據中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產業(yè)龍頭企業(yè)，功率半導體將迎來重要戰(zhàn)略機遇期和黃金發(fā)展期。

　　功率半導體是節(jié)能減排的關鍵技術和基礎技術，被大量應用于消費類電子、新能源汽車、光伏發(fā)電、風電、工業(yè)控制和國防裝備。2013年以來我國大部分地區(qū)霧霾天氣頻發(fā)，在這種背景下，大規(guī)模使用功率半導體來提高能源效率、促進節(jié)能減排，也成為半導體行業(yè)發(fā)展的重要方向。

　　半導體功率器件的產品門類非常廣，主要包括功率MOS晶體管（PowerMOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、快恢復二極管（FRD），以及尚未得到大規(guī)模應用的采用SiC和GaN的新一代功率半導體。

　　據矢野經濟研究所的統(tǒng)計，未來7年間，全球功率半導體銷售額的復合增長率三倍于整個半導體行業(yè)3%的營收增速。

　　從國內的情況來看，隨著全球空調、節(jié)能電機等電子產品產能向國內轉移，功率半導體的需求也成倍的增加，僅IGBT產品的需求規(guī)模已經超過100億元，并且國內已經出現(xiàn)格力電器等消費IGBT模塊超過10億元的企業(yè)，我國已成為全球最大的功率半導體器件消費市場。

　　IGBT器件仍然嚴重依賴于國外公司，國產產品市場占有率不足10%。

　　面對這種狀況，國內半導體企業(yè)關于IGBT的項目紛紛獲得政府補助，去年12月2日、23日，臺基股份的IGBT產業(yè)化項目連續(xù)獲得專項資金扶持，12月31日，士蘭微公告其“高壓IGBT芯片工藝技術開發(fā)及產業(yè)化”項目獲得國家專項資金扶持。

　　士蘭微在國家科技重大專項（研發(fā)多芯片功率模塊）的支持下，已成功地完成了高壓MOSFET、600V-1200VIGBT、FRD、600V-1200V高壓驅動集成電路、功率模塊等新技術新產品的研發(fā)，相關的產品已陸續(xù)開始投入市場，展現(xiàn)了很好的市場前景。

　　科陸電子作為智能電表行業(yè)的龍頭企業(yè)，積極拓展智能電網、節(jié)能減排和新能源等多個領域，已經成為節(jié)能減排領域的領先企業(yè)，也是發(fā)改委重點扶持的IGBT應用的重點探索企業(yè)。公司在2011年獲得科技部的專項資金用于碳化硅及硅基IGBT多芯片串聯(lián)模塊研發(fā)和測試平臺的建立。

　　華微電子自主研發(fā)的IGBT產品以及改進后的可控硅產品，也取得了一定程度的市場進展，開發(fā)出一些較大應用客戶群。此外，第三代MOSFET產品和TRENCH工藝平臺，在市場上得到了較高的認可度。