完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > n溝道
MOS管的的三個(gè)極,中間的電極為G極,兩根線相交的極就是S極。而單獨(dú)引線的就是D極,接著判斷N溝道,由S極指向D極的為N溝道,接著判斷P溝道,由D極指向S極為P溝道。
文章:170個(gè) 瀏覽:19902次 帖子:18個(gè)
?NVMFWS0D45N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NVMFWS0D45N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET,采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、469A連續(xù)...
onsemi NVMFWS1D7N04XM功率MOSFET技術(shù)深度解析
安森美NVMFWS1D7N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET,采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、154A連續(xù)漏...
NVMFS4C03N 功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NVMFS4C03NWFET1G單N溝道功率MOSFET是一種高效設(shè)備,設(shè)計(jì)用于要求嚴(yán)格的電源管理應(yīng)用程序。NVMFS4C03...
?NTK3134N MOSFET:專為緊湊型便攜設(shè)備設(shè)計(jì)的高效功率開關(guān)解決方案
安森美 (onsemi) NTK3134N單N溝道功率MOSFET具有ESD保護(hù)功能,是優(yōu)化用于高效開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的強(qiáng)大MOSFET。安森美 (onsem...
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場截止VII IGBT數(shù)據(jù)手冊
安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場截止VII IGBT采用新型第七代場截止IGBT技術(shù)和第七代二極管,封裝形式為...
?AFGBG70T65SQDC IGBT功率器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC N溝道場截止IV高速IGBT采用新型場截止第四代IGBT技術(shù)和第1.5代SiC肖特基二極管技術(shù)。...
?深入解析安森美NVNJWS200N031L功率MOSFET:高性能負(fù)載開關(guān)與DC-DC轉(zhuǎn)換解決方案
安森美 (onsemi) NVNJWS200N031L單通道N溝道功率MOSFET的漏極-源極擊穿電壓 [V ~(BR)DSS~ ] 為30V(最小值)...
?基于NVMFS5830NL功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NVMFS5830NL單N溝道功率MOSFET是一款高效的功率MOSFET,專為高要求電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。安森美 (onsem...
?NVD5867NL 單N溝道功率MOSFET技術(shù)詳解
安森美 (onsemi) NVD5867NL單N通道功率MOSFET的漏源電壓為60V,最大漏源導(dǎo)通電阻為39mΩ。該N通道MOSFET的R ~DS(o...
Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析:性能優(yōu)勢與應(yīng)用實(shí)踐
Vishay SiRS5700DP N溝道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET,具有非常低的R~DS~ x Q...
基于Vishay SiJK140E MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V(D-S)MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了...
Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH48...
基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET,具有100V漏源電壓。該...
STMicroelectronics AEK-MOT-3P9908M無刷電機(jī)評估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics AEK-MOT-3P9908M評估板基于SPC560P Pictus 32位MCU和L9908柵極驅(qū)動(dòng)器,可控制6...
ST L9908:面向高可靠性汽車應(yīng)用的三相電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
STMicroelectronics L9908車用三相電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器單元 (GDU) 設(shè)計(jì)用于控制汽車應(yīng)用中的無刷電機(jī)的6個(gè)N溝道FET。三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)...
2025-10-31 標(biāo)簽:三相電機(jī)N溝道柵極驅(qū)動(dòng)器 471 0
?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完...
STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導(dǎo)體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù),具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。 STL325N4LF8AG可確保非...
?STMicroelectronics STP80N450K6:800V MDmesh K6功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N溝道功率MOSFET是一款采用終極MDmesh K6技術(shù)設(shè)計(jì)的極高壓N溝道功率...
L99H92:面向汽車電機(jī)控制的高集成度半橋前置驅(qū)動(dòng)器
STMicroelectronics L99H92汽車半橋前置驅(qū)動(dòng)器以單H橋或雙獨(dú)立半橋配置驅(qū)動(dòng)四個(gè)外部N溝道MOSFET晶體管,用于汽車應(yīng)用中的DC電...
2025-10-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器晶體管 539 0
?STD80N450K6功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET,具有...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |