本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比,氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和更高的結(jié)溫操作
2011-12-12 15:19:28
1773 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半,同
2012-12-19 10:19:09
1538 GaN Systems其低電流,大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:44
3429 ,以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此,氮化鎵是我們?cè)陔娨?、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面,氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)(最明顯
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
技術(shù)迭代。2018 年,氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室,正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統(tǒng)硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù),當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn),下文簡單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
同功率下體積更小,且散熱更優(yōu)秀,輕松實(shí)現(xiàn)小體積大功率。
既然氮化鎵這么好?為什么不早點(diǎn)用?
原因很簡單:之前氮化鎵技術(shù)不成熟,成本也相對(duì)更高!氮化鎵充電器最主要的成本來自于MOS功率芯片,昂貴的原材料
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì),如主動(dòng)有源鉗位反激式(ACF)、圖騰柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變,初級(jí) FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢(shì),針對(duì) 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問,它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富,該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管,后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化鎵GaAs)。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV,而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度,耗盡區(qū)窄短,從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如,一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管,可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
鎵晶圓的制作成為可能。Na Flux (Na Flux)工藝是將 Na/GaN溶液置于壓力30-40的氮?dú)庵?,在該溶液中溶解氮并使其飽和,由此?dǎo)致氮化鎵晶體沉淀。此項(xiàng)技術(shù)由山根久典教授于日本東北大學(xué)
2023-02-23 15:46:22
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場,同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外,氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲?。篘V6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。通過導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部
氮化鎵場效應(yīng)
晶體管(FET)的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>
2022-11-10 06:36:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年,第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛?
2025-11-14 07:25:48
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
,因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法,精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對(duì)簡單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性,甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管具備高速的開關(guān)速度優(yōu)勢(shì),需要使用良好的測(cè)量技術(shù)及能夠描述高速波形細(xì)節(jié)的良好技巧來進(jìn)行評(píng)估。本文專注于如何基于用戶的要求及測(cè)量技術(shù),利用測(cè)量設(shè)備來準(zhǔn)確地評(píng)估高性能的氮化鎵晶體管。此外,本文評(píng)估高帶寬差分探頭與不接地參考波形一起使用時(shí)的情況。
2018-06-08 16:43:00
4124 
什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化,在這個(gè)行業(yè)中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電力電子工業(yè)已經(jīng)達(dá)到硅MOSFET的理論極限
2020-05-24 11:30:05
9114 未來已來,氮化鎵的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配合,隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:25
1383 
(GaN)。在這些潛在材料中,氮化鎵或氮化鎵正得到廣泛認(rèn)可和青睞。這是因?yàn)镚aN晶體管與材料晶體管相比具有幾個(gè)優(yōu)勢(shì)。
2022-12-13 10:00:08
3919 了解氮化鎵
-寬帶隙半導(dǎo)體:為什么?
-氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率?
2023-01-15 14:54:25
2391 器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。 氮化鎵技術(shù)是指一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體,具有相對(duì)寬的帶隙。所以寬帶隙器件可以在高壓、高溫、高頻率下工作。
2023-02-03 14:14:45
4119 氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導(dǎo)體。
2023-02-03 18:18:46
10814 
氮化鎵工藝優(yōu)點(diǎn)是什么呢? AlGaN / GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)是開關(guān)功率晶體管的有希望的候選者,因?yàn)樗鼈兙哂懈叩臄鄳B(tài)擊穿強(qiáng)度以及導(dǎo)通狀態(tài)下的優(yōu)異溝道導(dǎo)電性。這些特征是GaN的特殊物理特性與其異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料AlGaN的組合。最重要的
2023-02-05 11:43:47
2725 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵,該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:18
10907 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:33
7273 
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù),硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:26
4975 
氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體, 氮化鎵主要還是用于LED(發(fā)光二極管),微電子(微波功率和電力電子器件),場效電晶體(MOSFET)。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。
2023-02-06 17:38:13
6684 作為第三代半導(dǎo)體的天之驕子,氮化鎵晶體管日益引起工業(yè)界的重視,且被更大規(guī)模應(yīng)用
2023-02-07 17:13:06
970 氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計(jì)的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它們?cè)谳^低速度、650V,非常高電流電源應(yīng)用中的統(tǒng)治地位。
2023-02-08 09:52:02
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一個(gè)器件的成本效益,從生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施開始計(jì)算。宜普公司的工藝技術(shù),基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 (Aluminum Nitride/Al),隔離了器件結(jié)構(gòu)和基底。這個(gè)隔離層能隔離300V電壓。在這隔離層上是一層厚厚的氮化鎵,晶體管就建立于這個(gè)基礎(chǔ)上。
2023-02-08 09:57:30
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法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
2023-02-08 17:39:07
1360 氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性:氮化鎵
2023-02-09 16:59:57
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硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:34
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氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計(jì)的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它們?cè)谳^低速度、650V,非常高電流電源應(yīng)用中的統(tǒng)治地位。
2023-02-12 17:09:49
1031 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性,將其結(jié)合在一起,形成一種新的復(fù)合材料,以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件,而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:58
2277 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,具有良好的電子特性,可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件,如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 18:01:01
4179 氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)? 氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)
2023-02-16 17:48:44
5868 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:14
29358 了氮化鎵呢?? 下圖是充電器的主要電子元器件。 ? 其實(shí)充電電子元器件里面,是晶體管里面添加了氮化鎵,而其他元器件均是常規(guī)電子件。 這里的晶體管是指MOSFET半導(dǎo)體場效益晶體管。 而氮化鎵晶體管與普
2023-02-21 15:04:24
6 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料,在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢(shì)是led,微波,以
及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管,利用了氮化鎵
2023-02-21 14:57:37
4 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì),也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:15
1497 摘要:柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面,金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷,這會(huì)降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項(xiàng)研究中,二維
2023-05-25 16:11:29
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氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),因此廣泛用于以下領(lǐng)域: 1. 發(fā)光二極管(LED):氮化鎵是LED的主要工藝材料之一,可用于制造藍(lán)、綠、白光LED,廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:46
13933 引言:氮化鎵作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一,因其優(yōu)越的性能,例如高電子遷移率、高電子飽和速率、耐高溫及高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)吸引了越來越多的關(guān)注,也正是因?yàn)檫@些優(yōu)點(diǎn),垂直氮化鎵功率晶體管在未來的電力
2023-02-13 10:42:54
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相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料,氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下,氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:23
10672 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革,而隨著其中,氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么,氮化鎵充電頭的原理是什么呢?KeepTops將為您詳細(xì)闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應(yīng)用。
2023-10-20 16:04:06
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氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā),結(jié)合實(shí)際使用場景,選擇最合適的氮化鎵芯片,以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場景。首先要明確使用的具體場景,如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場景。不同的場景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同,因此在選擇氮化鎵芯片時(shí),要充分考慮應(yīng)用的場景。
2023-10-26 17:02:18
1576 氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片,它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域,如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:30
11008 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料,需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取,具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:20
6429 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動(dòng)設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件,將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:22
1796 晶體管)結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成: 襯底:氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層:氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵,形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大,由于
2024-01-09 18:06:41
6137 氮化鎵技術(shù)(GaN技術(shù))是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù),被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用,并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢(shì)。 一
2024-01-09 18:06:36
3961 氮化鎵(GaN)MOS管,是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力,使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15
4274 氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里,氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料,受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先,我們來介紹
2024-01-10 10:03:21
6728 的結(jié)構(gòu)通常采用六方晶系,屬于閃鋅礦型結(jié)構(gòu)。在氮化鎵晶體中,鎵原子和氮原子交替排列,形成緊密堆積的晶格結(jié)構(gòu)。氮化鎵晶體中含有三維的GaN基底,其晶格常數(shù)約為a=0.3162 nm和c=0.5185 nm。 制備方法: 氮化鎵的制備方法有多種,其中最常用的
2024-01-10 10:18:33
6032 本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:18
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景和技術(shù)需求。 氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì) 高頻與高效率 :氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率,使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如,在5G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信等需要高頻工作的領(lǐng)域,氮化鎵器件能夠提供更高的工作頻率和更大的
2024-09-02 11:37:16
7233 。 ? 目的 ?:本手冊(cè)詳細(xì)闡述了氮化鎵(GaN)晶體管并聯(lián)設(shè)計(jì)的具體細(xì)節(jié),旨在幫助設(shè)計(jì)者優(yōu)化系統(tǒng)性能。 二、氮化鎵的關(guān)鍵特性及并聯(lián)好處 1. 關(guān)鍵特性 ? 正溫度系數(shù)的R DS(on) ?:有助于并聯(lián)器件的熱平衡。 ? 穩(wěn)定的門檻電壓V GS(th) ?:在工作
2025-02-27 18:26:31
1104
評(píng)論