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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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摘要 本文針對激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題,深入分析影響測量精度的因素,從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升...
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備的日常維護(hù)與故障排查
摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備,詳細(xì)探討其日常維護(hù)要點(diǎn)與故障排查方法,旨在通過科學(xué)的維護(hù)管理和高效的故障處理,保障測量設(shè)備的穩(wěn)定性與測量...
【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題
摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測...
聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化機(jī)理及預(yù)警
摘要 本文圍繞半導(dǎo)體晶圓研磨工藝,深入剖析聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化關(guān)系,探究其退化機(jī)理,并提出相應(yīng)的預(yù)警方法,為保障晶圓研磨質(zhì)量...
SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢,在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的...
梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備及其對晶圓 TTV 均勻性的提升
摘要 本文聚焦半導(dǎo)體晶圓研磨工藝,介紹梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備方法,深入探究其對晶圓總厚度變化(TTV)均勻性的提升作用,為提高晶圓研磨質(zhì)量提供新的技...
切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測模型的協(xié)同構(gòu)建
摘要 本論文圍繞超薄晶圓切割工藝,探討切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測模型的協(xié)同構(gòu)建,闡述兩者協(xié)同在保障晶圓切割質(zhì)量、提升 TTV 均勻性方面...
2025-07-31 標(biāo)簽:晶圓調(diào)控系統(tǒng)碳化硅 460 0
切割液性能 - 切削區(qū)多物理場耦合對晶圓 TTV 均勻性的影響及調(diào)控
摘要:本文針對晶圓切割過程,研究切割液性能與切削區(qū)多物理場耦合作用對晶圓 TTV 均勻性的影響機(jī)制,并探索相應(yīng)調(diào)控策略。通過分析切割液性能在熱、力、流等...
工業(yè)充電器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型分析
小到電動工具、割草機(jī),大到叉車、托盤車及自動導(dǎo)引車等物料搬運(yùn)設(shè)備,電池供電設(shè)備正日益成為工業(yè)和建筑領(lǐng)域的理想選擇。
基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制
摘要:本文圍繞基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升及對晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強(qiáng)化切割液在冷卻、潤滑、排屑等性能方面的提升機(jī)制,分析...
切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)
摘要:本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制,探索實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同...
切割深度動態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在晶圓制造過程中,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中,受切削力、振動、刀具磨損等因素...
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造...
2025-07-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 1.1k 0
基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)
一、引言 在半導(dǎo)體制造中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會導(dǎo)致晶圓變形,進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性...
晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對 TTV 的影響
一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...
淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中,易因單次切割...
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中,熱場、力場、流場等多物理場相互耦合,引發(fā)切割振動,嚴(yán)重...
碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型
一、引言 碳化硅(SiC)襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵,其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性,進(jìn)給參數(shù)控制切割過...
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