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刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

綜述：MEMS制造工藝研究進展

據(jù)麥姆斯咨詢報道，近期，來自南京理工大學(xué)的研究人員于《新型工業(yè)化》期刊發(fā)表綜述文章，總結(jié)了體微加工技術(shù)和表面微加工常用的MEMS加工工藝的原理、加工方法...

2022-11-30 標簽：mems 制造工藝刻蝕 2.1k 0

InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術(shù)研究

基于GaSb材料，包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計成各種新型材料和器件，尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨特的II型能帶結(jié)構(gòu)，可以...

2022-11-29 標簽：工藝晶格 ICP 2.2k 0

半導(dǎo)體制造之離子工藝

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2022-11-28 標簽：等離子體工藝 CVD 1.7k 0

偉大的工程之芯片制造

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2022-11-11 標簽：晶圓芯片制造刻蝕 3.3k 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（中篇）

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揭秘半導(dǎo)體制造全流程（下篇）

在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個步驟：互連、測試和封裝，以完成半導(dǎo)體芯片的制造。

2022-08-01 標簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 4.6k 0

污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金...

2022-05-18 標簽：晶片清洗刻蝕 1.1k 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過程

本文報道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細了解...

2022-05-13 標簽：工藝晶片刻蝕 2.2k 0

通過濕法化學(xué)刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標簽：薄膜刻蝕 1.9k 0

晶片濕法刻蝕工藝詳解

　　濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大...

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單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時，要求規(guī)格的嚴格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)，實現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...

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通過化學(xué)濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

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硅晶圓蝕刻過程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

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2022-04-08 標簽：半導(dǎo)體硅晶圓刻蝕 2.8k 0

濕式蝕刻過程的原理是什么

濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大于1...

2022-04-07 標簽：工藝刻蝕 3.4k 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長內(nèi)，光的吸收顯著增強，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3.6k 0

采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅

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2022-03-29 標簽：測試材料刻蝕 1.3k 0

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對黑硅的形成進行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標簽：工藝晶片刻蝕 1.5k 0

微機械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

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一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用...

2022-03-29 標簽：SiC 碳化硅刻蝕 2.1k 0

n型多孔硅刻蝕時間的效應(yīng)分析

引言硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶...

2022-03-25 標簽：半導(dǎo)體刻蝕 4.1k 0

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