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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

中國(guó)電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地開(kāi)始投產(chǎn),年產(chǎn)值可達(dá)10億元

中國(guó)電科黨組書(shū)記、董事長(zhǎng)熊群力指出,中國(guó)電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國(guó)電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。

2020-03-02 標(biāo)簽:碳化硅 5.8k 0

【大神課堂】碳化硅 (SiC):歷史與應(yīng)用

【大神課堂】碳化硅 (SiC):歷史與應(yīng)用

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生...

2018-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 5.7k 0

瀚天天成科創(chuàng)板IPO受理!碳化硅外延片收入三年漲近13倍,募資超35億擴(kuò)產(chǎn)

瀚天天成科創(chuàng)板IPO受理!碳化硅外延片收入三年漲近13倍,募資超35億擴(kuò)產(chǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)近日,瀚天天成電子科技(廈門(mén))股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:瀚天天成)科創(chuàng)板IPO成功獲上交所受理,保薦機(jī)構(gòu)為中金公司。 瀚天天成...

2024-01-11 標(biāo)簽:ipo碳化硅外延片 5.7k 0

超級(jí)充電汽車(chē),可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)碳化硅革命

不止應(yīng)用于汽車(chē)、碳化硅革命及其對(duì)硅器件的影響

2019-05-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)碳化硅快充技術(shù) 5.7k 0

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》全書(shū)

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》全書(shū)

第1章導(dǎo)論1.1電子學(xué)的進(jìn)展1.2碳化硅的特性和簡(jiǎn)史1.3本書(shū)提綱第2章碳化硅的物理性質(zhì)2.4總結(jié)2.3熱學(xué)和機(jī)械特性2.2.6擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度2.2.5漂...

2022-05-09 標(biāo)簽:碳化硅 5.7k 0

Power Integration推出門(mén)極驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng) 可支持不同功率模塊

美國(guó)加利福尼亞州圣何塞,近日深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)推出SC...

2019-07-02 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率模塊碳化硅 5.6k 0

瀚天天成科創(chuàng)板IPO終止!營(yíng)業(yè)收入快速增長(zhǎng),客戶集中度高

瀚天天成科創(chuàng)板IPO終止!營(yíng)業(yè)收入快速增長(zhǎng),客戶集中度高

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近日,上交所發(fā)布關(guān)于終止對(duì)瀚天天成電子科技(廈門(mén))股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市審核的決定。 ? 上交所于20...

2024-06-14 標(biāo)簽:ipo碳化硅科創(chuàng)板 5.6k 0

華為哈勃再投一家碳化硅企業(yè)

近日,東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司(簡(jiǎn)稱“天域”)發(fā)生工商變更,新增股東華為關(guān)聯(lián)投資機(jī)構(gòu)深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)(有限合伙)等,注冊(cè)資本由約9027萬(wàn)增...

2021-07-06 標(biāo)簽:華為碳化硅哈勃科技 5.5k 0

碳化硅主要的四大應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅主要有四大應(yīng)用:功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng),不能算高新技術(shù)產(chǎn)品,而技術(shù)含量極高的納米級(jí)碳化硅粉體的應(yīng)用短時(shí)間不...

2023-02-09 標(biāo)簽:納米碳化硅jfet器件 5.4k 0

博世入局碳化硅 博世致力于研發(fā)符合車(chē)規(guī)級(jí)的碳化硅產(chǎn)品

博世集團(tuán)是世界先進(jìn)的技術(shù)及服務(wù)供應(yīng)商。從MEMS技術(shù)問(wèn)世開(kāi)始,博世始終處于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的前沿位置。如今,博世已成為全球的MEMS傳感器的頭...

2020-08-07 標(biāo)簽:MOSFETmems碳化硅 5.4k 0

行業(yè) | 用于工業(yè)和汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)

CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅(qū)動(dòng)板,其額定溫度為125°C(Ta),它還針對(duì)采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。

2019-08-05 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 5.4k 0

7.4 結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和

7.4 結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和

7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)...

2022-02-15 標(biāo)簽:二極管碳化硅 5.4k 0

英飛凌程文濤:第三代半導(dǎo)體助力低碳互聯(lián)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)近日,在第九屆EEVIA年度中國(guó)電子ICT媒體論壇暨2021產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)上,英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)程文...

2021-08-02 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅第三代半導(dǎo)體 5.4k 0

正力新能新一代BEV專用電芯產(chǎn)品助力零跑C16純電版首發(fā)

6月28日,零跑汽車(chē)首款中大型智能六座SUV、LEAP 3.0技術(shù)架構(gòu)的旗艦之作——零跑C16重磅上市,新車(chē)實(shí)現(xiàn)了對(duì)六座SUV的兩個(gè)重新定義——MPV的...

2024-06-29 標(biāo)簽:新能源碳化硅電芯 5.4k 0

碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅...

2024-11-21 標(biāo)簽:碳化硅 5.4k 0

Soitec公布 2022 財(cái)年上半年財(cái)報(bào),收入創(chuàng)歷史新高

Soitec公布 2022 財(cái)年上半年財(cái)報(bào),收入創(chuàng)歷史新高

作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國(guó) Soitec半導(dǎo)體公司于近日公布了2022 財(cái)年上半年業(yè)績(jī)(截止至 2021 年 9 月 30 日)。

2021-12-03 標(biāo)簽:智能手機(jī)碳化硅5G 5.3k 0

碳化硅二極管用于PD快充的優(yōu)勢(shì)

碳化硅二極管用于PD快充的優(yōu)勢(shì)

當(dāng)下,隨著USB-PD快充技術(shù)的普及和氮化鎵技術(shù)的成熟,大功率快充電源市場(chǎng)逐漸興起,碳化硅二極管也開(kāi)始在消費(fèi)類電源市場(chǎng)中嶄露頭角,被部分100W大功率氮...

2021-08-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)太陽(yáng)能逆變器 5.3k 0

***用到的稀有金屬是碳化硅?當(dāng)然不是

***用到的稀有金屬是碳化硅?當(dāng)然不是

我國(guó)家的芯片剛開(kāi)始發(fā)展的時(shí)候,與國(guó)際高端芯片技術(shù)的差距并不是很大,但由于國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)迎來(lái)了高速增長(zhǎng)期,而“買(mǎi)來(lái)不如造去”的觀念在大多數(shù)企業(yè)心中根深蒂固,許多...

2023-04-14 標(biāo)簽:碳化硅國(guó)產(chǎn)芯片 5.3k 0

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區(qū)別在哪里?

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...

2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 5.3k 0

陳小龍:碳化硅晶圓國(guó)產(chǎn)化先鋒

“創(chuàng)新從來(lái)都是九死一生”,道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上,未來(lái)還充滿了許許多多的坎坷險(xiǎn)阻,還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...

2019-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 5.3k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    研華
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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