超級電容器具有極高的功率密度，能快速充放電，適用于需要高功率場景，如電動車、智能電網(wǎng)等。
2026-01-01 09:31:00
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燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01110 Neway電機(jī)方案的小型化設(shè)計(jì)Neway電機(jī)方案的小型化設(shè)計(jì)通過核心器件創(chuàng)新、電路優(yōu)化、封裝革新及散熱強(qiáng)化，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、功率密度提升至120W/in3的突破，具體設(shè)計(jì)要點(diǎn)如下：一、核心器件
2025-12-17 09:35:07
在全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與電氣化浪潮的推動下，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心樞紐，其技術(shù)迭代速度正以前所未有的態(tài)勢加速。硅（Si）材料在接近其物理極限的背景下，以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體憑借高臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高電子飽和漂移速度，成為了高壓、高頻、高功率密度應(yīng)用的首選。
2025-12-10 17:06:27557 
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)的宏大敘事中，功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率的提升始終是推動產(chǎn)業(yè)變革的主軸。這一進(jìn)程目前正處于一個關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，其核心動力來自于半導(dǎo)體材料科學(xué)的突破與磁性元件技術(shù)的演進(jìn)。
2025-12-10 17:05:19477 
我們在設(shè)計(jì) 11kW、800V平臺OBC 時，為實(shí)現(xiàn) 4kW/L 的高功率密度目標(biāo)，發(fā)現(xiàn) 傳統(tǒng)牛角電容體積過大 導(dǎo)致布局困難，請問 永銘LKD系列 是否有滿足 高耐壓 且 體積小 的解決方案？
2025-12-02 09:24:46
本土的氮化鎵（GaN）技術(shù)研發(fā)、設(shè)計(jì)與制造能力。雙方將攜手開發(fā)并交付面向高功率市場關(guān)鍵應(yīng)用的先進(jìn)解決方案，滿足AI數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電氣化等領(lǐng)域?qū)Ω咝屎透?b class="flag-6" style="color: red">功率密度的迫切需求。
2025-11-27 14:30:202043 導(dǎo)語：?隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的普及，功率模塊的功率密度和開關(guān)頻率不斷提升，對溫度監(jiān)測的實(shí)時性和準(zhǔn)確性提出了極致要求。然而，許多工程師發(fā)現(xiàn)，系統(tǒng)過熱保護(hù)總是“慢半拍
2025-11-26 14:39:34161 
隨著新能源汽車、光伏儲能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314 
下，電源轉(zhuǎn)換器需實(shí)現(xiàn)更高功率密度；二是第三代寬禁帶半導(dǎo)體的普及，雖通過極低開關(guān)損耗支撐了 MHz 級高頻運(yùn)行，卻帶來更復(fù)雜的控制邏輯與更快的實(shí)時計(jì)算需求；三是高頻開關(guān)與寬禁帶器件導(dǎo)致 dv/dt 數(shù)量級提升，電磁干擾（EMI）強(qiáng)度激增，對控制器的抗干擾
2025-11-14 09:15:092079 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢
2025-11-11 13:31:171556 
在電子設(shè)備小型化與高功率密度需求日益凸顯的今天，功率器件的封裝與性能平衡成為行業(yè)技術(shù)突破的核心痛點(diǎn)。江西薩瑞微電子作為國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)，推出的P6SMFTHE系列產(chǎn)品，以"
2025-11-11 10:00:05338 
自開關(guān)電源誕生以來，功率密度的提升一直是開關(guān)電源設(shè)備不斷演進(jìn)的方向之一。
2025-11-07 15:56:231054 
公斤的電機(jī)實(shí)現(xiàn) 750kW（超 1000 馬力）短期峰值功率，功率密度達(dá) 59kW/kg，較今夏初 13.1 公斤版本的 42kW/kg 提升 40%。 ? 圖源:YASA ? 同時YASA預(yù)計(jì)，該
2025-11-03 03:45:008931 
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 近日，工業(yè)和信息化部正式公布第七批國家級專精特新“小巨人”企業(yè)名單， 華大半導(dǎo)體旗下飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的突出技術(shù)創(chuàng)新能力、深厚產(chǎn)業(yè)積累與廣闊市場前景成功入選
2025-10-27 15:44:58460 到元件制作的技術(shù)與應(yīng)用均已突破，散熱及封裝型式問題仍導(dǎo)致應(yīng)用效果遠(yuǎn)不符產(chǎn)業(yè)期待，成長性大打折扣。 智威科技董事長鐘鵬宇說，透過材料與制程創(chuàng)新，以系統(tǒng)性思維打造功率半導(dǎo)體新封裝技術(shù)平臺。(圖片來源:智威科技) 尤其GaN功率元件，因材料散熱系數(shù)較差及結(jié)構(gòu)因素，雖具
2025-10-26 17:36:53988 
隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
場景提供高性價比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 17:24:133873 
半導(dǎo)體封裝形式介紹 摘 要 ：半導(dǎo)體器件有許多封裝型式，從 DIP 、SOP 、QFP 、PGA 、BGA 到 CSP 再到 SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，這些都是前人根據(jù)當(dāng)時的組裝技術(shù)和市場需求
2025-10-21 16:56:30862 
在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，SiC（碳化硅）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢，在新能源汽車、儲能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件，不僅提升了系統(tǒng)的功率密度和能效，還降低了損耗
2025-10-21 16:49:411167 與電流路徑解耦"的核心設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級，標(biāo)志著我國在高功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域成功躋身國際先進(jìn)行列！ TOLT-16封裝圖 ?創(chuàng)新封裝，破解高功率散熱難題 VBGQTA1101采用的TOLT封裝，通過將散熱路徑與電流傳輸路徑分離，徹底解決了傳統(tǒng)封裝中熱管理與
2025-10-11 19:43:0019690 
MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無源元件體積與開關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:03
37 器件都承載著巨大的科技使命，它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障，而半導(dǎo)體分立器件測試設(shè)備正是守護(hù)這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器，為半導(dǎo)體制造企業(yè)及應(yīng)用終端行業(yè)為半導(dǎo)體核心功率轉(zhuǎn)換元件
2025-10-10 10:35:17
為核心，小尺寸也能扛大電流，特別適合空間緊張的電子設(shè)備 。 LRP系列技術(shù)核心解析： 普通貼片電阻功率小，而光頡的LRP系列電阻在1206封裝尺寸下可以實(shí)現(xiàn)1W功率承載，2512封裝更可達(dá)3W，功率密度遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品，顯著優(yōu)化PCB空間利用率。其阻值覆
2025-09-24 16:48:39609 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:332066 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
、更優(yōu)的能耗比與性能表現(xiàn)，還可將芯片厚度做得更薄，同時支持多芯片集成、異質(zhì)集成及芯片間高速互聯(lián)，完美適配當(dāng)下半導(dǎo)體器件對高密度、高速度、低功耗的需求。在先進(jìn)封裝的技
2025-09-18 15:01:322663 
%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計(jì)好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細(xì)
2025-09-15 14:50:58
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度調(diào)整與技術(shù)革新的關(guān)鍵時期，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政策支持與市場需求的雙重驅(qū)動下，加速向自主可控方向邁進(jìn)。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈后道核心環(huán)節(jié)的封裝測試領(lǐng)域，其技術(shù)水平直接影響芯片
2025-09-11 11:06:01752 
加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021598 
8月26日，elexcon2025-第22屆深圳國際電子展正式拉開帷幕。為了表彰在“AI與雙碳”雙線技術(shù)創(chuàng)新的優(yōu)秀企業(yè)，elexcon聯(lián)手電子發(fā)燒友網(wǎng)現(xiàn)場頒發(fā)“2025半導(dǎo)體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎”，MPS新一代超高功率密度 AI 電源模塊MPC24380斬獲”年度優(yōu)秀AI芯片獎“。
2025-08-29 11:37:102128 
在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級封裝加速分化之際，芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓隹绮牧?工藝-封裝-系統(tǒng)的革命：銅-釕-鉬多元金屬化
2025-08-25 11:30:581453 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，芯片制造技術(shù)不斷向著更高的集成度、更小的尺寸和更高的性能邁進(jìn)。在這一過程中，封裝技術(shù)的創(chuàng)新成為了推動芯片性能提升的關(guān)鍵因素之一。TGV（玻璃通孔）技術(shù)作為一種新興的封裝技術(shù)
2025-08-13 17:20:141570 
的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091506 半導(dǎo)體傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝的分類及特點(diǎn)
2025-07-30 11:50:181057 
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
專注于提供突破性效率的無晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，宣布與Mouser電子簽署全球 銷 售 協(xié)議。該協(xié)議涉及iDEAL基于其創(chuàng)新、專利、最先進(jìn)的SuperQ技術(shù)的功率元件。 ? SuperQ與傳統(tǒng) Super
2025-07-28 16:18:19880 深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-07-18 14:40:16941 近日，安世半導(dǎo)體在線研討會聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應(yīng)用，深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流密度高且 SOA 性能出色的CCPAK1212 MOSFET，如何滿足下一代工業(yè)應(yīng)用的高功率需求。
2025-07-18 10:15:52887 目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外，書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。
本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36
在通信與工業(yè)控制領(lǐng)域，穩(wěn)定、高效的電源是保障系統(tǒng)可靠運(yùn)行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借高功率密度、智能數(shù)字化控制及多重安全防護(hù)，成為通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及機(jī)器人等領(lǐng)域的理想選擇。
2025-07-10 17:30:42880 
在科技飛速發(fā)展的今天，每一次電子設(shè)備性能的躍升，都離不開半導(dǎo)體技術(shù)的突破。仁懋電子推出的TOLT封裝產(chǎn)品，以顛覆傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)和卓越性能，成為大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的“破局者”，為工業(yè)、新能源、消費(fèi)等多個領(lǐng)域
2025-07-02 17:49:082033 
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型，碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性，正成為下一代電驅(qū)動系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下，2025年1月，在上海正式設(shè)立碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)與測試實(shí)驗(yàn)室，旨在面向本土市場，提供領(lǐng)先的碳化硅產(chǎn)品研發(fā)、測試及驗(yàn)證能力，助力客戶高性能電驅(qū)產(chǎn)品落地。
2025-06-27 11:09:561064 ，半導(dǎo)體溫控技術(shù)背后的運(yùn)作邏輯是什么？相比其他溫控方式，它又具備哪些獨(dú)特之處？
半導(dǎo)體溫控的核心原理基于帕爾貼效應(yīng)。當(dāng)直流電通過由兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)構(gòu)成的電偶時，電偶兩端會分別產(chǎn)生吸熱和放熱現(xiàn)象。通過
2025-06-25 14:44:54
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460 
專為高功率密度應(yīng)用而設(shè)計(jì)的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝，采用創(chuàng)新的柵極中置布局技術(shù)，可大幅簡化 PCB 走線設(shè)計(jì)。 日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商
2025-06-18 15:18:491438 
當(dāng)工業(yè)電源、儲能設(shè)備、新能源交通等領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度的需求突破極限，傳統(tǒng)MOSFET封裝技術(shù)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。廣東仁懋電子推出的TOLT頂部散熱封裝MOS，以顛覆性的散熱設(shè)計(jì)與功率承載能力，成為
2025-06-18 13:27:371676 
一、新能源汽車高功率密度電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢開發(fā)超高功率密度電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的驅(qū)動力在于：相同體積或質(zhì)量下，輸出功率更大，超車加速能力和高速持續(xù)行駛能力更強(qiáng)，獲得優(yōu)異的動力性能和駕駛體驗(yàn)；相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10949 。在全球半導(dǎo)體競爭加劇的浪潮中，芯矽科技使命在肩。一方面持續(xù)加大研發(fā)投入，探索新技術(shù)、新工藝，提升設(shè)備性能，向國際先進(jìn)水平看齊；另一方面，積極攜手上下游企業(yè)，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新生態(tài)，共破技術(shù)瓶頸，推動
2025-06-05 15:31:42
隨著功率半導(dǎo)體器件在新能源、電動汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其可靠性問題日益受到關(guān)注。塑料封裝作為功率器件的主要封裝形式，因其非氣密性特性，在濕熱環(huán)境下容易出現(xiàn)分層失效，嚴(yán)重影響器件性能和壽命
2025-06-05 10:15:45738 
可靠性分析中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。 隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)向高密度、微型化發(fā)展，BGA器件的焊接質(zhì)量直接影響產(chǎn)品的電氣性能和長期可靠性。傳統(tǒng)目檢、X-ray檢測等方法難以全面評估焊接界面的微觀缺陷，而紅墨水試驗(yàn)通過染色滲透技術(shù)，可精準(zhǔn)識
2025-06-04 10:49:34947 
近日，納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì)，可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機(jī)架。
2025-05-27 16:35:011288 漢思膠水在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用概覽漢思膠水在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢和市場價值，其產(chǎn)品體系覆蓋底部填充、固晶粘接、圍壩填充、芯片包封等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，并通過材料創(chuàng)新與工藝適配性設(shè)計(jì)，為
2025-05-23 10:46:58850 
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
近日，上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項(xiàng)目的環(huán)境影響評價(環(huán)評)公告。該項(xiàng)目的總投資額達(dá)到3.1億元人民幣，計(jì)劃選址于無錫分公司，旨在進(jìn)一步提升其生
2025-04-21 11:57:13785 
日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市場的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族， 集成了控制、驅(qū)動、感測以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:264296 
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測試封裝，一目了然。 全書共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段
2025-04-09 15:02:01
本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇，并對未來發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，在新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮
2025-04-09 13:35:401445 
，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產(chǎn)品，并配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的管理能力與納微對系統(tǒng)應(yīng)用的深刻理解，加速在AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲能、充電樁和電動汽車商業(yè)化布局。作為戰(zhàn)略合作的重要組成部分，兆易創(chuàng)新還將與納微半導(dǎo)體攜手共建聯(lián)合
2025-04-09 09:30:43736 
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢整合，打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885 
本文聚焦于先進(jìn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在移動應(yīng)用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331493 
逆變器，各式各樣的應(yīng)用場景使得儲能在我們生活中無處不在。說回LLC變換器，隨著功率密度的提升，變換器的頻率和體積在不斷的被壓縮。為了實(shí)現(xiàn)高的功率密度，諧振頻率被提到了兆赫茲，隨著帶來了新的問題，如驅(qū)動
2025-03-27 13:57:27
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和功能，能實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換、低能耗和高功率密度，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、通信等多個領(lǐng)域，極大地推動了電子產(chǎn)品的升級和工業(yè)設(shè)備性能的提升。
2025-03-24 11:37:571472 
【2025年3月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模塊，該模塊將在實(shí)現(xiàn)AI
2025-03-19 16:53:22735 
及高效率需求的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。CAB450M12XM3在電動汽車充電站、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及牽引驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。
主要特性
極致功率密度：得益于SiC技術(shù)
2025-03-17 09:59:21
下一代GaNSense?技術(shù)為AI數(shù)據(jù)中心、電信、工業(yè)設(shè)備提升8倍功率 下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體宣布其搭載GaNSense?技術(shù)的GaNFast
2025-03-12 11:02:36726 
虛擬測試與實(shí)物驗(yàn)證的深度融合，而寬禁帶半導(dǎo)體材料的普及有望將功率密度提升至50kW/U的新高度。這些技術(shù)突破將持續(xù)賦能新能源汽車產(chǎn)業(yè)，為充電基礎(chǔ)設(shè)施的可靠性提供堅(jiān)實(shí)保障。
2025-03-05 16:18:51
高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展，同時也給失效分析過程帶來新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬微小的高密度封裝分析需求，需要針對具體分析對象對分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。
2025-03-05 11:07:531288 
半導(dǎo)體激光器陣列的應(yīng)用已基本覆蓋了整個光電子領(lǐng)域，成為當(dāng)今光電子科學(xué)的重要技術(shù)。本文介紹了半導(dǎo)體激光器陣列的發(fā)展及其應(yīng)用，著重闡述了半導(dǎo)體激光器陣列的封裝技術(shù)——熱沉材料的選擇及其結(jié)構(gòu)優(yōu)化、熱沉與半導(dǎo)體激光器陣列之間的焊接技術(shù)、半導(dǎo)體激光器陣列的冷卻技術(shù)、與光纖的耦合技術(shù)等。
2025-03-03 14:56:191800 
近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172 法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：1.電子設(shè)備：法拉電容可用于移動設(shè)備、電子手表、智能手機(jī)等電子產(chǎn)品中，用于儲存短時間內(nèi)需要大量能量供應(yīng)的場景，如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:531028 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491181 GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案，預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 獲悉，根據(jù)瑞豐光電，在傳統(tǒng)LED照明領(lǐng)域，散熱問題一直是制約性能提升的關(guān)鍵因素。特別是隨著LED技術(shù)向高光效、高功率方向的快速發(fā)展，高功率LED封裝技術(shù)因其結(jié)構(gòu)和工藝的復(fù)雜性，對LED的性能、壽命
2025-02-20 10:50:25790 
請問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少？如何查看？
2025-02-20 07:49:07
的應(yīng)用開拓了更多可能性。 金剛石基板工藝是瑞豐光電此次創(chuàng)新的核心所在。該工藝?yán)媒饎偸淖吭綗釋?dǎo)性能，有效提升了封裝產(chǎn)品的散熱效率，從而實(shí)現(xiàn)了更高功率密度的封裝。這一技術(shù)突破使得瑞豐光電的大功率封裝新品在性能上遠(yuǎn)
2025-02-19 14:44:211078 在傳統(tǒng)LED照明領(lǐng)域，散熱問題一直是制約性能提升的關(guān)鍵因素。特別是隨著LED技術(shù)向高光效、高功率方向的快速發(fā)展，高功率LED封裝技術(shù)因其結(jié)構(gòu)和工藝的復(fù)雜性，對LED的性能、壽命產(chǎn)生直接影響。而高功率LED在復(fù)雜應(yīng)用場景中，因散熱不良導(dǎo)致的光衰加劇、穩(wěn)定性下降等成為行業(yè)亟待解決的難題。
2025-02-19 11:39:161109 在半導(dǎo)體行業(yè)中，封裝技術(shù)對于功率芯片的性能發(fā)揮起著至關(guān)重要的作用。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，特別是在大功率場合下，傳統(tǒng)的封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足日益增長的性能需求。因此，Cu Clip封裝技術(shù)作為一種新興
2025-02-19 11:32:474753 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片粘接工藝作為微電子封裝技術(shù)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對于確保芯片與外部電路的穩(wěn)定連接、提升封裝產(chǎn)品的可靠性和性能具有至關(guān)重要的作用。芯片粘接工藝涉及多種技術(shù)和材料，其工藝參數(shù)的精確控制對于保證粘接質(zhì)量至關(guān)重要。本文將對芯片粘接工藝及其關(guān)鍵工藝參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2025-02-17 11:02:072169 
2025 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片集成度和性能要求日益提升。傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求，因此，高密度3-D封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。3-D封裝技術(shù)通過垂直堆疊多個芯片或芯片層，實(shí)現(xiàn)前所未有的集成密度和性能提升，成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。
2025-02-13 11:34:381613 
近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151133 半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過程中的一個重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 的發(fā)展戰(zhàn)略方向。具體來說，兆馳集團(tuán)將以半導(dǎo)體芯片業(yè)務(wù)為根基，進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)集群布局，重點(diǎn)打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級，為企業(yè)的長遠(yuǎn)發(fā)展注入強(qiáng)勁動力。兆馳集團(tuán)的新發(fā)展戰(zhàn)略與其過往的業(yè)務(wù)布局和技術(shù)積累一脈相承，既是對原
2025-01-23 11:49:081624 
設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低，最高工作結(jié)溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是
2025-01-13 17:36:111819 簡單易行以及無鉛監(jiān)管的要求。這些都對焊接材料和工藝提出了更高、更全面的可靠性要求。而銀燒結(jié)技術(shù)，作為一種新型的高可靠性連接技術(shù)，正在逐漸成為功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域
2025-01-08 13:06:132115 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328
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