派更半導體公司推出的UltraCMOS? SP6T、SP8T和SP12T開關專為新一代測試與測量設備打造，可提供業(yè)界領先的高性能與靈活性

RF SOI（射頻絕緣體上硅）的發(fā)明者及先進射頻解決方案的先驅派更（Peregrine）半導體公司推出UltraCMOS? PE42562、PE42582和PE42512高擲數(shù)射頻開關。經(jīng)過優(yōu)化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式開關旨在滿足下一代測試和測量儀器的需求，寬頻范圍可達9kHz~8GHz，并配有一個用于清除雜散的外部Vss引腳。派更半導體推出的全新高擲數(shù)射頻開關具有低插入損耗、高隔離度、一流線性度，及快速開關時間與安定時間等特征，擁有業(yè)內領先的高擲數(shù)配置性能規(guī)格與靈活性。UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512是濾波器組切換及信號發(fā)射/接收（T/R）路徑切換等測試與測量應用程序的理想選擇。

派更半導體公司全球銷售副總裁Colin Hunt表示：“派更半導體推出的全新SP6T、SP8T和SP12T開關實現(xiàn)了無可比擬的高擲數(shù)配置靈活性與高性能。基于較寬的頻段范圍及外接VSS腳，我們的團隊對PE42562、PE42582和PE42512進行了優(yōu)化，使其能夠滿足測試與測量市場的獨特需求。測試與測量工程師們可借助這些高擲數(shù)開關，使自己的設計兼具高性能、可靠性與靈活性?！?/p>

這些高擲數(shù)開關產品具有一種先進的功能，即鏡像端口選擇功能，可通過單一控制總線實現(xiàn)射頻路徑同步選擇。在雙開關配置中，可使用兩只高擲數(shù)開關，而無需使用多只單刀雙擲（SPDT）開關。只需將一只開關的邏輯選擇（LS）腳接地，第二只開關的LS腳“留空”，即可激活鏡像端口選擇功能。這一簡化布局（一個邏輯控制信號同時發(fā)送至兩只開關）可大大節(jié)省電路板空間和布局時間。了解鏡像端口選擇功能的更多信息，請登陸派更半導體公司網(wǎng)站下載“應用說明68：雙開關配置中的同步路徑選擇”（Application Note 68： Simultaneous Path Selection in a Dual-switch Configuration）。

產品特性、封裝、價格及供貨

UltraCMOS PE42562（SP6T）、PE42582（SP8T）及PE42512（SP12T）開關適用于測試與測量應用程序，可覆蓋9 kHz至8 GHz的頻段范圍。這些吸收性開關配有一個用于清除雜散的外部Vss引腳。這些高度靈活的開關在整個頻段范圍內都具有極高的端口間隔離度及較低的插入損耗。每只高擲數(shù)開關的高線性度可達60 dBm IIP3，連續(xù)波（CW）功率處理能力高達33 dBm，快速開關時間僅為200納秒以內，并可實現(xiàn)快速的安定時間。

PE42562和PE42582均采用24引腳4x4 mm QFN封裝，PE42512則采用32引腳5x5 mm QFN封裝。樣片與評估工具現(xiàn)已上市，量產零件將于3月底上市。訂購1萬片的價格為每只PE42562（SP6T）開關4.99美元，每只PE42582（SP8T）開關5.87美元，每只PE42512（SP12T）開關10.28美元。

除這三種高擲數(shù)開關外，派更半導體還推出用于無線基礎設施和目錄市場以及擴展溫度范圍應用程序的具有卓越性能的高擲數(shù)射頻開關。請訪問派更半導體網(wǎng)站的新聞網(wǎng)頁（http://www.psemi.com/newsroom）閱讀相關新聞稿，并獲取有關產品的視頻與影像。

關于派更半導體

派更半導體公司隸屬于村田制作所旗下，是射頻SOI（絕緣體上硅）技術的創(chuàng)始人，也是領先的高性能射頻集成解決方案的無晶圓廠供應商。自1988年以來，派更及其創(chuàng)始團隊始終致力于完善UltraCMOS?技術。UltraCMOS?技術是派更半導體在SOI領域內擁有專利權的先進技術，可提供解決射頻市場最大挑戰(zhàn)所需的性能，如線性度。通過提供具有最佳性能的單片集成方案，派更半導體公司的產品已成為汽車、寬帶、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、移動設備、智能手機、空間技術、測試和測量設備及無線基礎設施等市場領軍者值得信賴的不二選擇。派更半導體于2014年12月正式成為村田制作所旗下一員。截至目前，派更半導體擁有300多項專利和正在審批的專利，并已向市場交付35億個UltraCMOS。欲了解更多信息，敬請訪問http://www.psemi.com。