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      CSD95377Q4M CSD95377Q4M

      數(shù)據(jù)：

      描述

      CSD95377Q4M NexFET?功率級的設(shè)計針對高功率，高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了高度優(yōu)化。此產(chǎn)品集成了驅(qū)動器IC和功率MOSFET，從而可以實現(xiàn)功率級開關(guān)功能。此驅(qū)動器IC具有內(nèi)置可選二極管仿真功能，該功能支持非連續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）運(yùn)行，從而提高輕負(fù)載效率。該組合在小型3.5mm x 4.5mm外形尺寸封裝中提供高電流，高效率和高速開關(guān)功能。此外，PCB封裝已經(jīng)過優(yōu)化，可幫助減少設(shè)計時間并簡化總體系統(tǒng)設(shè)計。

      特性

      • 電流為15A時的效率約為94％
      • 最大額定持續(xù)電流35A
      • 高頻運(yùn)行（高達(dá)2MHz）
      • 高密度3.5mm×4.5mm SON封裝
      • 超低電感封裝
      • 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
      • 兼容3.3V和5V PWM信號
      • 支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式（FCCM）的二極管仿真模式
      • 輸入電壓最高可達(dá)16V
      • 三態(tài)PWM輸入
      • 集成型自舉二極管
      • 擊穿保護(hù)
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) - 無引引腳鍍層
      • 無鹵素

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

      ?
      VDS (V)
      Power Loss (W)
      Ploss Current (A)
      ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
      Configuration
      Package (mm)
      Operating Temperature Range (C)
      Pin/Package
      CSD95377Q4M
      20 ? ?
      1.6 ? ?
      15 ? ?
      35 ? ?
      PowerStage ? ?
      SON 3.5x4.5 PowerStage ? ?
      -40 to 150 ? ?
      8VSON-CLIP ? ?

      方框圖 (1)

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
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