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MC74VHC1GT66 單電源SPST模擬開(kāi)關(guān)

數(shù)據(jù):

MC74VHC1GT66是采用硅柵CMOS技術(shù)制造的先進(jìn)高速CMOS雙邊模擬開(kāi)關(guān)。它實(shí)現(xiàn)了高速傳播延遲和低導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持CMOS低功耗。該雙向開(kāi)關(guān)控制模擬和數(shù)字電壓,這些電壓可能在整個(gè)電源范圍內(nèi)變化(從V CC 到GND)。

MC74VHC1GT66與高速CMOS MC74VHCT4066的單個(gè)柵極兼容。該器件的設(shè)計(jì)使得導(dǎo)通電阻(R ON )比金屬柵極CMOS或高速CMOS的R ON 低得多且輸入電壓更加線性。模擬開(kāi)關(guān)。

ON / OFF控制輸入與TTL型輸入閾值兼容,允許器件用作3.0V CMOS邏輯至5.0V CMOS邏輯或1.8V CMOS邏輯至3.0的邏輯電平轉(zhuǎn)換器V CMOS邏輯,同時(shí)在高壓電源下工作。該器件的輸入保護(hù)電路允許輸入端具有過(guò)壓容差,無(wú)論電源電壓如何,均可在施加高達(dá)7V的電壓時(shí)提供保護(hù)。這允許MC74VHC1GT66用于將5V電路連接到3V電路。
特性
  • 高速:t PD = 20 ns(Typ )在V CC = 5 V
  • 低功耗:I CC =1μA(Max),T A = 25°
  • 輸入和輸出提供二極管保護(hù)
  • 改善輸入電壓的線性度和降低導(dǎo)通電阻
  • 開(kāi)/關(guān)控制輸入有OVT
  • 芯片復(fù)雜度:FET = 11;等效門(mén)= 3
  • 無(wú)鉛封裝可用
應(yīng)用
  • 手機(jī)
  • 無(wú)線消費(fèi)類設(shè)備
  • 便攜式計(jì)算
  • 低壓數(shù)據(jù)采集
  • 音頻和視頻信號(hào)路由

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

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