ddr5

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DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

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ddr5資訊

科賦CRAS V RGB DDR5-7600內(nèi)存評(píng)測(cè)

在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無(wú)名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。

2023-12-29 標(biāo)簽：芯片內(nèi)存 DDR5 1.9k 0

FormFactor發(fā)布2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào),收入創(chuàng)歷史新高

FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024財(cái)年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示，F(xiàn)ormFactor在該季度的收入達(dá)到了...

2024-11-01 標(biāo)簽：DRAM FormFactor DDR5 1.9k 0

DRAM代際交替中的技術(shù)賦能：德明利新一代高性能內(nèi)存方案

DRAM內(nèi)存市場(chǎng)“代際交接”關(guān)鍵時(shí)刻2025年P(guān)C及服務(wù)器市場(chǎng)中，DDR4的滲透率約為20%-30%，而DDR5的滲透率約為70%-80%（TrendF...

2025-07-09 標(biāo)簽：內(nèi)存條 DDR4 DDR5 1.9k 0

南亞科Q2財(cái)報(bào)亮眼，HBM與DDR5驅(qū)動(dòng)DRAM市場(chǎng)下半年回暖

近日，中國(guó)臺(tái)灣知名內(nèi)存芯片制造商南亞科發(fā)布了其2024年第二季度的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)報(bào)告，數(shù)據(jù)顯示，該公司在這一季度內(nèi)實(shí)現(xiàn)了顯著的營(yíng)收增長(zhǎng)，進(jìn)一步鞏固了其在DRA...

2024-07-12 標(biāo)簽：芯片南亞科 HBM 1.9k 0

瀾起科技：DDR5第三子代RCD芯片將隨新一代CPU平臺(tái)規(guī)模出貨

瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動(dòng)態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測(cè)，DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過(guò)第一子代R...

2024-02-02 標(biāo)簽：芯片瀾起科技 DDR5 1.9k 0

淺談Zeta R5 DDR5 R-DIMM可超頻內(nèi)存條

Intel至強(qiáng)W-3400、至強(qiáng)W-2400系列處理器除了多達(dá)56核心112線程，還支持最多8個(gè)通道、最大4TB容量的DDR5-4800內(nèi)存，最多112...

2023-02-24 標(biāo)簽：處理器內(nèi)存條 DDR5 1.9k 0

3D pSLC NAND彌合了5G基站設(shè)計(jì)人員與DDR5的差距

與4G相比，毫無(wú)疑問(wèn)，5G的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)其前身。它提供更高的峰值數(shù)據(jù)速度（高達(dá) 20Gbps）、超低延遲、更高的可靠性、巨大的網(wǎng)絡(luò)容量、更高的可用性和更...

2022-11-25 標(biāo)簽：NAND 5G DDR5 1.9k 0

瀾起科技在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03

2023年10月27日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03，該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組，旨...

2023-10-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 RCD 瀾起科技 1.9k 0

華擎W790 WS R2.0主板：簡(jiǎn)化IO，適應(yīng)機(jī)架，更具性價(jià)比

該新款主板搭載 8 條 DDR5 RDIMM 內(nèi)存插槽，支持最高 DDR5-6800 頻率的超頻操作。同時(shí)，它具備 4 條 PCIe Gen5x16 插...

2024-05-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)PCIe DDR5 1.9k 0

瀾起科技宣布推出DDR5第四子代RCD芯片

瀾起科技，一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新，近日再次實(shí)現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過(guò)不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級(jí)，他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片（DDR5...

2024-01-07 標(biāo)簽：芯片 RCD 瀾起科技 1.9k 0

DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng) 美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動(dòng)DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢(shì)預(yù)計(jì)...

2023-11-24 標(biāo)簽：DRAM NAND HBM 1.9k 0

DDR5內(nèi)存具體有哪些變化

從增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)到人工智能、云計(jì)算再到物聯(lián)網(wǎng)，5G正在燃爆新技術(shù)增長(zhǎng)，同時(shí)也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來(lái)越大，隨之而來(lái)的是存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)需求，DDR5之...

2022-08-01 標(biāo)簽：內(nèi)存 DDR4 泰克科技 1.8k 0

DRAM大廠第三季對(duì)DDR5再度調(diào)漲,價(jià)格將上漲15%以上

8月20日最新供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)揭示，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）行業(yè)巨頭計(jì)劃在第三季度對(duì)DDR5產(chǎn)品實(shí)施新一輪的價(jià)格上調(diào)，預(yù)計(jì)漲幅將超過(guò)15%。此次調(diào)價(jià)背后...

2024-08-20 標(biāo)簽：DRAM NAND閃存 DDR5 1.8k 0

瀾起科技：CKD芯片有望明年下半年開(kāi)始上量

　aipc為了提高整體性能，需要更多的帶寬需要的內(nèi)存，所以aipc ddr5一代反復(fù)滲透率的增加，加快速度更高的ddr5內(nèi)存可以增加的需要，因此，ckd...

2023-11-23 標(biāo)簽：芯片 RCD DDR5 1.8k 0

凌華科技IMB-M47 ATX主板，引入DDR5等新技術(shù)

IMB-M47 工業(yè)級(jí) ATX 主板支持第 12 代和第 13 代 Intel Core 處理器，該處理器采用高性能混合架構(gòu)，具有多達(dá)16 個(gè) E 核心...

2023-11-24 標(biāo)簽：處理器機(jī)器視覺(jué)PCIe 1.8k 0

美光DDR5內(nèi)存配合第四代AMD EPYC處理器，提升高性能計(jì)算工作負(fù)載

美光與 AMD 聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺(tái)提供一流的用戶體驗(yàn)。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作...

2022-12-20 標(biāo)簽：處理器 amd 美光 1.8k 0

三星發(fā)布容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無(wú)需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組

2023-09-01 標(biāo)簽：DRAM 三星電子人工智能 1.8k 0

映泰發(fā)布A620MH Aurora主板，支持DDR5內(nèi)存，配備32條PCIe通道

而作為一款給力的主板，映泰A620MH Aurora為M-ATX板型設(shè)計(jì)，具備雙DDR5內(nèi)存插槽；同時(shí)搭配了瑞昱RTL8111H千兆網(wǎng)卡以及ALC897...

2024-03-01 標(biāo)簽：主板音頻芯片 DDR5 1.8k 0

面向電信和邊緣應(yīng)用的新一代EPYC處理器Siena

Hot Chips 2023大會(huì)上，AMD展示了一系列新產(chǎn)品，包括備受期待的AMD EPYC Genoa、Genoa-X和Bergamo CPU。

2023-10-11 標(biāo)簽：處理器 amd DRAM 1.8k 0

美光科技推出基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

2024 年 5 月 9 日， Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨...

2024-05-09 標(biāo)簽：DRAM芯片美光科技硅通孔 1.8k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。

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