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本文確定了以下方面的關(guān)鍵參數(shù)注意事項(xiàng)：比較IGBT和MOSFET的具體性能SMPS（開關(guān)電源）應(yīng)用。在這兩種情況下都研究了開關(guān)損耗等參數(shù)硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS（零電壓切換）拓?fù)?。三個主電源開關(guān)損耗：導(dǎo)通、導(dǎo)通和關(guān)斷是相對于電路和器件特性。二極管的影響硬交換拓?fù)涞幕謴?fù)性能也很重要討論說明二極管恢復(fù)是主要的決定MOSFET或IGBT導(dǎo)通開關(guān)的因素?fù)p失。
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