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碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

寬禁帶的SiC和GaN將會是下一代功率器件的基礎(chǔ)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如,數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時)的3...

2018-07-24 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 6.8k 0

策馬算力新紀(jì)元:SiC碳化硅頂冷技術(shù)與輔助電源方案在AI服務(wù)器電源中的應(yīng)用解析

公元2026年,歲次丙午,五行屬火,是為“火馬”之年。古語云:“天馬行空,獨(dú)往獨(dú)來”,寓意著勢不可擋的突破與超越。在數(shù)字文明的浩瀚疆域中,算力已成為驅(qū)動...

2026-02-14 標(biāo)簽:SiC碳化硅算力 6.8k 0

盤點(diǎn)4月份上市輔導(dǎo)的半導(dǎo)體企業(yè)

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據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)統(tǒng)計,在半導(dǎo)體行業(yè),2023年一月份上市輔導(dǎo)企業(yè)數(shù)量達(dá)15家,但到了2月份顯著降至2家,3月份更是降至1家。近日,4月份剛剛結(jié)束,經(jīng)盤點(diǎn)發(fā)...

2023-05-08 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體碳化硅 6.8k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元

碳化硅功率器件的優(yōu)勢 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元

引言: 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護(hù)要求的日益提高,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無法滿足新時代對高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅(SiC)...

2024-03-21 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 6.8k 0

光伏儲能市場一觸即發(fā)!碳化硅光伏逆變器風(fēng)光無限

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)據(jù)統(tǒng)計,截至2021年三季度,我國光伏發(fā)電機(jī)累計裝機(jī)量達(dá)275GW,同比增長25%,累計新增裝機(jī)量 22GW,同比增長 45...

2022-02-14 標(biāo)簽:光伏碳化硅 6.8k 0

碳化硅+液冷+構(gòu)網(wǎng)型,儲能逆變器三大黑科技重塑全球電網(wǎng)穩(wěn)定性

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)說起逆變器,作為一種電能轉(zhuǎn)換設(shè)備,核心功能就是將直流電(DC)轉(zhuǎn)化為交流電(AC),因此廣泛應(yīng)用于光伏發(fā)電、儲能系統(tǒng)、車載...

2025-09-12 標(biāo)簽:PCS碳化硅儲能逆變器 6.7k 0

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法...

2023-02-03 標(biāo)簽:SiC碳化硅 6.7k 0

碳化硅器件制造工藝與傳統(tǒng)硅基制造工藝有什么區(qū)別

碳化硅作為一種化合物半導(dǎo)體,在自然界中極其稀有,以礦物莫桑石的形式出現(xiàn)。目前世界上銷售的碳化硅幾乎都是人工合成的。碳化硅具有硬度高、熱導(dǎo)率高、熱穩(wěn)定性好...

2022-11-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 6.7k 0

碳化硅材料技術(shù)對器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化...

2021-08-16 標(biāo)簽:SiC碳化硅CVD 6.7k 0

AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動,12英寸碳化硅靜待爆發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來兩大新需求:AI眼鏡市場爆發(fā),推動碳化硅AR光波導(dǎo)鏡片量產(chǎn)節(jié)奏;為了進(jìn)一步提高散熱效率,英偉達(dá)決定在...

2025-09-26 標(biāo)簽:12英寸碳化硅 6.6k 0

Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出...

2018-03-19 標(biāo)簽:apeclittelfuse碳化硅 6.6k 0

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碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個復(fù)雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理...

2024-11-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓SiC 6.6k 0

美高森美宣布推出極低電感SP6LI封裝 可同時高電流、高開關(guān)頻率和高效率

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號...

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汽車大佬們的芯片版圖,在下一個制高點(diǎn)瘋狂試探

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)汽車作為接棒智能手機(jī)的下一個智能化產(chǎn)品,傳統(tǒng)車企、新興勢力以及手機(jī)廠商都在加速布局,由于近兩年缺芯,汽車芯片的供應(yīng)問題以及...

2022-02-20 標(biāo)簽:MCU激光雷達(dá)汽車芯片 6.6k 0

東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊,助力實(shí)現(xiàn)尺寸更小,效率更高的工業(yè)設(shè)備

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東芝電子宣布,推出兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。

2022-01-26 標(biāo)簽:MOSFET東芝碳化硅 6.6k 0

華為半導(dǎo)體投資版圖:33家企業(yè),EDA、設(shè)備、碳化硅、模擬射頻、MEMS等全覆蓋

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)近段時間,華為又密集投資了多家公司,包括晶拓半導(dǎo)體、深迪半導(dǎo)體、上海賽美特軟件科技有限公司、湖南德智新材料有限公司,涉及半...

2021-12-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體華為eda 6.5k 0

Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC

Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoS...

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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品

今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是...

2018-10-23 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管Littelfuse 6.3k 0

世紀(jì)金光面向新能源汽車推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品

世紀(jì)金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...

2019-03-10 標(biāo)簽:SiC碳化硅 6.3k 0

SiC碳化硅MOSFET隔離驅(qū)動電源系統(tǒng)中負(fù)壓生成的物理機(jī)制與工程實(shí)現(xiàn)研究報告

SiC碳化硅MOSFET隔離驅(qū)動電源系統(tǒng)中負(fù)壓生成的物理機(jī)制與工程實(shí)現(xiàn)研究報告

SiC碳化硅MOSFET隔離驅(qū)動電源系統(tǒng)中負(fù)壓生成的物理機(jī)制與工程實(shí)現(xiàn)研究報告 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本...

2026-02-18 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 6.3k 0

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