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標(biāo)簽 > 高頻開(kāi)關(guān)
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開(kāi)關(guān)電源是連接市電電網(wǎng)與通信設(shè)備之間的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備,基本電路包括兩部分。一是主電路,二是控制電路,主電路高頻開(kāi)關(guān)整流器中的核心部分是高頻功率變換電路,開(kāi)...
2019-09-13 標(biāo)簽:整流器高頻開(kāi)關(guān) 2.0萬(wàn) 0
開(kāi)關(guān)電源是聯(lián)接市電電網(wǎng)與通訊設(shè)備之間的電源改換設(shè)備,根柢電路包含兩有些。一是主電路,二是操控電路,主電路高頻開(kāi)關(guān)整流器中的基地有些是高頻功率改換電路,開(kāi)...
2020-09-24 標(biāo)簽:整流器高頻開(kāi)關(guān) 9.4k 0
大功率高壓直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源由變壓器降壓、整流濾波、基準(zhǔn)電源電路、基準(zhǔn)電壓電路、穩(wěn)壓、穩(wěn)流比較放大電路、調(diào)整電路及穩(wěn)流取樣電路等組成。
2020-10-06 標(biāo)簽:濾波電路高頻開(kāi)關(guān)直流電壓源 6.7k 0
高頻開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源的電路結(jié)構(gòu)分析
開(kāi)關(guān)電源具有體積小、效率高等一系列優(yōu)點(diǎn),在各類(lèi)電子產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。但由于開(kāi)關(guān)電源的控制電路比較復(fù)雜、輸出紋波電壓較高,所以開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用也受到一定的限制。
2018-02-02 標(biāo)簽:穩(wěn)壓電源高頻開(kāi)關(guān) 4.9k 0
高頻開(kāi)關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子,它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 標(biāo)簽:FETSiC高頻開(kāi)關(guān) 1.7k 0
德昌場(chǎng)效應(yīng)管SOT-523/SOT-883封裝產(chǎn)品是高頻開(kāi)關(guān)生產(chǎn)痛點(diǎn)的“破局者”
在電子技術(shù)飛速迭代的當(dāng)下,高頻開(kāi)關(guān)電路已深度融入通信基站、快充設(shè)備等多元場(chǎng)景,成為支撐設(shè)備高效運(yùn)行的“心臟”。然而,高頻信號(hào)干擾、功率耗散發(fā)熱、空間適配...
2025-09-29 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管高頻開(kāi)關(guān) 964 0
新潔能NCE65TF099:高頻開(kāi)關(guān)性能如何賦能不同產(chǎn)品應(yīng)用?
在當(dāng)今快速發(fā)展的電子技術(shù)領(lǐng)域,高頻開(kāi)關(guān)性能已成為衡量功率器件性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。新潔能憑借其卓越的高頻開(kāi)關(guān)性能,正在為各種產(chǎn)品應(yīng)用帶來(lái)前所未有的賦能與變...
2025-10-20 標(biāo)簽:MOS功率器件高頻開(kāi)關(guān) 584 0
新潔能功率MOSFET NCE2060K詳解:一款適用于高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的20V/60A器件
在功率開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中,MOSFET的選擇往往直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。南山電子代理品牌新潔能(NCE)推出的NCE2060K,便是一款在中等電壓...
2025-12-09 標(biāo)簽:MOSFETMOS高頻開(kāi)關(guān) 478 0
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