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CSD17577Q5A CSD17577Q5A

數(shù)據(jù):

描述

這款30V,3.5mΩ,SON 5mm×6mm NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中以最大程度降低電阻。

頂部圖標(biāo)

要了解所有可用封裝,請(qǐng)見(jiàn)數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄.R θJA = 40°C /W,這是在一個(gè)厚度0.06英寸的環(huán)氧樹(shù)脂(FR4)印刷電路板(PCB)上的1英寸 2 ,2盎司的銅焊盤(pán)上測(cè)得的典型值
。最大R θJC = 2.8°C /W,脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs,占空比≤1%

特性

  • 低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩級(jí)
  • 無(wú)鉛端子鍍層
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 無(wú)鹵素
  • 小外形尺寸無(wú)引線(SON)5mm x 6mm塑料封裝

應(yīng)用范圍

  • 網(wǎng)絡(luò)互聯(lián),電信和計(jì)算系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)同步降壓
  • 針對(duì)控制和同步FET應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD17577Q5A CSD17576Q5B CSD17581Q5A
30 ? ? 30 ? ? 30 ? ?
Single ? ? Single ? ? Single ? ?
5.8 ? ? 2.9 ? ? 4.2 ? ?
4.2 ? ? 2 ? ? 3.4 ? ?
280 ? ? 400 ? ? 256 ? ?
13 ? ? 25 ? ? 20 ? ?
2.8 ? ? 5.4 ? ? 4 ? ?
SON5x6 ? ? SON5x6 ? ? SON5x6 ? ?
20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
1.4 ? ? 1.4 ? ? 1.3 ? ?
83 ? ? 184 ? ? 123 ? ?
60 ? ? 100 ? ? 60 ? ?
Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ?

技術(shù)文檔

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