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數(shù)據(jù): ISO5852S-EP 具有分離輸出和有源安全保護(hù)功能的高 CMTI 2.5A 和 5A 增強(qiáng)型隔離式 IGBT、MOSFET 柵極 驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表
ISO5852S-EP器件是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV RMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出(OUTH和OUTL)以及2.5A的拉電流能力和5A的灌電流能力。輸入端由2.25V至5.5V的單電源供電運(yùn)行。輸出端允許的電源范圍為15V至30V。兩個(gè)互補(bǔ)CMOS輸入控制柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出狀態(tài).76ns的短暫傳播時(shí)間保證了對(duì)于輸出級(jí)的精確控制。
內(nèi)置的去飽和(DESAT)故障檢測(cè)功能可識(shí)別IGBT何時(shí)處于過流狀態(tài)。檢測(cè)到DESAT時(shí),靜音邏輯會(huì)立即阻斷隔離器輸出,并啟動(dòng)軟關(guān)斷過程以禁用OUTH引腳并將OUTL引腳拉至低電平持續(xù)2μs。當(dāng)OUTL引腳達(dá)到2V時(shí)(相對(duì)于最大負(fù)電源電勢(shì)V EE2 ),柵極驅(qū)動(dòng)器會(huì)被“硬”拉至V EE2 電勢(shì),從而立即將IGBT關(guān)斷。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí),器件會(huì)通過隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào),以及輸入端的< span> FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。靜音邏輯在軟關(guān)斷期間激活。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存,并只能在RDY引腳變?yōu)楦唠娖胶笸ㄟ^ RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷IGBT ,輸出電壓會(huì)被硬鉗位為V EE2 。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止IGBT在高電壓瞬態(tài)狀態(tài)下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。
柵極驅(qū)動(dòng)器是否準(zhǔn)備就緒待運(yùn)行由兩個(gè)欠壓鎖定電路控制,這兩個(gè)電路會(huì)監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足,RDY輸出會(huì)變?yōu)榈碗娖?,否則該輸出為高電平。
ISO5852S-EP器件采用16引腳小外形尺寸集成電路(SOIC )封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為-55°C至+ 125°C。
所有商標(biāo)均為其所有各自所有者。