報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:42
1577 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來(lái)臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151867 第六章為重用外設(shè)驅(qū)動(dòng)代碼，本文內(nèi)容為6.2 SPI NOR Flash 存儲(chǔ)器。
2017-12-21 07:59:0015838 
在有一些應(yīng)用中，我們可能需要大一些容量的存儲(chǔ)單元，而實(shí)現(xiàn)的形式多種多樣，在這一篇中我們將來(lái)討論怎么使用BY25QXXX系列NOR FLASH存儲(chǔ)器的問(wèn)題。
2022-12-07 10:07:173538 
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:185523 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:022740 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:365076 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271445 
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
技術(shù)的日趨成熟,存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)回穩(wěn).然而就DRAM市場(chǎng)來(lái)說(shuō),誰(shuí)也不知道DRAM的供貨何時(shí)才會(huì)穩(wěn)定下來(lái).再來(lái)看市場(chǎng)需求狀況,雖然有些存儲(chǔ)器市場(chǎng)分段的市場(chǎng)需求正在增長(zhǎng),但是這些分段的增長(zhǎng)幅度并不高,可見主要的問(wèn)題是來(lái)自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?！ ?、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來(lái)的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?！ ?、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來(lái)的信息不變。 可現(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中，初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開始的，但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng)，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲(chǔ)器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm
2023-04-07 16:41:05
說(shuō)明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來(lái)自AN2784應(yīng)用筆記：2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器，需要FSMC提供下述功能：●選擇合適的存儲(chǔ)塊映射NOR
2015-01-22 15:56:51
說(shuō)明的中文翻譯版中并沒(méi)有這部分的說(shuō)明，因此需要參考庫(kù)函數(shù)的相關(guān)說(shuō)明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來(lái)自AN2784應(yīng)用筆記：2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器，需要
2015-01-22 15:56:51
隨著電動(dòng)汽車技術(shù)的發(fā)展，以及***的政策鼓勵(lì)與扶持，電動(dòng)汽車（混動(dòng)+純電動(dòng)）以每年超過(guò)50%的速度高速增長(zhǎng)，電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動(dòng)汽車的核心組件，其市場(chǎng)需求也獲得相應(yīng)的快速增長(zhǎng)。本文將就電池管理系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器的需求進(jìn)行分析。
2019-07-30 06:46:09
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
如何在啟動(dòng)軟件時(shí)將信息存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中，以便在 COLD PORST 之后恢復(fù)？
2024-05-21 07:55:53
/383681#M3607我要將數(shù)據(jù)矩陣存儲(chǔ)在fpga而不是LUT的塊存儲(chǔ)器中作為內(nèi)存！因?yàn)榛谖揖帉懙拇a中的上述鏈接，它使用LUT作為內(nèi)存而不是fpga的塊內(nèi)存。所以它的容量很低.....我需要更多的空間來(lái)存儲(chǔ)像素?cái)?shù)據(jù)。能否指導(dǎo)我如何在塊存儲(chǔ)器中寫入和讀取矩陣？謝謝
2019-11-07 07:30:54
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口？怎么縮短高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)？
2021-04-29 07:00:08
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
閃速存儲(chǔ)器根據(jù)單元的連接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND幾類。NAND閃速存儲(chǔ)器單元的連接方式如圖 1 所示，NOR閃速存儲(chǔ)器
2018-04-09 09:29:07
型號(hào)：GD25Q64CSIGR
制造商：GigaDevice(兆易創(chuàng)新)
存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲(chǔ)器接口類型：SPI 存儲(chǔ)器容量：64Mb存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile
2021-12-06 16:13:41
內(nèi)建自測(cè)試是一種有效的測(cè)試存儲(chǔ)器的方法。分析了NOR型flash存儲(chǔ)器的故障模型和測(cè)試存儲(chǔ)器的測(cè)試算法，在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了flash存儲(chǔ)器的內(nèi)建自測(cè)試控制器?？刂?b class="flag-6" style="color: red">器采用了一種23
2010-07-31 17:08:54
35 市場(chǎng)需求決定創(chuàng)新技術(shù)的選擇
恒憶（Numonyx）一直引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新潮流，近日推出全新嵌入式NOR閃存芯片Axcell M29EW，和相變存儲(chǔ)器（PCM）等，將為移動(dòng)設(shè)備、家用電
2009-12-21 09:44:00831 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:031028 
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21626 旺宏電子引領(lǐng)NOR閃存器進(jìn)入串行時(shí)代
旺宏電子是全球最大的只讀存儲(chǔ)器(ROM)生產(chǎn)制造商和嵌入式市場(chǎng)全球第三大NOR閃存供應(yīng)商，提供跨越廣泛規(guī)格及
2010-04-12 09:08:371608 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:361316 FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 許多高性能儀器使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)作為本地存儲(chǔ)器，DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲(chǔ)器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模塊， 您便可自由地將此類本地存儲(chǔ)納入您
2017-11-17 17:28:151539 
將與合肥睿力12吋廠資源整合，全面對(duì)決紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)及聯(lián)電的晉華集成，借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術(shù)，爭(zhēng)奪大陸存儲(chǔ)器寶座。
2017-11-24 12:51:38668 隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)不斷演進(jìn)，芯片的晶體管的密集度屢創(chuàng)新高之際，同步也朝向更省電的發(fā)展推進(jìn)，旺宏電子（Macronix）自推出業(yè)界最快的SPI NOR Flash系列存儲(chǔ)器產(chǎn)品，以500MB/s傳輸
2018-01-02 10:06:392098 旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)
2018-02-01 05:34:011484 
NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5123827 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113863 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003740 下游需求結(jié)構(gòu)來(lái)看，手機(jī)、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲(chǔ)器芯片。主流存儲(chǔ)器市場(chǎng)以DRAM及NANDFlash為主，立基型存儲(chǔ)器則以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND
2018-07-27 17:17:372947 DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運(yùn)算平臺(tái)和應(yīng)用的越來(lái)越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲(chǔ)系統(tǒng)、超級(jí)計(jì)算機(jī)、臺(tái)式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲(chǔ)器技術(shù)
2020-05-21 07:52:007925 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013980 
盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4916884 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 隨著5G時(shí)代的逐漸逼近，物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展促進(jìn)著存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)表明，中國(guó)消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長(zhǎng)了39.56%。
2019-09-17 10:47:241330 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:012152 目前在全球的消費(fèi)電子市場(chǎng)上，存儲(chǔ)器是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲(chǔ)器細(xì)分，又可分為 DRAM、NAND Flash 與 Nor Flash 三種。
2019-11-19 10:53:081370 多款GigaDevice存儲(chǔ)器解決方案中，NOR Flash產(chǎn)品主要針對(duì)容量、封裝、安全等方面，滿足各個(gè)領(lǐng)域?qū)τ布O(shè)計(jì)的要求。GD25 SPI NOR Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品線可提供四種電壓規(guī)格、20年數(shù)據(jù)保持時(shí)間和10萬(wàn)次擦寫次數(shù)，具有高可靠性
2020-04-28 09:23:495309 的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)，并了解為什么MRAM能夠立足出來(lái)。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:161487 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的一種。說(shuō)白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對(duì)性下，動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（DRAM）里邊所存儲(chǔ)
2020-08-10 16:43:2416581 相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會(huì)存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3812674 獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲(chǔ)器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444748 
。 過(guò)去的DRAM不再用于較小的系統(tǒng)，因?yàn)樗鼈冃枰?b class="flag-6" style="color: red">DRAM控制器。SRAM進(jìn)入了內(nèi)存需求小的系統(tǒng)。DRAM進(jìn)入更大的存儲(chǔ)器，并伴隨著用于更大存儲(chǔ)器的控制器。 傳統(tǒng)存儲(chǔ)器供應(yīng)商提供可預(yù)測(cè)的價(jià)格和長(zhǎng)期客戶支持很重要，因?yàn)樾略O(shè)計(jì)仍然使用較舊的
2020-11-24 16:29:11939 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:168368 Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:014410 存儲(chǔ)器 IC 設(shè)計(jì)廠晶豪科技 （ESMT）昨日公開表示，利基型 DRAM 與 NOR Flash 均已漲價(jià)。 晶豪科技指出，利基型 DRAM 部分價(jià)格已開始調(diào)高，合約價(jià)方面則將從明年第一季起開始調(diào)漲
2020-12-08 13:43:472649 
最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:461607 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:065292 SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-10-28 09:51:2011 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053 在存儲(chǔ)器領(lǐng)域中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）是應(yīng)用最高的品類，產(chǎn)品市占率約60%；其次是NAND約占36%，NOR Flash 的份額非常小，約3%。
2022-06-17 11:02:372392 
當(dāng)前的存儲(chǔ)器技術(shù)，包括閃存（NAND 和 NOR）、DRAM 和 SRAM，在其持續(xù)改進(jìn)方面面臨潛在的技術(shù)限制。因此，人們努力開發(fā)新的存儲(chǔ)技術(shù)。這些新技術(shù)大多采用非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，可用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)或提供不通電時(shí)不丟失信息的存儲(chǔ)器。
2022-09-14 11:01:06915 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712478 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:391353 
SRAM也是易失性存儲(chǔ)器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲(chǔ)，一旦設(shè)備斷開電源，就會(huì)失去信息。
這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個(gè)晶體管組成，因此被稱為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:0111789 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:035687 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:023356 摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 隨著人們對(duì)計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器的種類也越來(lái)越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲(chǔ)器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:154718 在6月17日傳來(lái)的最新消息中，全球知名的半導(dǎo)體制造商SK海力士正積極布局，大力擴(kuò)展其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5 DRAM的市場(chǎng)需求，進(jìn)一步鞏固其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-06-17 16:50:021580 非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲(chǔ)方式： RAM存儲(chǔ)器使用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）或靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 ROM存儲(chǔ)器使用各種類型的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，如PROM
2024-08-06 09:17:482547 存儲(chǔ)器的刷新是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲(chǔ)元中的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)電荷，而電容本身存在漏電流，導(dǎo)致電荷會(huì)逐漸流失，從而使得存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)變得不可靠。為了保持
2024-09-10 14:34:223481 DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔而高效，主要由一個(gè)晶體管（MOSFET）和一個(gè)電容組成，這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256 DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多存儲(chǔ)單元組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點(diǎn)是集成度高、成本低，但讀寫速度相對(duì)較慢，并且需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113 這些觀點(diǎn)折射出存儲(chǔ)技術(shù)對(duì)國(guó)家培育新質(zhì)生產(chǎn)力的核心價(jià)值。作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的實(shí)力代表，曙光存儲(chǔ)始終堅(jiān)持自研，以先進(jìn)存力引領(lǐng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)中國(guó)產(chǎn)業(yè)數(shù)智化加速發(fā)展，并取得了三大成果。
2025-03-17 09:24:151100
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論