資料介紹
針對硅在 KOH 中的各向異性腐蝕提出了一個新的物理模型。 此模型從微觀角度出發(fā), 根據(jù)實際的腐蝕化學(xué)反應(yīng)過程確定了若干微觀狀態(tài), 提出了反映腐蝕特性的若干微觀參數(shù)。 將腐蝕溫度、濃度等對腐蝕速率的影響也反映了進去。 計算結(jié)果與實驗結(jié)果進行了對比, 表明此模型在解釋硅在 KOH 中各向異性腐蝕特性等方面具有一定的合理性。
微電子機械系統(tǒng)(M EM S) 的發(fā)展令人矚目, 它是在微電子工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域。 M EM S 的三維結(jié)構(gòu), 突破了集成電路平面結(jié)構(gòu)的限制, 從而拓寬了M EM S 的實際應(yīng)用領(lǐng)域。 為此, 在集成電路平面工藝的基礎(chǔ)上, 需要加上特有的體加工工藝技術(shù)來實現(xiàn)M EM S的三維結(jié)構(gòu), 例如各向異性腐蝕技術(shù)[ 1 ]等。

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