大數(shù)據(jù)分析，半導(dǎo)體技術(shù)必不可少?

進(jìn)行大數(shù)據(jù)分析時(shí)，半導(dǎo)體技術(shù)是必不可少的。雖然存儲(chǔ)器本身的技術(shù)開發(fā)也很重要，但對(duì)于大數(shù)據(jù)分析，使存儲(chǔ)器物盡其用的控制器和中間件的技術(shù)似乎更加重要。

2013-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存DRAM 1.9k 0

誰(shuí)在引領(lǐng)存儲(chǔ)器需求？NOR和DRAM困擾何在？

這兩年，移動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自手機(jī)、平板等移動(dòng)終端，NAND與NOR閃存市場(chǎng)格局變化迅速，越來(lái)越先進(jìn)的手機(jī)扮演主導(dǎo)角色，左右著該產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)，并...

2012-12-25 標(biāo)簽：閃存NANDNOR 1.3k 0

美光深陷泥潭 NAND閃存真成救命稻草？

DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個(gè)季度的虧損，3年來(lái)收入達(dá)到最低點(diǎn)。這個(gè)情況還將持續(xù)多長(zhǎng)時(shí)間?

2012-12-23 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1.4k 0

2013年全球半導(dǎo)體較2012年成長(zhǎng)4.5%

Gartner發(fā)布預(yù)測(cè)，2013年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)估達(dá)3，110億美元，較2012年成長(zhǎng)4.5%。Gartner上季塬預(yù)測(cè)明年半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)3，300億...

2012-12-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1k 0

熱能的應(yīng)用 大幅度延長(zhǎng)閃存壽命周期

現(xiàn)在已經(jīng)有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時(shí)間比現(xiàn)在更長(zhǎng)。延長(zhǎng) NAND 閃存壽命的關(guān)鍵是熱能的應(yīng)用。

2012-12-03 標(biāo)簽：閃存NAND熱能 1k 0

今年全球晶圓設(shè)備支出衰退13.3% 估2014年恢復(fù)成長(zhǎng)

研究暨顧問機(jī)構(gòu)發(fā)布最新預(yù)測(cè)，預(yù)估今年全球晶圓設(shè)備（WFE）支出金額總計(jì)達(dá)314億美元，較2011年362億美元下滑13.3%，預(yù)期2014年才可重回正成長(zhǎng)。

2012-10-16 標(biāo)簽：NAND晶圓晶圓制造 881 0

三星打破行業(yè)極限 推出128GB NAND存儲(chǔ)芯片

云端的存儲(chǔ)解決方案并不是適用于所有的移動(dòng)平臺(tái)用戶。最近，三星打破了目前市場(chǎng)上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲(chǔ)芯片。

2012-09-21 標(biāo)簽：嵌入式NAND三星電子 1.3k 0

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)5年復(fù)合年增長(zhǎng)率或達(dá)8%

市場(chǎng)研究公司IC Insights的最新報(bào)告顯示，在經(jīng)歷了一段時(shí)間的低迷后，全球半導(dǎo)體行業(yè)2011至2016年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到8.0%，遠(yuǎn)高于200...

2012-08-15 標(biāo)簽：NAND半導(dǎo)體市場(chǎng) 921 0

東芝計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存芯片30%

東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。

2012-07-24 標(biāo)簽：東芝NAND閃存芯片 956 0

全球NAND市場(chǎng)觀察：NAND下旬合約價(jià)續(xù)跌6－9％

　　5月下旬NANDFlash價(jià)格仍未見止跌跡象，根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)查，5月下旬合約價(jià)仍下跌6％至9％，由于總體經(jīng)濟(jì)仍舊是最大變數(shù)，加上云...

2012-06-05 標(biāo)簽：NANDNANDFlashNAND市場(chǎng) 954 0

全球IC版圖再生變數(shù)：三星投資70億美元在西安建NAND廠

　　有報(bào)道引用監(jiān)管機(jī)構(gòu)申請(qǐng)文件稱韓國(guó)電子巨頭三星電子宣布將在西安投資70億美元建一座NAND晶圓廠。

2012-04-09 標(biāo)簽：NAND三星電子 1.1k 1

十六die NAND閃存誕生:單顆容量64GB

MOSAID Technologies今天宣布，他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運(yùn)行在了一個(gè)高性能通道內(nèi)。

2012-04-06 標(biāo)簽：閃存NAND半導(dǎo)體芯片 1.7k 0

Spansion與SK海力士宣布NAND戰(zhàn)略合作

　　2012年4月5日，中國(guó)上海 –Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟，并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、...

2012-04-06 標(biāo)簽：NANDSpansionSK海力士 1.1k 0

東芝將新建NAND閃存芯片工廠

據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。

2012-04-04 標(biāo)簽：東芝NAND閃存芯片 833 0

TDK開發(fā)出eSSD系列 NAND型閃存和閃存控制器一體化

TDK株式會(huì)社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)（MCP）、把TDK SSD控制...

2012-03-23 標(biāo)簽：NANDTDK閃存控制器 1.3k 0

日本電子產(chǎn)業(yè)“震化論”：半導(dǎo)體各產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

　　2011年，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到地震與海嘯的嚴(yán)重破壞。在日本311地震一周年之際，IHS iSuppli的分析師針對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀撰寫了系列分析...

2012-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NANDMEMS 1.9k 0