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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

      在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

      2009-04-27 | rar | 305 | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      開關(guān)電源(Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓撲的影響。
      smps
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