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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理的學習

      MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理的學習

      2023-02-23 | pdf | 0.15 MB | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      MOSFET相對于三極管的優(yōu)勢： 其中一個優(yōu)勢是，MOSFET器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中使用 應(yīng)用非常重要。MOSFET晶體管更加容易驅(qū)動，因為其控制電極與導 電器件隔離，所以不需要連續(xù)的導通電流。一旦 MOSFET晶體管開通，它的驅(qū)動電流幾乎為零。而且，控制電荷大量減 少，MOSFET晶體管的存儲時間也相應(yīng)大幅減少。這基本上消除了導通壓降和關(guān)斷時間之間的設(shè)計權(quán)衡問題，而開通 狀態(tài)壓降與控制電荷成反比。
      MOSFET IGBT 柵極驅(qū)動器
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