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標簽 > CISSOID
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SiC助力功率半導體器件的應用結溫升高,將大大改變電力系統(tǒng)的設計格局
Yole Development 的市場調查報告表明,自硅功率半導體器件誕生以來,應用的需求一直推動著結溫升高,目前已達到150℃。
2020-11-16 標簽:電動汽車電力系統(tǒng)CISSOID 2.3k 0
CISSOID推出新型柵極驅動器板 提供全面基于碳化硅解決方案
各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID,在2019年歐洲功率電子及智能傳動產品展覽會(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化...
據外媒報道,比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊(IPM),可用于電動出行。
CISSOID為Honeywell將停產高溫微電子產品的客戶提供相應替代品
高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID今日宣布:該公司已準備好幫助客戶免受Honeywell公司宣布限期最后接單后,即將停產其高溫微電子產品...
CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關系 推動碳化硅功率器件廣泛應用
各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布:公司已與中國科學院電工研究所(簡稱中科院電工所)達成戰(zhàn)略合作關系,將共同開展基于碳化硅(Si...
CISSOID,在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET
2010-12-20 標簽:CISSOID 3.5k 0
CISSOID和清華大學電機系共同研發(fā)碳化硅功率模塊系統(tǒng)
CISSOID與清華大學電機工程與應用電子技術系(簡稱電機系)達成技術合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng),期望共同攻克技術難題以...
CISSOID 推出 60A /1200V 高溫電源模塊 PLUTO
高溫半導體解決方案的領導者 CISSOID 公司宣布推出高溫電源模塊CHT-PLUTO,它可在-55~225℃的范圍內實現可靠的運行,并輸出高達60A的...
CISSOID 向 Thales 交付首個碳化硅( SiC )智能功率模塊
比利時,蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長壽命半導體解決方案的領先供應商CISSOID公司宣布,向 Thales Avion...
CISSOID和清華大學電機系達成合作 攜手推進基于碳化硅功率模塊系統(tǒng)研發(fā)
高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID日前宣布:公司已與清華大學電機工程與應用電子技術系(簡稱電機系)達成技術合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳...
CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管 CISSOID,在高溫半導體解決方案的領導者,介紹了 VENUS,他們的新系列高溫...
| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| CXT-PLA3SA12450AA | MOS POWER MODULE 1200V/450A SIC |
獲取價格
|
|
| CMT-TIT8243A | MOS GATE DRIVER 62MM 1200V SIC |
獲取價格
|
|
| CMT-TIT8244A | MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC |
獲取價格
|
|
| CMT-TIT0697A | MOS GATE DRIVER 1200V SIC |
獲取價格
|
|
| CHT-PLA8294A-HM8A-T |
獲取價格
|
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