--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VR 1000V
- IO 1A
--- 產(chǎn)品詳情 ---







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廠家直銷MDD品牌1SS355開關(guān)貼片二極管SOD-323封裝絲印A現(xiàn)貨供應(yīng)2022-05-18 16:58
產(chǎn)品型號(hào):1SS355 VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4764A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-18 16:41
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4764A VZ:100V VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4754A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-18 16:34
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4754A VZ:39V VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4749A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 24V 1W現(xiàn)貨2022-05-18 16:30
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4749A VZ:24V -
MDD品牌1SMA4746A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 18V 1W現(xiàn)貨2022-05-18 16:27
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4746A VZ:18V -
MDD品牌1SMA4743A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝2022-05-17 18:06
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4743A VZ:12V VF:9.1 V -
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現(xiàn)貨2022-05-17 18:04
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4742 VZ:12V VF:9.1 V -
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現(xiàn)貨2022-05-17 17:59
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4742 VZ:12V VF:9.1 V -
MDD品牌1SMA4742A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-17 17:57
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4742A VZ:12.0V VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4740A穩(wěn)壓二極管SMA封裝 9.5V 現(xiàn)貨2022-05-17 17:55
產(chǎn)品型號(hào):1SMA4740A VZ:9.5V VF:1.2V
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微波爐高壓二極管的作用與常見故障解析2026-02-24 11:36
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二極管的正確接法——從極性識(shí)別到典型應(yīng)用全解析2026-02-09 10:47
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二極管故障的最明顯現(xiàn)象與診斷方法2026-02-02 14:17
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哪些應(yīng)用環(huán)境最容易導(dǎo)致 ESD 管短路失效?——從失效機(jī)理到工程對(duì)策2026-01-27 15:03
一、ESD管“短路失效”并非偶然在實(shí)際項(xiàng)目中,F(xiàn)AE經(jīng)常遇到這樣的問題:ESD測(cè)試通過、產(chǎn)品初期正常,但現(xiàn)場(chǎng)使用一段時(shí)間后,ESD管直接短路,信號(hào)線被拉死。很多工程師第一反應(yīng)是“器件質(zhì)量問題”,但從失效分析結(jié)果來看,80%以上與應(yīng)用環(huán)境密切相關(guān),而非單純的器件缺陷。二、最容易引發(fā)ESD管短路的典型環(huán)境1.高靜電頻繁釋放環(huán)境(重復(fù)應(yīng)力型)典型場(chǎng)景:工業(yè)觸摸屏金 -
優(yōu)化三極管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與上升沿性能提升2026-01-26 14:49
一、為什么驅(qū)動(dòng)性能如此關(guān)鍵?三極管作為基礎(chǔ)的分立器件,在各種控制、放大和開關(guān)電路中都有廣泛應(yīng)用。然而,在驅(qū)動(dòng)負(fù)載或級(jí)聯(lián)其它器件(如MOSFET、繼電器等)時(shí),經(jīng)常會(huì)遇到上升沿緩慢、波形畸變、導(dǎo)通不及時(shí)等問題,這些問題不僅影響電路性能,還會(huì)增加功率損耗、EMI干擾及熱應(yīng)力。在實(shí)際工程應(yīng)用中,如何利用優(yōu)質(zhì)分立器件(如MDD的MOSFET、三極管、小信號(hào)器件等)改135瀏覽量 -
MOSFET 失效 Top 原因2026-01-20 15:29
在電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS、汽車電子等領(lǐng)域,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的MOSFET是最核心,也是最容易“背鍋”的功率器件之一。很多現(xiàn)場(chǎng)問題表面看是MOSFET炸管,但真正的原因,往往來自設(shè)計(jì)假設(shè)與真實(shí)工況不匹配。根據(jù)FAE現(xiàn)場(chǎng)統(tǒng)計(jì),80%的MOSFET失效并非器件質(zhì)量問題,而是設(shè)計(jì)與應(yīng)用問題。本文聚焦Top10中的前5項(xiàng)來看看:電氣設(shè)計(jì)相關(guān)失效的原因。一、TOP1:V -
MDD從工程故障看三極管三個(gè)極的設(shè)計(jì)誤區(qū)與失效案例2026-01-19 11:48
一、為什么三極管問題總是“看起來很隨機(jī)”?在FAE現(xiàn)場(chǎng)支持中,經(jīng)常遇到如下問題:-同一電路,有的板子正常,有的異常-高溫下工作不穩(wěn)定-更換批次后性能漂移這些問題,90%都與三個(gè)極的設(shè)計(jì)與使用方式有關(guān)。二、基極相關(guān)的典型工程問題1.基極驅(qū)動(dòng)不足,導(dǎo)致“半導(dǎo)通”表現(xiàn):-集電極發(fā)熱嚴(yán)重-電壓壓降異常-器件壽命極短原因:-基極電流不足-MCUIO驅(qū)動(dòng)能力被高估解決建184瀏覽量 -
告別充電難題,MDD 辰達(dá)半導(dǎo)體針對(duì)清潔電器推出分立器件解決方案2026-01-14 16:32
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散熱設(shè)計(jì)不良為何會(huì)導(dǎo)致 MOSFET 過熱失效?2026-01-12 10:17
一、問題背景在電源、BMS、車載電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的MOSFET常年工作在大電流、高頻、高環(huán)境溫度條件下。很多現(xiàn)場(chǎng)失效案例中,MOSFET本身參數(shù)選型并不低,但仍然頻繁燒毀,最終溯源發(fā)現(xiàn),根本原因并非器件質(zhì)量,而是散熱設(shè)計(jì)不良。散熱問題往往是“隱性故障”,短期測(cè)試可能正常,但在長(zhǎng)期運(yùn)行或高溫環(huán)境下極易暴露。二、MOSFET過熱失效的典型136瀏覽量 -
二極管導(dǎo)通電壓過高對(duì)效率的影響及優(yōu)化方案2026-01-05 11:39
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上傳時(shí)間:2022-08-19 15:55
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