mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場(chǎng)應(yīng)用與挑戰(zhàn)

在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低...

2025-12-16 標(biāo)簽：MOSFET 電池管理系統(tǒng)MOS 57 0

從USB到MOSFET柵極：雷卯電子拆解智能割草機(jī)全鏈路EMC防護(hù)方案

行業(yè)圖譜EMC保護(hù)方案大全國(guó)外品牌替代表EMC行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)雷卯實(shí)驗(yàn)室免費(fèi)測(cè)試?yán)酌a(chǎn)品規(guī)格書講解請(qǐng)點(diǎn)擊以上內(nèi)容了解更多割草機(jī)器人核心構(gòu)成割草機(jī)器人是一款能自主...

2025-12-15 標(biāo)簽：MOSFET usb emc 78 0

BMS設(shè)計(jì)中如何選擇MOSFET——關(guān)鍵考慮因素與最佳實(shí)踐

在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為開關(guān)元件，負(fù)責(zé)電池充放電、均衡、過流保護(hù)和溫度控制等功能的實(shí)現(xiàn)。MOSFET的性能直接影響系統(tǒng)...

2025-12-15 標(biāo)簽：MOSFET MOS bms 68 0

碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護(hù)隔離驅(qū)動(dòng) IC 研究報(bào)告：基于兩級(jí)關(guān)斷 (2LTO) 機(jī)制的競(jìng)品分析與技術(shù)對(duì)比

碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護(hù)隔離驅(qū)動(dòng) IC 研究報(bào)告：基于兩級(jí)關(guān)斷 (2LTO) 機(jī)制的競(jìng)品分析與技術(shù)對(duì)比傾佳電子（Changer Te...

2025-12-14 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅隔離驅(qū)動(dòng) 1.8k 0

選型手冊(cè)：VSD950N70HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSD950N70HS是一款面向700V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器...

2025-12-12 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 MOS 210 0

選型手冊(cè)：VS3622AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流...

2025-12-10 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 MOS 130 0

新潔能功率MOSFET NCE2060K詳解：一款適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景的20V/60A器件

在功率開關(guān)電路設(shè)計(jì)中，MOSFET的選擇往往直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。南山電子代理品牌新潔能（NCE）推出的NCE2060K，便是一款在中等電壓...

2025-12-09 標(biāo)簽：MOSFET MOS 高頻開關(guān) 470 0

深入解析 onsemi NCx57080y/NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

在高功率應(yīng)用領(lǐng)域，工程師們一直在尋找能夠提升系統(tǒng)效率和可靠性的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCx57080y 和 NCx57081y 高電流單通道 IG...

2025-12-09 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 單通道 475 0

深入解析NCx57090y, NCx57091y：高性能IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)器

在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來詳細(xì)探討一下安森...

2025-12-09 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 IGBT 556 0

MOSFET的三重防護(hù)（3）

OK，還剩MOSFET的最后一重防護(hù)，就是在DS之間加TVS做保護(hù)，對(duì)應(yīng)的就是下圖TVS3的位置。

2025-12-09 標(biāo)簽：MOSFET 保護(hù)電路斷路器 3.2k 0

深入解析 onsemi NTHL045N065SC1 SiC MOSFET

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來詳細(xì)解析 onsemi 的 NTHL045N065S...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 477 0

探索NCV7546：FLEXMOS可編程半橋MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器的卓越性能

在電子工程領(lǐng)域，高效且可靠的MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器對(duì)于各類應(yīng)用至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的NCV7546，一款屬于FL...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET 可編程半橋 492 0

Onsemi NTMFS3D2N10MD N溝道功率MOSFET深度解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們來詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實(shí)...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET N溝道功率MOSFET 435 0

Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應(yīng)用指南

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為工程師們的首選。今天我們就來詳細(xì)剖析Onsemi的一款650V、44毫歐的N溝道碳化...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 195 0

onsemi NTH4L060N065SC1 SiC MOSFET深度解析

在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET一直是電源設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元件。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美（onsemi）的NTH4L060N065SC1，一款650V...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率MOSFET 202 0

解讀 ON Semiconductor 的 NCV68261：理想二極管與高端開關(guān) NMOS 控制器

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的器件來實(shí)現(xiàn)電源整流、極性保護(hù)和開關(guān)控制等功能至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 ON Semiconductor 的...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET NMOS N溝道 169 0

探索 onsemi NXH010P120MNF1 SiC MOSFET 模塊：性能與應(yīng)用的深度剖析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 以其卓越的性能正逐漸成為行業(yè)的主流選擇。onsemi 的 NXH010P120MNF1 系列 SiC MO...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 165 0

onsemi碳化硅MOSFET NTBG060N065SC1：性能與應(yīng)用全解析

在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率器件對(duì)于電路設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）的碳化硅（SiC）MOSFET—...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件碳化硅 212 0

探索 onsemi NTHL015N065SC1 SiC MOSFET 的卓越性能

在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)的效率和穩(wěn)定性起著關(guān)鍵作用。今天，我們來深入了解 onsemi 推出的 NTHL015N065SC1 Si...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC N溝道 232 0

構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能變流器（Grid-Forming PCS）技術(shù)路線演進(jìn)

隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化加速轉(zhuǎn)型，電力系統(tǒng)正經(jīng)歷著百年來最深刻的變革。傳統(tǒng)的以同步發(fā)電機(jī)為主導(dǎo)的電力系統(tǒng)，依賴于其巨大的旋轉(zhuǎn)機(jī)械慣量來維持電網(wǎng)頻率和電壓...

2025-12-11 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 PCS 596 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
海思

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STM32F103C8T6

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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn)，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計(jì)算機(jī)市場(chǎng)行情；制定計(jì)算機(jī)組裝計(jì)劃；能夠選購(gòu)組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備；安裝和配置計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計(jì)算機(jī)軟硬件故障。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上最為普遍，目前已有不少?gòu)S商推出了UHD超高清電視。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識(shí)，它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識(shí)吧！
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia

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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
四軸飛行器

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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
基站測(cè)試

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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
TMS320F28335

TMS320F28335

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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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