbit RAM 芯片為例闡述其軟錯(cuò)誤概率，探討汽車芯片安全等級(jí)劃分及軟錯(cuò)誤
2025-04-30 16:35:11751 
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！
2025-04-29 18:17:541107 在使用STM32F103芯片的2個(gè)定時(shí)器捕獲2路PWM波時(shí)，當(dāng)2路信號(hào)同時(shí)輸入時(shí)，會(huì)出現(xiàn)捕獲的頻率不準(zhǔn)確，但是分開一路一路的輸入捕獲時(shí)，捕獲的PWM頻率是正確的，這是什么原因導(dǎo)致的呢？
2025-04-27 08:39:28
在使用STM32F103芯片的2個(gè)定時(shí)器捕獲2路PWM波時(shí)，當(dāng)2路信號(hào)同時(shí)輸入時(shí)，會(huì)出現(xiàn)捕獲的頻率不準(zhǔn)確，但是分開一路一路的輸入捕獲時(shí)，捕獲的PWM頻率是正確的，這是什么原因導(dǎo)致的呢？
2025-04-25 08:29:21
KT6368A藍(lán)牙芯片應(yīng)該自帶數(shù)據(jù)校驗(yàn)機(jī)制嗎？
2025-04-19 16:34:28907 
網(wǎng)和帶ACK的通信模式。發(fā)射輸出功率、工作頻道以及通信數(shù)據(jù)率均可配置。 XL2407P內(nèi)含以EPROM作為內(nèi)存的8位微控制器,專為多組PWM的應(yīng)用設(shè)計(jì)。例如燈控， 遙控車應(yīng)用。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢(shì)。 XL2407P采用雙時(shí)鐘機(jī)制，高速振蕩或者低
2025-04-07 10:43:57486 
CAN節(jié)點(diǎn)的穩(wěn)定性、可靠性和安全性得益于其強(qiáng)大的錯(cuò)誤管理機(jī)制。那么，CAN節(jié)點(diǎn)為什么能感知錯(cuò)誤？又是如何響應(yīng)錯(cuò)誤？您是否能清晰地想象出這一過(guò)程？本文將為大家詳細(xì)分析CAN節(jié)點(diǎn)錯(cuò)誤管理的工作過(guò)程。節(jié)點(diǎn)
2025-03-25 11:44:33767 隨著人工智能、高性能計(jì)算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)，如DDR和GDDR，已逐漸難以滿足這些新興應(yīng)用對(duì)高性能、低延遲和高能效的嚴(yán)苛要求。正是
2025-03-22 10:14:143658 
摘要 本文深入探討了雙核鎖步技術(shù)在保障汽車芯片安全性中的應(yīng)用。文章首先分析了國(guó)產(chǎn)車規(guī)芯片在高安全可靠領(lǐng)域面臨的軟錯(cuò)誤難點(diǎn)及攻克方向，然后詳細(xì)介紹了雙核鎖步技術(shù)的基本原理及其在汽車芯片防軟錯(cuò)誤的重要性
2025-03-21 22:58:28939 許多電子系統(tǒng)和產(chǎn)品并不只使用1個(gè)PCB，而是可能包含多個(gè)電路板、單個(gè)電路板和多個(gè)外部模塊，或者通過(guò)電纜與外部設(shè)備連接。在多板系統(tǒng)中，兩個(gè)電路板之間可能會(huì)出現(xiàn)邏輯錯(cuò)誤，但如果沒(méi)有全面審查設(shè)計(jì)，可能
2025-03-14 18:15:04768 
到動(dòng)態(tài)分配的數(shù)據(jù)等內(nèi)容。（內(nèi)存分區(qū)圖示）理解這些內(nèi)存分區(qū)的結(jié)構(gòu)和特性，不僅有助于編寫更高效的代碼，還能幫助排查和解決如段錯(cuò)誤、內(nèi)存泄漏、棧溢出等常見(jiàn)問(wèn)題。以下是常見(jiàn)的六
2025-03-14 17:37:151413 
半導(dǎo)體技術(shù)的日新月異，正引領(lǐng)著集成電路封裝工藝的不斷革新與進(jìn)步。其中，倒裝芯片（Flip Chip）封裝技術(shù)作為一種前沿的封裝工藝，正逐漸占據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)的核心地位。本文旨在全面剖析倒裝芯片封裝技術(shù)的內(nèi)在機(jī)制、特性、優(yōu)勢(shì)、面臨的挑戰(zhàn)及其未來(lái)走向。
2025-03-14 10:50:221624 我在配置STM32H7S3L8芯片時(shí)出現(xiàn)報(bào)錯(cuò)，大致意思是講我沒(méi)有下載芯片包，但是實(shí)際我已經(jīng)下載，我在公司使用了電腦卻沒(méi)有這個(gè)問(wèn)題，我的筆記本出現(xiàn)了這個(gè)報(bào)錯(cuò)，我將附上筆記本配置圖片以及IDE的問(wèn)題圖片，重點(diǎn)我已經(jīng)重裝STM32CUBEIDE不止5次，一樣無(wú)效?。?！
2025-03-13 08:02:07
《rm0399-stm32h745755-and-stm32h747757-advanced-armbased-32bit-mcus-stmicroelectronics》和《an5342-STM32H7系列內(nèi)部存儲(chǔ)器保護(hù)的糾錯(cuò)碼（ECC）管理》均說(shuō)明了無(wú)法關(guān)閉RAM區(qū)的ECC,這就導(dǎo)致雖然可以按照例程那樣讀取非初始化的區(qū)域來(lái)觸發(fā)ECC中斷，但是
2025-03-11 07:43:43
在 STM32F411 中，RAM 容量是有限的，特別是在進(jìn)行復(fù)雜的數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)時(shí)，可能會(huì)遇到數(shù)據(jù)溢出問(wèn)題。數(shù)據(jù)溢出是指程序運(yùn)行時(shí)，數(shù)據(jù)超出了 RAM 的分配區(qū)域，導(dǎo)致程序崩潰或數(shù)據(jù)丟失。STM32F411 的 RAM 容量為 128KB，在處理較大數(shù)據(jù)量時(shí)，容易出現(xiàn)內(nèi)存溢出的情況。如何預(yù)防和處理
2025-03-07 16:09:23
使用 OpenVINO? 進(jìn)行推理時(shí)，內(nèi)存會(huì)隨著時(shí)間的推移而增加，并導(dǎo)致程序崩潰。
2025-03-06 08:29:03
接口規(guī)范以及可以發(fā)現(xiàn)接口實(shí)現(xiàn)的機(jī)制，而不需要實(shí)現(xiàn)接口。 SPI機(jī)制在Java中應(yīng)用廣泛。例如：JDBC中的數(shù)據(jù)庫(kù)連接驅(qū)動(dòng)使用SPI機(jī)制，只定義了數(shù)據(jù)庫(kù)連接接口的規(guī)范，而具體實(shí)現(xiàn)由各大數(shù)據(jù)庫(kù)廠商實(shí)現(xiàn)，不同數(shù)據(jù)庫(kù)的實(shí)現(xiàn)不同，我們常用的mysql的驅(qū)動(dòng)也實(shí)現(xiàn)了其接口規(guī)范，通過(guò)這種方式，JDBC數(shù)
2025-03-05 11:35:571202 
VMware vsan架構(gòu)采用2+1模式。每臺(tái)設(shè)備只有一個(gè)磁盤組（7+1），緩存盤的大小為240GB，容量盤的大小為1.2TB。
由于其中一臺(tái)主機(jī)（0號(hào)組設(shè)備）的緩存盤出現(xiàn)故障，導(dǎo)致VMware虛擬化環(huán)境中搭建的2臺(tái)虛擬機(jī)的磁盤文件（vmdk）丟失。
2025-02-23 17:05:54701 摘要：高超聲速飛行器因良好的高速突防和快速打擊能力成為重要的裝備發(fā)展方向，但高超聲速飛行工況的特殊性使其動(dòng)力系統(tǒng)對(duì)熱管理和能源供給提出了嚴(yán)苛的需求。通過(guò)分析對(duì)高超聲速動(dòng)力的熱防護(hù)、燃油熱管理和進(jìn)氣
2025-02-22 16:39:48833 
value默認(rèn)是1023，通過(guò)Rlim設(shè)定電流，請(qǐng)問(wèn)如下設(shè)計(jì)是否會(huì)導(dǎo)致LED偶爾不亮；
或者是否還有其他因素導(dǎo)致LED偶爾出現(xiàn)不亮的情況，謝謝！
2025-02-19 07:04:43
您好，我們自制了4710-g2evm的控制板，通過(guò)4710-g2evm的光機(jī)進(jìn)行測(cè)試，斷斷續(xù)續(xù)會(huì)出現(xiàn)啟動(dòng)失敗，最終徹底連接不上。使用放大鏡查看發(fā)現(xiàn)，DMD芯片損壞，請(qǐng)問(wèn)可能是什么原因導(dǎo)致的？
2025-02-18 06:36:28
FIB技術(shù)在芯片調(diào)試中的關(guān)鍵應(yīng)用1.電路修改與修復(fù)在芯片設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中，由于種種原因可能會(huì)出現(xiàn)設(shè)計(jì)錯(cuò)誤或制造缺陷。FIB技術(shù)能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">芯片電路進(jìn)行精細(xì)的修改和修復(fù)。通過(guò)切斷錯(cuò)誤的金屬連接線，并重
2025-02-17 17:19:531110 
在dlp4710evm-lc _sch參考原理圖里，DLPC3479主芯片的IIC1是1.8V,與DLPC3479從芯片的IIC03.3V直接相連，這個(gè)會(huì)不會(huì)導(dǎo)致主芯片IIC1引腳出現(xiàn)問(wèn)題？比如
2025-02-17 06:27:03
對(duì)系統(tǒng)API的誤用、對(duì)ArkTS對(duì)象的不合理持有導(dǎo)致內(nèi)存泄露等，引起對(duì)系統(tǒng)資源不合理使用，包括對(duì)CPU、內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)、文件、GPU、以及其他外設(shè)等器件的冗余占用，進(jìn)而引發(fā)性能問(wèn)題。
通常，進(jìn)行性能優(yōu)化
2025-02-14 15:19:30
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備優(yōu)秀的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:56
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的高速內(nèi)存需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:19
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于
2025-02-14 07:40:35
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:39:58
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于
2025-02-14 07:39:11
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于
2025-02-14 07:38:28
MT41K64M16TW-107 AUT:J是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:37:41
HMCG88AEBRA和M321R4GA3BB6-CQK是兩款高性能的32GB DDR5 4800 EC8 RDIMM內(nèi)存條，專為需要高可靠性和高性能的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些內(nèi)存條采用288-Pin
2025-02-14 07:02:20
數(shù)據(jù)漂移的情況：就是IN2或者IN3采樣出來(lái)的數(shù)據(jù)剛開始就大于中間值，然后慢慢往0x7FFFFF（正值最大）漂移，最后出現(xiàn)0x7FFFFF（正值最大），從而導(dǎo)致采樣的波形被0x7FFFFF淹沒(méi)掉了，沒(méi)有數(shù)據(jù)了。而且IN3出現(xiàn)的幾率很大，還望能得到解決。在線等
2025-02-11 06:48:58
在電力系統(tǒng)的開關(guān)設(shè)備大家族中，負(fù)荷開關(guān)和隔離開關(guān)都有著各自的重要職責(zé)，但它們?cè)诠δ?、結(jié)構(gòu)等諸多方面存在明顯的區(qū)別。 一、功能特性 負(fù)荷開關(guān) 負(fù)荷開關(guān)主要用于正常情況下接通和斷開負(fù)荷電流。它能夠在額定
2025-02-05 15:50:005053 在日常工作中，我們常常需要處理大量的文件和數(shù)據(jù)，這些重復(fù)性任務(wù)不僅耗時(shí)耗力，還容易因疲勞而導(dǎo)致錯(cuò)誤。幸運(yùn)的是，批量管理工具的出現(xiàn)為這一問(wèn)題提供了高效的解決方案。今天就為大家介紹Hyper內(nèi)存
2025-01-24 14:15:321767 
在鴻蒙原生應(yīng)用開發(fā)過(guò)程中，可能由于種種原因導(dǎo)致應(yīng)用內(nèi)存未被正常地使用或者歸還至操作系統(tǒng)，從而引發(fā)內(nèi)存異常占用、內(nèi)存泄漏等問(wèn)題，最終導(dǎo)致應(yīng)用卡頓甚至崩潰，嚴(yán)重影響用戶體驗(yàn)。
2025-01-16 14:44:021285 鴻蒙應(yīng)用開發(fā)過(guò)程中，可能由于種種原因導(dǎo)致應(yīng)用內(nèi)存未被正的使用或者歸還至操作系統(tǒng)，從而引發(fā)內(nèi)存異常占用、內(nèi)存泄漏等問(wèn)題，最終導(dǎo)致應(yīng)用卡頓甚至崩潰，嚴(yán)重影響用戶體驗(yàn)。
2025-01-16 14:40:552707 
廣播發(fā)送的短幀結(jié)構(gòu)，還體現(xiàn)在其錯(cuò)誤檢測(cè)機(jī)制上。通過(guò)總線數(shù)據(jù)以及總線波形來(lái)分析總線故障時(shí)，CAN協(xié)議錯(cuò)誤檢測(cè)機(jī)制中豐富的錯(cuò)誤幀類型能讓定位問(wèn)題的效率更高。錯(cuò)誤幀是CA
2025-01-15 10:03:491070 
據(jù)外媒報(bào)道，英偉達(dá)首批搭載Blackwell芯片的機(jī)架出現(xiàn)過(guò)熱問(wèn)題，芯片之間的連接方式也存在故障。主要客戶微軟、亞馬遜云部門、谷歌母公司Alphabet和Meta等公司已經(jīng)減少了英偉達(dá)
2025-01-14 15:39:18699 新加坡云服務(wù)器網(wǎng)絡(luò)中斷的常見(jiàn)原因包括以下幾方面： 硬件故障，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備故障：數(shù)據(jù)中心內(nèi)部的路由器、交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備出現(xiàn)故障，會(huì)導(dǎo)致云服務(wù)器無(wú)法正常連接網(wǎng)絡(luò)。例如，設(shè)備老化、損壞或配置錯(cuò)誤等都可能引發(fā)
2025-01-13 17:03:001322 電橋電路的常見(jiàn)錯(cuò)誤分析主要包括以下幾個(gè)方面： 一、電阻值不準(zhǔn)確 電阻值不準(zhǔn)確是電橋電路常見(jiàn)的錯(cuò)誤之一。這可能是由于電阻本身的誤差，如電阻的標(biāo)稱值與實(shí)際值存在偏差，或者電阻老化、溫度變化等因素導(dǎo)致
2025-01-09 10:08:432060 在嵌入式系統(tǒng)和微控制器編程中，通用輸入輸出（GPIO）是最常見(jiàn)的接口之一。然而，在使用GPIO時(shí)，我們可能會(huì)遇到各種錯(cuò)誤。 1. 理解GPIO GPIO是微控制器上的一組引腳，可以被配置為輸入或輸出
2025-01-09 09:46:563897 的異?，F(xiàn)象、根本原因以及優(yōu)化布局的方法和相關(guān)技巧。 1. 常見(jiàn)錯(cuò)誤一：功率器件散熱不良 異?，F(xiàn)象 功率器件溫度過(guò)高，可能導(dǎo)致器件性能下降，甚至損壞。例如，MOSFET 的導(dǎo)通電阻會(huì)隨溫度升高而增大，進(jìn)一步增加功耗，形成惡性循環(huán)。長(zhǎng)期高溫還可能影響器件的壽命，
2025-01-08 15:28:101933
大家好，我正在使用ADS1293以及CC2541設(shè)計(jì)一款個(gè)人心電監(jiān)護(hù)儀。當(dāng)我將ODR設(shè)置成160Hz時(shí)，一切正常；當(dāng)我設(shè)成320Hz時(shí)出現(xiàn)明顯的波形失真， 以下是我的測(cè)試數(shù)據(jù)：
我估計(jì)有數(shù)據(jù)漏掉了，但我測(cè)試了藍(lán)牙計(jì)數(shù)是連續(xù)的沒(méi)有少掉，不知是怎么回事。希望專家給予指導(dǎo)！
謝謝！
2025-01-06 06:27:40
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