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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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EMI502NL16VM系列由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝，以使用戶靈活地進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該系列還支持低數(shù)據(jù)保...

2021-04-24 標(biāo)簽：芯片 sram 1.5k 0

ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM

美國ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設(shè)計(jì)開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年...

2021-04-08 標(biāo)簽：sram ISSI 2.2k 0

以STM32F407ZGT6單片機(jī)來講解一下擴(kuò)展外部SRAM

現(xiàn)在的電子系統(tǒng)應(yīng)用，對SRAM要求越來越高，單片機(jī)或ARM內(nèi)部的RAM越來越不夠用。當(dāng)電腦運(yùn)行比較卡的時(shí)候，我們可以通過給電腦加裝內(nèi)存條來改善電腦的性能...

2021-04-08 標(biāo)簽：emi sram 6k 0

簡述推動(dòng)FPGA關(guān)鍵的汽車傳動(dòng)和安全系統(tǒng)

AEC-Q100 Grade 2 和 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，即通過了一系列專為確保汽車應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的質(zhì)量、可靠性和耐久性的臨界壓力

2021-04-01 標(biāo)簽：fpga 半導(dǎo)體 sram 1.7k 0

英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。

2021-04-01 標(biāo)簽：英飛凌存儲(chǔ)器 sram 3.1k 0

淺談IntrinsicID提出的不需要存儲(chǔ)密鑰就能保護(hù)數(shù)據(jù)的方法

數(shù)據(jù)保護(hù)現(xiàn)在已經(jīng)成了幾乎每個(gè)人都在考慮的問題。新聞上也每隔一段時(shí)間就會(huì)出現(xiàn)黑客、入侵或網(wǎng)絡(luò)恐怖主義的故事。越來越多地依賴云計(jì)算、超連接設(shè)備以及AI輔助硬...

2021-03-26 標(biāo)簽：sram IP安全數(shù)據(jù)安全 2.8k 0

一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案

最近的ISSCC上，臺(tái)積電的研究人員提出了一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案，能支持更大的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。上圖顯示了臺(tái)積電用于其測試的擴(kuò)展SRAM陣...

2021-04-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram 1.7k 0

國產(chǎn)并口PSRAM存儲(chǔ)芯片EMI164NA16LM的功能描述

EMI164NA16LM該設(shè)備是一個(gè)集成的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中包含64Mbit靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨(dú)的電...

2021-03-18 標(biāo)簽：sram 存儲(chǔ)芯片 2.8k 0

國產(chǎn)串行SRAM存儲(chǔ)芯片EMI7008LSMI的介紹

EMI7008LSMI該器件是8Mb串行訪問的SRAM存儲(chǔ)芯片，內(nèi)部組織為1024K字，每個(gè)8位。該器件采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速...

2021-03-18 標(biāo)簽：芯片 sram 2.4k 0

關(guān)于IS61WV204816ALL高速異步SRAM

ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位靜態(tài)RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠...

2021-03-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.3k 0

關(guān)于VTI7064 64Mbit串行SRAM的接口說明

VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配...

2021-03-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.1k 0

物聯(lián)網(wǎng)中常用的ota升級(jí)方案

這樣可以解決一個(gè)問題，當(dāng)模塊升級(jí)后連接不了網(wǎng)絡(luò)的問題。如果連接網(wǎng)絡(luò)失敗，可以將失敗的原因放到備份SRAM中，多次連接不上，BOOT檢測到這個(gè)現(xiàn)象，可以跳...

2021-03-09 標(biāo)簽：sram 物聯(lián)網(wǎng)OTA 3.9k 0

SRAM是什么，它的應(yīng)用優(yōu)勢是什么

隨著信息時(shí)代的到來，海量信息存儲(chǔ)、傳播和交流正在深刻改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)生活方式，然而信息技術(shù)在追求高性能、高速度的同時(shí)，必須重視國家信息安全和個(gè)人隱私安全。...

2021-03-03 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 7.3k 0

XRAM是一種新的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，它有哪些特點(diǎn)

XRAM是一種新的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，旨在以具有競爭力的價(jià)格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)，顯著提高了存儲(chǔ)器密度，...

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PSRAM它具有類SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實(shí)現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新...

2021-01-20 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram 2.7k 0

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2021-01-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.5k 0

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲(chǔ)器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲(chǔ)器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EE...

2021-01-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.4k 0

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