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根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點(diǎn),以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素,溫度、腐蝕液濃
度等環(huán)境因素為校正因子,建立了一個新穎的硅各向異性腐蝕的計算機(jī)模擬模型。在+,--開發(fā)環(huán)境下利用./0123 技術(shù),實(shí)現(xiàn)了硅各向異性腐蝕過程的三維微觀動態(tài)模擬,為深刻理解硅的各向異性腐蝕過程提供了直觀的界面。
硅各向異性腐蝕技術(shù)是MEMS加工的核心工藝之一。硅的各向異性腐蝕,是指硅的不同晶面具有不同的腐蝕速率1]?;谶@種腐蝕特性,可在硅襯底上加工出各種各樣復(fù)雜的三維微結(jié)構(gòu)。如果能精確的對各向異性腐蝕的結(jié)果進(jìn)行計算機(jī)模擬,那么對于MEMS計算機(jī)輔助設(shè)計系統(tǒng)的建立和MEMS工藝水平的提高,都有重要的意義2]。
度等環(huán)境因素為校正因子,建立了一個新穎的硅各向異性腐蝕的計算機(jī)模擬模型。在+,--開發(fā)環(huán)境下利用./0123 技術(shù),實(shí)現(xiàn)了硅各向異性腐蝕過程的三維微觀動態(tài)模擬,為深刻理解硅的各向異性腐蝕過程提供了直觀的界面。
硅各向異性腐蝕技術(shù)是MEMS加工的核心工藝之一。硅的各向異性腐蝕,是指硅的不同晶面具有不同的腐蝕速率1]?;谶@種腐蝕特性,可在硅襯底上加工出各種各樣復(fù)雜的三維微結(jié)構(gòu)。如果能精確的對各向異性腐蝕的結(jié)果進(jìn)行計算機(jī)模擬,那么對于MEMS計算機(jī)輔助設(shè)計系統(tǒng)的建立和MEMS工藝水平的提高,都有重要的意義2]。
單晶硅
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