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SN74CB3T16211 具有 5V 容限電平轉(zhuǎn)換器的 24 位 FET 2.5V/3.3V 低電壓總線開關(guān)

數(shù)據(jù):

描述

SN74CB3T16211是一款高速TTL兼容FET總線開關(guān),具有低導(dǎo)通電阻(r on ),允許用于最小傳播延遲。該器件通過提供跟蹤V CC 的電壓轉(zhuǎn)換,完全支持所有數(shù)據(jù)I /O端口上的混合模式信號操作。 SN74CB3T16211支持采用5 V TTL,3.3 V LVTTL和2.5 V CMOS開關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng),以及用戶定義的開關(guān)電平。

該器件的I /O端口具有上拉電阻當(dāng)器件導(dǎo)通時(shí),輸出電壓維持在V CC 的電流源,輸入大于或等于V CC - 1.由于上拉電流源當(dāng)工作頻率較低且I /O端口連接到下拉電阻時(shí),輸出電壓電平可能小于V CC 。為了將輸出電壓維持在V CC ,必須將一個(gè)上拉電阻連接到V CC 而不是一個(gè)下拉電阻接地。

SN74CB3T16211被組織為兩個(gè)12位總線開關(guān),具有獨(dú)立的輸出使能(1 OE ,2 OE < /span>)輸入。它可以用作兩個(gè)12位總線開關(guān)或一個(gè)24位總線開關(guān)。當(dāng) OE 為低電平時(shí),關(guān)聯(lián)的12位總線開關(guān)為ON,A端口連接到B端口,允許端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當(dāng) OE 為高電平時(shí),相關(guān)的12位總線開關(guān)為OFF,A和B端口之間存在高阻態(tài)。

< p>使用I off 為部分?jǐn)嚯姂?yīng)用完全指定了該器件。 I off 功能可確保損壞的電流在斷電時(shí)不會(huì)回流通過器件。在斷電期間,器件具有隔離功能。

為確保上電或斷電期間的高阻態(tài), OE 應(yīng)綁定到V CC 通過上拉電阻;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收能力決定。

特性

  • 德州儀器Widebus系列成員
  • 輸出電壓轉(zhuǎn)換軌跡V CC
  • 支持所有數(shù)據(jù)I /O端口上的混合模式信號操作
    • 輸入電壓低至3.3 V輸出電平
      3.3 VV CC移位
    • 低至2.5 V輸出的5 V /3.3 V輸入
      2.5 VV CC
    • 的電平轉(zhuǎn)換
  • 器件上電或掉電的5 V容差I(lǐng) /O
  • 近零的雙向數(shù)據(jù)流
    傳播延遲
  • 低導(dǎo)通電阻(r on )特性
    (r on =5ΩTyp)
  • 低輸入/輸出電容最小化>加載(C io(OFF) = 5 pF Typ)
  • 數(shù)據(jù)和控制輸入提供
    下沖鉗位二極管
  • 低功耗
    (I CC =70μAMax)
  • V CC 工作范圍2.3 V至3.6 V
  • 數(shù)據(jù)I /Os支持0至5V信號電平(0.8 V,1.2 V,1.5 V,1.8 V,2.5 V,3.3 V,5 V)
  • 控制輸入可由TTL
    或5 V /3.3 V CMOS輸出驅(qū)動(dòng)
  • I off 支持部分?jǐn)嚯娔J讲僮?/li>
  • 每個(gè)JESD的閂鎖性能超過250 mA 17
  • 每個(gè)JESD測試的ESD性能22
    • 2000- V人體模型(A114-B,II類)
    • 1000-V充電設(shè)備模型(C101)
  • 支持?jǐn)?shù)字應(yīng)用:水平
    翻譯,PCI接口,總線隔離
  • 低功耗便攜式設(shè)備的理想選擇

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?模擬開關(guān)/多路復(fù)用器

?
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Supply Current (Max) (uA)
Features
OFF-state leakage current (Max) (μA)
ON-state leakage current (Max) (μA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
SN74CB3T16211 SN74CBTD16211
1:1 SPST ? ? 1:1 SPST ? ?
24 ? ? 24 ? ?
Single ? ? Single ? ?
N/A ? ? N/A ? ?
N/A ? ? N/A ? ?
2.3 ? ? 4.5 ? ?
3.6 ? ? 5.5 ? ?
5 ? ? 5 ? ?
100 ? ? 20 ? ?
Catalog ? ? Catalog ? ?
-40 to 85 ? ? -40 to 85 ? ?
56BGA MICROSTAR JUNIOR: 32 mm2: 4.5 x 7(BGA MICROSTAR JUNIOR)
56SSOP: 191 mm2: 10.35 x 18.42(SSOP)
56TSSOP: 113 mm2: 8.1 x 14(TSSOP)
56TVSOP: 72 mm2: 6.4 x 11.3(TVSOP) ? ?
56SSOP: 191 mm2: 10.35 x 18.42(SSOP)
56TSSOP: 113 mm2: 8.1 x 14(TSSOP)
56TVSOP: 72 mm2: 6.4 x 11.3(TVSOP) ? ?
BGA MICROSTAR JUNIOR
SSOP
TSSOP
TVSOP ? ?
SSOP
TSSOP
TVSOP ? ?
3.6 ? ? 5.5 ? ?
9.5 ? ? 50 ? ?
128 ? ? 128 ? ?
70 ? ? 1500 ? ?
Powered off protection
Signal path Translation ? ?
Voltage Level Shifting ? ?
10 ? ? 1 ? ?
? 1 ? ?
13 ? ? ?
5 ? ? 5.5 ? ?
1 ? ? ?
2 ? ? ?
0.8 ? ? 0.8 ? ?
1.7 ? ? 2 ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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