電源、電力電子設備和新能源汽車產業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在
2026-01-05 06:38:10
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采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發(fā)的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
電子設備和新能源汽車產業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅
2026-01-04 07:36:23262 
2025ANALYTICS數(shù)據(jù)賦能AI領芯程數(shù)據(jù)智驅芯制造，績卓領航芯征程普迪飛半導體技術（上海）有限公司2025年，全球半導體產業(yè)加速邁入智能化、先進化發(fā)展新階段，普迪飛（PDFSolutions
2025-12-31 17:07:233413 
汽車產業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面
2025-12-24 06:54:12347 
傾佳電子（Changer Tech）銷售團隊培訓材料：功率半導體拓撲架構與基本半導體（BASIC Semiconductor）碳化硅器件的戰(zhàn)略應用 1. 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略背景 在“雙碳”戰(zhàn)略的宏觀驅動
2025-12-22 08:17:35170 
12月6日，亞洲電源技術發(fā)展論壇在深圳萬麗酒店隆重舉行。作為國內領先的半導體解決方案供應商，MDD辰達半導體攜旗下六大產品矩陣精彩亮相，集中展示了整流器件、小信號器件、保護器件、MOSFET、SiC、邏輯IC產品，與行業(yè)專家、合作伙伴共同探討電源技術發(fā)展趨勢與應用實踐。
2025-12-17 12:40:24342 - SPEED? Fuse L60QS系列高速圓柱形半導體熔斷器，它在保護功率半導體器件方面表現(xiàn)出色。 文件下載： Littelfuse L60QS高速半導體保險絲.pdf 產品概述 Littelfuse的QS
2025-12-15 16:30:02220 近日，安世半導體在碳化硅（SiC）功率器件領域的技術實力再次獲得行業(yè)權威認可。1200 V SiC MOSFET產品系列憑借卓越的創(chuàng)新設計與可靠性能，接連將兩項行業(yè)大獎收入囊中：一項是由國際知名媒體
2025-12-11 15:25:38331 
在電子工程領域，功率半導體器件的性能對整個系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關重要的影響。近年來，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其優(yōu)異的性能逐漸成為功率轉換應用的首選。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 NTH4L020N090SC1 碳化硅 MOSFET，看看它在實際應用中究竟有何獨特之處。
2025-12-05 10:59:10221 
在電子工程領域，功率MOSFET作為關鍵的半導體器件，廣泛應用于各類電源轉換和功率控制電路中。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的一款N溝道單通道碳化硅（SiC）功率MOSFET——NVH4L060N065SC1，它采用TO247 - 4L封裝，具備出色的性能特點，適用于汽車等多種應用場景。
2025-12-04 15:42:06429 
在汽車電子領域，隨著電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）的快速發(fā)展，對功率半導體器件的性能和可靠性提出了更高的要求。碳化硅（SiC）MOSFET憑借其優(yōu)異的性能，成為了汽車電源系統(tǒng)中的關鍵組件。今天，我們就來詳細探討一下onsemi的NVH4L095N065SC1這款N溝道碳化硅MOSFET。
2025-12-03 14:02:34357 
高壓MOSFET作為功率半導體領域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關的核心優(yōu)勢，已成為工業(yè)電源、新能源儲能、汽車電動化等場景實現(xiàn)高效能量轉換的“關鍵引擎”。意法半導體深耕高壓MOSFET技術研發(fā)，以全系列產品與創(chuàng)新方案，為多領域發(fā)展注入強勁動力。
2025-12-03 09:57:022196 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業(yè)質量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產品質量、失效分析、可靠性分析和產品基礎應用等相關知識。常言：真知不問出處，所分享的內容
2025-12-02 15:22:39873 
在電子工程領域，MOSFET 作為關鍵的功率器件，其性能直接影響著各類電源和電路的效率與穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一款由 onsemi 推出的 N 溝道屏蔽柵 PowerTrench MOSFET——NTMFS7D5N15MC，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些驚喜。
2025-12-02 14:31:27327 
傾佳電子光伏與儲能產業(yè)功率半導體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉型的深度研究報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源
2025-12-01 09:49:522168 
傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應用指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源
2025-11-24 09:00:23493 服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，分銷代理BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動
2025-11-24 04:40:521088 
在半導體設計與制造過程中，器件性能的精確測試是確保產品可靠性與一致性的關鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導體靜態(tài)電性測試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業(yè)質量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產品質量、失效分析、可靠性分析和產品基礎應用等相關知識。常言：真知不問出處，所分享的內容
2025-11-21 08:26:15328 的保障，半導體器件的測試也愈發(fā)重要。 對于半導體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過這些器件的測試有共性也有差異，因此在實際的測試時測試項目也有通用項目和特殊項目，本文將為大家整
2025-11-17 18:18:372314 
一臺半導體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測量 IV、CV、脈沖/動態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
近日，工業(yè)和信息化部正式公布第七批國家級專精特新“小巨人”企業(yè)名單， 華大半導體旗下飛锃半導體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導體材料與器件領域的突出技術創(chuàng)新能力、深厚產業(yè)積累與廣闊市場前景成功入選
2025-10-27 15:44:58460 自由空間半導體激光器半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而產生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級
2025-10-23 14:24:06
靜電在自然界中無處不在。從芯片制造、封裝測試、運輸存儲到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對芯片造成不可逆損。半導體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)代半導體器件
2025-10-22 14:33:21598 
傾佳代理的基本半導體碳化硅MOSFET分立器件產品力及應用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC
2025-10-21 10:12:15390 
行業(yè)自主可控和產業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢
2025-10-11 10:56:371137 
解決客戶實際使用痛點，開發(fā)難點，節(jié)約生產成本提高工作效率，助力行業(yè)發(fā)展。
四、半導體分立器件綜合測試系統(tǒng)BW-4022A應用領域
**芯片制造領域**
1.**晶圓測試（CP 測試
2025-10-10 10:35:17
半導體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關鍵基礎，其核心在于通過精確控制的物理化學過程去除各類污染物，同時避免對材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術要點及實現(xiàn)路徑的詳細闡述：污染物分類與對應
2025-10-09 13:40:46705 
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術認知
2025-10-08 13:12:22499 
汽車產業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)
2025-10-08 10:04:18589 
升級！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢
2025-10-02 09:29:39704 
電阻率的測試方法多樣，應根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結構）、形狀及電學特性選擇合適的測量方法。在低維半導體材料與器件的研發(fā)和生產中，電阻率作為反映材料導電性能的關鍵參數(shù)，其精確測量對器件性能
2025-09-29 13:43:16580 
電子設備和新能源汽車產業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和
2025-09-19 17:34:561103 
電子設備和新能源汽車產業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
2025-09-14 22:59:12920 
9月10日，中國集成電路產業(yè)全鏈條技術展示與交流核心平臺——SEMI-e深圳國際半導體展暨2025集成電路產業(yè)創(chuàng)新展在深圳成功召開。作為國家集成電路產業(yè)的重要組成力量，本次展覽，兆芯展示了開先、開勝
2025-09-11 10:49:281424 作為 FOSAN 富捷科技集團旗下專注半導體領域的核心企業(yè)，安徽富信半導體科技有限公司憑借豐富的半導體分立器件產品線與場景化解決方案能力，深度滲透 BMS 電池管理、儲能電源、智能裝備、消費
2025-09-08 14:45:28699 
我們知道，帶電離子穿透半導體材料的過程中，會與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運動軌跡生成電子 - 空穴對，這一物理過程正是單粒子效應的誘發(fā)根源。從作用機理來看，半導體器件及集成電路中單粒子效應的產生需經歷三個核心階段，各階段的物理行為存在顯著差異：
2025-09-08 09:48:181143 
（電容-電壓特性測試）是通過測量半導體器件在不同偏置電壓下的電容變化，分析其介電特性、摻雜濃度及界面狀態(tài)的關鍵技術。主要應用于功率器件（MOSFET/IGBT等）的寄生參數(shù)測量和材料特性研究。 二、核心測試內容 ? 關鍵參數(shù)測量 ? ?
2025-09-01 12:26:20930 當前，眾多半導體企業(yè)正推進整體流程與運營的數(shù)字化轉型。在半導體企業(yè)的所有業(yè)務環(huán)節(jié)中，制造是最關鍵且價值創(chuàng)造能力最強的流程之一。能否將制造環(huán)節(jié)與企業(yè)其他業(yè)務環(huán)節(jié)深度整合，直接決定了數(shù)字化轉型項目的成敗
2025-08-27 14:33:21706 7月26日-27日，第十九屆中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體分立器件年會在江蘇南京召開。會議期間，中國半導體行業(yè)協(xié)會正式發(fā)布了“2024年中國半導體行業(yè)功率器件十強企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191757 基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
A22-3分立半導體器件(MOS管)知識與應用專題
2025-07-30 09:57:0118519 
A22-2分立半導體器件(三極管)知識與應用專題
2025-07-30 09:55:23446 
A22-1分立半導體器件(二極管)知識與應用專題
2025-07-30 09:46:5912891 
2025 年7月25日-27日，第十九屆中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體分立器件年會暨2025年中國半導體器件技術創(chuàng)新及產業(yè)發(fā)展論壇在南京盛大啟幕。本次大會由中國半導體行業(yè)協(xié)會指導、中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體
2025-07-28 18:30:071313 半導體產業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術的發(fā)展日新月異。半導體器件從設計到生產，每個環(huán)節(jié)都對測試設備的精度、效率提出了嚴苛要求。示波器作為關鍵的測試測量儀器，在半導體器件測試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
? 半導體分立器件主要包括： ? 二極管 ?（如整流二極管、肖特基二極管） ? 三極管 ?（雙極型晶體管、場效應管） ? 晶閘管 ?（可控硅） ? 功率器件 ?（IGBT、MOSFET）? 2. ? 核心測試參數(shù) ? ? 電氣特性 ?：正向/反向電壓、漏電流、導
2025-07-22 17:46:32825 
近日，總投資超200億元的長飛先進半導體基地項目正式運營投產。該項目是目前國內規(guī)模最大的碳化硅半導體基地，年產36萬片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬輛新能源汽車制造需求，推動我國第三代半導體實現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
目錄
第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合
第3章?器件制造技術
第4章?PN結和金屬半導體結
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性，有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯(lián)系起來。
書中內容由淺入深，從半導體的性質、基本的半導體
2025-07-11 14:49:36
在科技發(fā)展日新月異的當下，溫度控制的精度與穩(wěn)定性成為眾多領域研發(fā)和生產的關鍵要素。聚焦溫度控制領域的企業(yè)研發(fā)出高精度半導體溫控產品，已在電子、通訊、汽車、航空航天等行業(yè)的溫控場景中得到應用。那么
2025-06-25 14:44:54
取代傳統(tǒng)硅基器件?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET，通過創(chuàng)新設計與先進工藝，實現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破，為下一代電力轉換系統(tǒng)樹立了新標桿。 一、核心技術亮點：重新定義功率器件性能邊界 超低導通損耗 采用銀燒結工藝強化散熱路徑，在18V驅動下實現(xiàn)10mΩ典型導通
2025-06-16 15:20:29711 
在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網飛速發(fā)展的今天，半導體光電器件是實現(xiàn)光電信號轉換與信息傳遞的核心元件，其性能優(yōu)劣直接決定設備的功能與可靠性。正因如此，半導體光電器件測試成為貫穿研發(fā)、生產與質檢全流程
2025-06-12 19:17:281516 
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領域，MOSFET的導通損耗與動態(tài)響應直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結合屏蔽柵技術，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應用領域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754 
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用 一、引言 在電力電子技術飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動高效能電力轉換的關鍵器件
2025-06-10 08:38:54829 
~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻，被全球知名云平臺企業(yè)認證為推薦器件~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1
2025-06-05 13:15:05711 
氧化物半導體 FET)主要被用于線性或開關電源應用。
他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET？
當把雙極型三極管按照比例提高到功率應用的時候，它顯露出一些惱人的局限性。確實，你仍然可以在洗衣機、空調機
2025-06-03 15:39:43
化合物半導體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎，展現(xiàn)出獨特的電學與光學特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達8500cm2/V·s，本征電阻率達10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382338 
在服務器電源、工業(yè)驅動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術，為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
型晶體管（BJT）、達林頓管等。 ?功率器件? ?MOSFET?（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）：適用于高頻開關場景。 ?IGBT?（絕緣柵雙極型晶體管）：結合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場景。 ?晶閘管（可控硅）?：包括單向/雙向可控硅（SCR/Tria
2025-05-19 15:28:061308 
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業(yè)異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
介紹的兩輪車儀表方案是無錫梓軒電子基于武漢芯源半導體 CW32L010F8P6開發(fā)，適用于小規(guī)格電動車儀表方案，實現(xiàn)車輛速度、累計里程、單次里程、模式狀態(tài)、故障狀態(tài)顯示等功能。
電動車儀表盤能夠及時
2025-05-13 14:06:45
電子束半導體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過調焦來確保電子束焦點在目標物體上。要確認是焦點的最小直徑位置非常困難，且難以測量。如果焦點是一條直線，就可以免去調焦過程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740 
4月，作為國內深耕于IGBT、MOS管的廠家代表，飛虹半導體成功參加了第104屆中國電子展（深圳）以及慕尼黑上海電子展，兩大行業(yè)盛會圓滿落幕。
2025-04-29 11:39:30881 微量摻雜元素在半導體器件的發(fā)展中起著至關重要的作用，可以精準調控半導體的電學、光學性能。對器件中微量摻雜元素的準確表征和分析是深入理解半導體器件特性、優(yōu)化器件性能的關鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對它的檢測和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531705 
日前，瑞能半導體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展（Electronica China 2025），全方位展示了在碳化硅、IGBT、MOSFET等領域的最新突破成果。本次展會
2025-04-17 19:38:50938 
IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件，具有結構簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點，被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
。 第1章 半導體產業(yè)介紹 第2章 半導體材料特性 第3章 器件技術 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導體制造中的化學品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學和缺陷檢查 第8章 工藝腔內的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
2025年慕尼黑上海電子展即將在上海新國際博覽中心隆重舉辦。2025年4月15-17日飛虹半導體攜其在大功率分立器件領域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基、三極管等系列產品亮相展會。在此誠邀各位電子領域的同行共賞盛宴，共同交流！
2025-04-14 15:49:06758 第104屆中國電子展即CITE2025即將在深圳會展中心（福田）隆重舉辦。2025年4月9-11日飛虹半導體受邀參展，攜其在大功率分立器件領域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列產品亮相展會。與參展者圍繞“科技創(chuàng)新·‘圳’在變革”的主題共襄盛典，展望電子產業(yè)的未來。
2025-04-09 16:22:41907 
兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布與納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）達成戰(zhàn)略合作伙伴關系，通過將兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優(yōu)勢整合
2025-04-09 09:30:43736 
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導體正式達成戰(zhàn)略合作！雙方將強強聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優(yōu)勢整合，打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885 
引言
隨著電力半導體器件的發(fā)展[1-2]，已經出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產品族）。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
? 欠壓鎖定? 內部熱關斷? 小尺寸封裝：SOP8, DFN2x2-8L? 這些都是 Pb-Free Devices
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率能半導體代理，支持
2025-03-17 16:10:59
SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767 AEC-Q102是汽車電子領域針對分立光電半導體元器件的應力測試標準，由汽車電子委員會（AEC）制定。該標準于2017年3月首次發(fā)布，隨后在2020年4月更新為AEC-Q102REVA版本，成為目前
2025-03-07 15:35:151610 
自適應防串通保護
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2025-03-07 09:27:56
(MOSFET)、IGBT、SCR
(4)光電耦合器
(5)MEMS
(6)聲表面波器件(SAW Device)
(7)集成電路
BW-AH-5520半導體高精度自動溫度實驗系統(tǒng)具備風冷式，水冷式，液氮制冷式冷卻方式；主要是用來對各種元器件及芯片等性能參數(shù)在全溫度范圍內、實現(xiàn)精密在線測試。
2025-03-06 10:48:56
書，深入了解 CW32 單片機的魅力，充分發(fā)揮其優(yōu)勢，開發(fā)出更多優(yōu)秀的嵌入式產品。
最后，我們要感謝每一位支持武漢芯源半導體的朋友，是你們的信任和鼓勵讓我們不斷前行。我們將一如既往地秉持創(chuàng)新、品質、服務
2025-03-03 15:14:41
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
半導體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:21
0 近年來，隨著電力電子技術的快速發(fā)展，功率半導體器件在風力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對功率半導體器件的運行可靠性構成了嚴峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導體新能源功率解決方案：從產品到應用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導體 來源：LEDinside等網絡資料 近日，兆馳集團二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會在江西隆重召開，在盛典上，兆馳集團明確了未來10到20年
2025-01-23 11:49:081624 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
砹德曼半導體長期致力于為行業(yè)客戶提供完善的性價比優(yōu)越的功率器件解決方案，規(guī)劃產品涵蓋中低壓MOS、高壓
MOS、IGBT、IPM、SiC、GaN等。產品定位于高性能的通信電源、工業(yè)電源、消費
2025-01-10 17:45:43
/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 在半導體器件的實際部署中，它們會因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此，熱測試對于驗證半導體組件的性能及評估其可靠性至關重要。然而，半導體熱測試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
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工商網監(jiān)
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