美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 碳化硅（SiC）由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今，肖特基二極管，MOSFET和JFET是市場上最受歡迎的SiC功率器件。尤其是SiC肖特基二極管
2021-03-27 12:03:226679 一提到低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，很多電子愛好者和電子工程師首先想到的是肖特基二極管。但你真的知道怎么使用肖特基二極管嗎？與其他二極管相比，肖特基二極管有什么特別的地方？這篇文章我將會為大家解決這些問題，并且詳細(xì)介紹肖特基二極管。
2023-08-10 15:36:3613645 
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432592 
近日，華潤微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品，并實現(xiàn)量產(chǎn)。其碳化硅二極管將主打充電樁、太陽能、UPS、通信和服務(wù)器電源等應(yīng)用。該產(chǎn)品的多項關(guān)鍵參數(shù)均可與國
2020-07-21 11:16:2014382 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對
2018-11-29 14:35:50
STMicroelectronics的快速碳化硅結(jié)構(gòu)肖特基二極管 STMicroelectronics碳化硅結(jié)構(gòu)肖特基二極管的開關(guān)使設(shè)計人員可以達到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
` 快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V
2019-01-08 13:56:57
。Si-SBD的特點是：正向壓降PN結(jié)二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10ns數(shù)量級；適用于低電壓（小于50V）的功率電子電路中（當(dāng)電路電壓高于100V以上時，則要選用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿?，只?.4V，反向在擊穿電壓之前不會導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進電動機驅(qū)動電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時間短的特點，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
?肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件
2021-11-16 17:02:37
肖特基二極管優(yōu)點：肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
在不同的電路部分。這是一個追求性能和用戶體驗，對成本不敏感的行業(yè)，是肖特基二極管(同時也是sic功率器件)的第1個民用下游領(lǐng)域，曾經(jīng)在早期為siC功率器件廠家提供了最初的現(xiàn)金流。由于我國缺乏高端音響制造業(yè)
2018-11-14 14:54:30
集成電路Al內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
和小信號檢測二極管。 肖特基二極管是功率整流應(yīng)用的最佳半導(dǎo)體器件，因為這些器件具有高電流密度和低正向壓降，這與普通的PN結(jié)器件不同。這些優(yōu)勢有助于降低熱量水平，減少設(shè)計中包含的散熱器數(shù)量，并提高電子
2021-10-18 16:45:00
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流 ，無反向恢復(fù)電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能
2019-03-11 11:24:39
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
0.61V，這樣就大大的提升了工作效率，所以低壓降肖特基二極管能廣泛的應(yīng)用于有六級能效要求的方案中。另外，低壓降肖特基二極管的反向恢復(fù)時間可以小到幾納秒，而且它的整流電流可以達到幾千安，適用于低電壓、大電流的條件下工作。低壓降肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-24 15:00:32
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流二極管和極性保護二極管使用。國內(nèi)大小電流肖特基二極管的主要作用是整流、檢波、續(xù)流、保護等。賽特微電子所生產(chǎn)研發(fā)的小電流肖特基二極管大部分屬于貼片系列，體積小、效率高、低損耗、腳位平直
2020-08-28 17:12:29
電場而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。3）碳化硅具有較高的導(dǎo)熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中650V/3A～100A,1200V/2A～50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
一、肖特基二極管的定義與特點1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒)。正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為
2019-06-12 02:34:10
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數(shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
碳化硅肖特基二極管主要特點及產(chǎn)品系列 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見下：原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 16:55:45
?！ 』景雽?dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達到國際先進水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
的安全裕量。 圖1 CoolMOS高壓功率MOSFET及其內(nèi)部體二極管的橫截面示意圖2. 反向恢復(fù)行為新一代CoolMOS? 650V CFD的反向恢復(fù)特性如圖2所示。與標(biāo)準(zhǔn)器件相比，新一代
2018-12-03 13:43:55
肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理
基本原理是：在肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理金屬（例如鉛）和半導(dǎo)
2010-02-26 13:38:584312 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371526 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26975 
全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發(fā)布首個1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161717 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 3A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190 中國，北京，2017年5月25日訊 -Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉(zhuǎn)換與智能運動（PCIM）展的開幕。
2017-05-26 14:43:591503 快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié) 型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。
2019-06-14 15:39:34123693 
CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計和開發(fā)更具價格優(yōu)勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
碳化硅（SiC）二極管已經(jīng)進入迅速擴張的太陽能逆變器市場，尤其是在歐洲。Cree的1200V SiC肖特基二極管已開始用來取代DC鏈升壓電路所使用的硅（Si）PiN類設(shè)計，而且將很快出現(xiàn)在商用系統(tǒng)的逆變器領(lǐng)域。
2020-10-02 17:21:005342 
現(xiàn)已推出采用TO-2472腳封裝的第五代 1200 V CoolSiC肖特基二極管，可輕松替換當(dāng)前常用的硅二極管。新的封裝將爬電距離和電氣間隙增至 8.7 mm，能夠在嚴(yán)重污染環(huán)境中實現(xiàn)非凡安全性
2021-01-11 08:00:003 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:203459 
工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級部件。
2021-11-05 16:18:341116 
肖特基二極管工作原理肖特基二極管的特點肖特基二極管的結(jié)構(gòu)肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別肖特基二極管的工作狀態(tài)肖特基二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)別工作原理肖特基二極管是以貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）為正極，以
2021-11-09 14:51:1120 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:171454 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:244172 
肖特基二極管與瞬態(tài)抑制二極管，相信不少電子行業(yè)的人都聽過這兩種元器件，今天，優(yōu)恩小編整理了以下關(guān)于這兩種器件產(chǎn)品的概念與特點，一起來看看吧。 二極管 TVS管，稱瞬態(tài)抑制二極管，也叫做瞬態(tài)電壓
2023-05-05 10:50:173046 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。 低開關(guān)損耗：采用先進的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:342034 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272049 
功率二極管與肖特基二極管的區(qū)別是什么？ 功率二極管和肖特基二極管是兩種常見的半導(dǎo)體器件，它們都具有二極管的特性，但在實際應(yīng)用中，它們的性能差異較大，下面將詳細(xì)介紹功率二極管和肖特基二極管的區(qū)別。 1
2023-08-28 16:41:252343 肖特基二極管的功能 肖特基二極管的作用 肖特基二極管是一種特殊的二極管，也被稱為肖特基勢壘二極管或熱電子二極管。它是由半導(dǎo)體材料制成的，其中具有一個j收集結(jié)和一個n導(dǎo)體結(jié)。 與普通二極管相比，肖特基
2023-08-28 17:22:3914445 肖特基二極管壞了的表現(xiàn) 判斷肖特基二極管好壞 肖特基二極管怎么測量好壞 肖特基二極管是一種特殊的二極管，在半導(dǎo)體器件中擁有廣泛的應(yīng)用。由于其快速響應(yīng)和低噪聲等特性，肖特基二極管在電路設(shè)計中被廣泛
2023-09-02 10:34:116711 ，例如電力、工業(yè)、汽車、電子、通信等。 功率二極管的種類比較繁多，從其結(jié)構(gòu)上我們可以分為PN結(jié)二極管、Schottky二極管、肖特基勢壘二極管、Gunn二極管、Varactor二極管、PIN二極管等。 PN結(jié)二極管是最常見的功率二極管。它與普通的
2023-09-02 11:13:572413 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650 V
2023-09-22 09:25:32840 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:101484 
功率二極管的重要性在現(xiàn)代電子技術(shù)和電力電子領(lǐng)域愈發(fā)顯著。兩種主要類型的功率二極管，即PN結(jié)二極管和肖特基二極管，都在不同應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，滿足了不同領(lǐng)域的需求。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，功率二極管仍將繼續(xù)演化，以適應(yīng)不斷變化的電子市場需求。
2023-11-05 11:30:001401 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065H：DPAK R2P中的650 V、10 A SiC肖特基二極管產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費下載
2023-12-19 16:06:240 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場景。
2024-02-01 10:50:021808 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2024-09-05 11:36:560 SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用范疇。SiC作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要，瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12060T2Z滿足車規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)
2024-12-02 09:07:342155 
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)
2025-02-25 15:44:15792 
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220-2 封裝，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-25 17:44:07773 
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS
2025-02-25 18:13:42813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783 
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:07:13727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806 
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46774 
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16854 
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220 - 2，具備超快速
2025-02-27 17:11:28678 
/DC轉(zhuǎn)換器等，滿足多種電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度
2025-02-27 17:32:44805 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06715 
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792 
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08851 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15813 
：SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 通過 AEC-Q101 認(rèn)證 TO-263-2 封裝 超快速
2025-02-28 18:21:04900 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J
2025-07-11 17:06:07912
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